有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。该有源矩阵有机发光二极管面板包括：第一导电层；栅极绝缘层，形成于第一导电层的上方；氧化物半导体层，具有预设图案；蚀刻阻止层；以及第二导电层。其中，氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。相比于现有技术，本发明可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，因此有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形，提升了产品制程的可靠性。
【专利说明】有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示面板，尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, 0LED)依驱动方式可分为被动式矩阵驱动(Passive Matrix OLED, PM0LED)和主动式矩阵驱动(Active Matrix OLED,AM0LED)两种。其中，PMOLED是当数据未写入时并不发光，只在数据写入期间发光。这种驱动方式结构简单、成本较低、较容易设计，主要适用于中小尺寸的显示器。AMOLED与PMOLED最大的差异是在于，每一像素都有一电容存储数据，让每一像素皆维持在发光状态。由于AMOLED耗电量明显小于PM0LED，加上其驱动方式适合发展大尺寸与高解析度的显示器，使得AMOLED成为未来发展的主要方向。
[0003]在现有技术中，针对下栅极(Bottom Gate)晶体管结构组件，为增加栅极开启时可以导通最大的电流量，栅极与上层的源极/漏极往往会设计为部分重叠。但是，该重叠区域存在的风险是在于，一旦处在下层栅极与上层源极/漏极间的夹层栅极绝缘层(GateInsulator，GI)出现破损，栅极端将有非常高的机率会与源极/漏极发生短路现象，而这种情形也是目前蚀刻阻止型氧化物半导体(诸如IGZ0)组件合格率偏低的最大主因，其产量损失大约为50%?90%。具体地，IGZO氧化物半导体层为组件的载子传输层，位于下层栅极与上层源极/漏极之间，在IGZO蚀刻制程后，于下层栅极边缘处十分容易发生侧向蚀刻现象进而产生裂缝，随后，蚀刻阻止层的干蚀刻制程将透过上述产生的裂缝侵蚀栅极绝缘层，造成下层栅极外露，出现栅极与源极/漏极间的短路情形。此外，在栅极线和数据线彼此相交的区域上，栅极绝缘层在栅极线的上面部分沉积得比栅极线的侧表面更薄，由此产生台阶部分，导致在栅极线的侧表面发生缺陷，诸如栅极线与数据线之间的短路。
[0004]有鉴于此，如何设计一种有源矩阵有机发光二极管面板，以改善或消除现有技术中的上述缺陷，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
【发明内容】
[0005]针对现有技术中的有源矩阵有机发光二极管面板存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、可有效防止栅极与源极/漏极之间出现短路情形的有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。
[0006]依据本发明的一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括:
[0007]—第一导电层，具有一栅极图案；
[0008]一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方；
[0009]一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案；
[0010]一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及[0011]一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区，
[0012]其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。
[0013]在其中的一实施例中，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，当所述氧化物半导体层被蚀刻时，于其侧向形成一侧蚀裂缝，所述侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。
[0014]在其中的一实施例中，所述侧蚀裂缝的长度小于9微米。
[0015]在其中的一实施例中，该氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。
[0016]依据本发明的另一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，该制造方法包括以下步骤:
[0017]形成一第一导电层，该第一导电层具有一栅极图案；
[0018]形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方；
[0019]形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案；
[0020]形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及
[0021]形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，
[0022]其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。
[0023]在其中的一实施例中，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成一侧蚀裂缝，该侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。
[0024]依据本发明的又一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，该有源矩阵有机发光二极管面板还包括:
[0025]一第一导电层，具有一栅极图案；
[0026]一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方；
[0027]—氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案；
[0028]一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及
[0029]一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区，
[0030]其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。
[0031 ] 在其中的一实施例中，所述尖端部的夹角小于90度。
[0032]在其中的一实施例中，该氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。
[0033]依据本发明的再一个方面，提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，该制造方法包括以下步骤:
[0034]形成一第一导电层,该第一导电层具有一栅极图案；
[0035]形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方；
[0036]形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案；
[0037]形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及
[0038]形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，
[0039]其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。
[0040]在其中的一实施例中，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成所述侧蚀裂缝。
[0041]采用本发明的有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法，依次形成第一导电层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻止层以及第二导电层，该第一导电层具有一栅极图案，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对该蚀刻阻止层进行处理，以定义出薄膜晶体管的源极区和漏极区，该氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域为长方形图案并且与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。此外，本发明还可改善第一导电层上的栅极图案的形状，使其转角位置具有小于90度的尖端部，通过每一尖端部阻挡氧化物半导体层的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸，同样也可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。
[0042]相比于现有技术，本发明可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使得氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可以避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，如此一来，蚀刻阻止层的干蚀刻制程并不会透过上述侧蚀裂缝侵蚀栅极绝缘层而导致下层栅极外露，因此可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形，提升了产品制程的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0043]读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
[0044]图1示出现有技术的一种有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图；
[0045]图2A?图2E分别示出图1的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的制造流程示意图；
[0046]图3示出依据本发明的一实施方式的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图；
[0047]图4示出依据本发明的另一实施方式的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图；以及
[0048]图5示出图4的有源矩阵有机发光二极管面板中，第一导电层中的尖端部阻挡氧化物半导体层被蚀刻所形成的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸的状态示意图。
【具体实施方式】
[0049]为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0050]下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0051]图1示出现有技术的一种有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图。图2A?图2E分别示出图1的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的制造流程示意图。
[0052]参照图1以及图2A?图2E,现有技术中的AMOLED包括一第一导电层100、一栅极绝缘层101、一氧化物半导体层102、一蚀刻阻止层104和一第二导电层106。
[0053]详细地，栅极绝缘层101形成于第一导电层100的上方。氧化物半导体层102位于栅极绝缘层101的上方。蚀刻阻止层104位于栅极绝缘层101和氧化物半导体层102的上方。第二导电层106包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对蚀刻阻止层104进行处理，以定义出薄膜晶体管的源极区和漏极区。
[0054]如图2A和图2B所示，首先在第一导电层100的上方形成栅极绝缘层101，然后在栅极绝缘层101的上方形成氧化物半导体层102。接着，在氧化物半导体层102的上方涂覆一光刻胶(PR，Photo Resistance)层105，以便后续工艺对该氧化物半导体层102进行蚀刻，如图2C所示。从前文的描述可知，在氧化物半导体层102蚀刻制程后，于第一导电层100 (即，下层栅极)的边缘处十分容易发生侧向蚀刻现象进而产生侧蚀裂缝APl (图1的斜线部分)，如图2D所示。如此一来，位于栅极绝缘层101和氧化物半导体层102的上方的蚀刻阻止层104在干蚀刻时，将会透过上述裂缝APl侵蚀栅极绝缘层101，造成下层栅极外露，也就是说，当侧蚀裂缝APl进入蚀刻阻止层104的区域时，下层栅极与后续形成的源极/漏极之间将有极高的短路可能性。最后，第二导电层106与第一导电层100之间将会出现短路情形，如图2E所示。
[0055]为了有效地消除现有技术中的上述缺陷或不足，图3示出依据本发明的一实施方式的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图。
[0056]参照图3，类似于图1，本发明的AMOLED包括一第一导电层200、一氧化物半导体层202、一蚀刻阻止层204。本领域的技术人员应当理解，AMOLED的结构组件在图3中仅仅绘示了其中的一部分，未绘示的部分与现有技术中的对应组件相同或相似，为描述方便起见，在此不再赘述。
[0057]图3与图1的主要区别是在于，氧化物半导体层202，诸如IGZO (Indium GalliumZinc Oxide,氧化铟镓锌)材质，的预设图案包括一第一区域2021和多个第二区域2022。其中，预设图案的第一区域2021为长方形图案，并且该第一区域2021与第一导电层200的边缘形成四个交界部，每个第二区域2022为正方形图案并且位于该交界部的远离蚀刻阻止层204的一侧，如图3所示。
[0058]通过本发明的氧化物半导体层202的独特预设图案之设计，透过额外增加的四个正方形第二区域，使得氧化物半导体层202的侧蚀裂缝AP2可以避开蚀刻阻止层204的干蚀刻区域。例如，氧化物半导体层202以湿蚀刻方式形成上述预设图案。因此，蚀刻阻止层204的干蚀刻制程并不会透过上述侧蚀裂缝AP2 (图3的斜线部分)侵蚀栅极绝缘层而导致下层栅极外露，进而能够避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。
[0059]在一具体实施例中，蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域。当氧化物半导体层被蚀刻时，于其侧向形成一裂缝AP2，该裂缝AP2的远端与开洞区域间隔一安全距离h。在此，安全距离是指裂缝与开洞区域的间隔距离足以防止蚀刻阻止层透过其侵蚀栅极绝缘层从而导致栅极与源极/漏极发生短路故障。较佳地，氧化物半导体层202的侧蚀裂缝长度小于9微米。
[0060]本领域的技术人员应当理解，图3不仅可描述本发明的AMOLED的氧化物半导体层的特定预设图案，而且还可示意性说明AMOLED的制造方法。结合图1、图2A?图2E和图3，在本发明的制造方法中，依次形成第一导电层200、栅极绝缘层、氧化物半导体层202、蚀刻阻止层204和第二导电层，其中，氧化物半导体层202的预设图案包括一第一区域2021和多个第二区域2022。第一区域2021为长方形图案并且与第一导电层200的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于交界部的远离蚀刻阻止层204的一侧。由上述可知，本发明的制造方法可保持原有薄膜晶体管沟道的宽度/长度(Width/Length)设计，其他的层结构设计也不需作任何改变，因此可确保在维持现有组件特性的前提下改善制程容错度(process window),提升组件合格率。
[0061]由上述可知，相比于现有技术，本发明的氧化物半导体层的预设图案除了设置第一区域之外，还额外增加了四个第二区域，通过正方形的这些第二区域使氧化物半导体层的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，如此一来，蚀刻阻止层的干蚀刻制程并不会透过上述侧蚀裂缝侵蚀栅极绝缘层而导致下层栅极外露，因此可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。
[0062]图4示出依据本发明的另一实施方式的有源矩阵有机发光二极管面板的下栅极薄膜晶体管的俯视图。图5示出图4的有源矩阵有机发光二极管面板中，第一导电层中的尖端部阻挡氧化物半导体层被蚀刻所形成的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸的状态示意图。
[0063]参照图4，在该实施方式中，本发明的AMOLED包括一第一导电层300、一氧化物半导体层302、一蚀刻阻止层304。本领域的技术人员应当理解，AMOLED的结构组件在图4中仅仅绘示了其中的一部分，未绘示的部分与现有技术中的对应组件相同或相似，为描述方便起见，在此不再赘述。
[0064]图4与图1的主要区别是在于，氧化物半导体层302的预设图案至少部分地覆盖第一导电层300的栅极图案，并且该栅极图案的转角位置具有多个尖端部3001，每一尖端部3001用以阻挡氧化物半导体层302的侧蚀裂缝AP3向蚀刻阻止层304的蚀刻区域延伸。在一具体实施例中，该尖端部3001的夹角小于90度。较佳地，该尖端部3001的夹角为30度或45度。
[0065]更具体地，如图5所示，第一导电层300的栅极图案在其转角位置包括多个尖端部3001，该尖端部3001的夹角α为锐角，S卩，小于90度。如此一来，氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，则蚀刻阻止层的干蚀刻制程也就不能透过该侧蚀裂缝侵蚀栅极绝缘层而导致下层栅极外露。
[0066]本领域的技术人员应当理解，图4不仅可描述本发明的AMOLED的氧化物半导体层的特定预设图案，而且还可示意性说明AMOLED的制造方法。结合图4和图5，在该制造方法中，依次形成第一导电层300、栅极绝缘层、氧化物半导体层302、蚀刻阻止层304和第二导电层，其中，氧化物半导体层302的预设图案至少部分地覆盖第一导电层300的栅极图案，并且栅极图案的转角位置具有多个尖端部3001，每一尖端部3001用以阻挡氧化物半导体层302的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层304的蚀刻区域延伸。
[0067]在一具体实施例中，氧化物半导体层302以湿蚀刻方式形成预设图案，蚀刻阻止层304采用干蚀刻方式形成一开洞区域，且氧化物半导体层302被蚀刻从而形成该侧蚀裂缝。
[0068]由上述可知，本发明还可改善第一导电层上的栅极图案的形状，使其转角位置具有小于90度的尖端部，通过每一尖端部阻挡氧化物半导体层的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸，同样也可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。
[0069]此外，依据上述，前述实施例亦可应用于如图2Ε所示第一导电层100的斜坡处上方存在第二导电层106断裂的情形，或者第一导电层100的斜坡处上方存在氧化物半导体层102与第二导电层106同时断裂的情形。
[0070]采用本发明的有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法，依次形成第一导电层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻止层以及第二导电层，该第一导电层具有一栅极图案，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对该蚀刻阻止层进行处理，以定义出薄膜晶体管的源极区和漏极区，该氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，第一区域为长方形图案并且与第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于交界部的远离蚀刻阻止层的一侧。此外，本发明还可改善第一导电层上的栅极图案的形状，使其转角位置具有小于90度的尖端部，通过每一尖端部阻挡氧化物半导体层的侧蚀裂缝向蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸，同样也可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形。相比于现有技术，本发明可透过改善第一导电层的栅极图案或者氧化物半导体层的预设图案，使得氧化物半导体层被蚀刻时所形成的侧蚀裂缝可以避开蚀刻阻止层的干蚀刻区域，如此一来，蚀刻阻止层的干蚀刻制程并不会透过上述侧蚀裂缝侵蚀栅极绝缘层而导致下层栅极外露，因此可有效避免下层栅极与上层源极/漏极之间的短路不良情形，提升了产品制程的可靠性。
[0071]上文中，参照附图描述了本发明的【具体实施方式】。但是，本领域中的普通技术人员能够理解，在不偏离本发明的精神和范围的情况下，还可以对本发明的【具体实施方式】作各种变更和替换。这些变更和替换都落在本发明权利要求书所限定的范围内。
【权利要求】
1.一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括: 一第一导电层，具有一栅极图案； 一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方； 一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案； 一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区， 其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，当所述氧化物半导体层被蚀刻时，于其侧向形成一侧蚀裂缝，所述侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述侧蚀裂缝的长度小于9微米。
4.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 形成一第一导电层，该第 一导电层具有一栅极图案； 形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方； 形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案； 形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及 形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案， 其中，所述氧化物半导体层的预设图案包括一第一区域和多个第二区域，所述第一区域为长方形图案并且与所述第一导电层的边缘形成四个交界部，每个第二区域为正方形图案并且位于所述交界部的远离所述蚀刻阻止层的一侧。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成一侧蚀裂缝，该侧蚀裂缝的远端与所述开洞区域间隔一安全距离。
6.一种有源矩阵有机发光二极管面板，包括一薄膜晶体管，其特征在于，所述有源矩阵有机发光二极管面板还包括: 一第一导电层，具有一栅极图案； 一栅极绝缘层，形成于所述第一导电层的上方； 一氧化物半导体层，位于所述栅极绝缘层的上方，且具有一预设图案； 一蚀刻阻止层，位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及 一第二导电层，包括一源极图案和一漏极图案，通过蚀刻工艺对所述蚀刻阻止层进行处理，以定义出所述薄膜晶体管的源极区和漏极区， 其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。
7.根据权利要求6所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述尖端部的夹角小于90度。
8.根据权利要求1或6所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述氧化物半导体层为氧化铟镓锌材质。
9.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，该有源矩阵有机发光二极管面板包括一薄膜晶体管，其特征在于，该制造方法包括以下步骤: 形成一第一导电层，该第一导电层具有一栅极图案； 形成一栅极绝缘层于所述第一导电层的上方； 形成一氧化物半导体层于所述栅极绝缘层的上方，该氧化物半导体层具有一预设图案； 形成一蚀刻阻止层，该蚀刻阻止层位于所述栅极绝缘层和所述氧化物半导体层的上方；以及 形成一第二导电层，该第二导电层包括一源极图案和一漏极图案，` 其中，所述氧化物半导体层的预设图案至少部分地覆盖所述第一导电层的栅极图案，并且所述栅极图案的转角位置具有多个尖端部，每一尖端部用以阻挡所述氧化物半导体层的侧蚀裂缝向所述蚀刻阻止层的蚀刻区域延伸。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半导体层以湿蚀刻方式形成所述预设图案，所述蚀刻阻止层采用干蚀刻方式形成一开洞区域，其中，所述氧化物半导体层被蚀刻从而形成所述侧蚀裂缝。
【文档编号】H01L51/56GK103681770SQ201310733406
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年12月23日 优先权日:2013年12月23日
【发明者】林冠宇, 张凡伟, 李仁佑, 丁宏哲 申请人:友达光电股份有限公司