一种基板的制作方法及基板、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板的制作方法及基板、显示装置，用以解决现有技术中存在的在形成信号线时由于刻蚀工艺对信号线的机械损伤而导致信号线短路或断路的问题。本发明实施例中，在制作所需金属图案时，可不采用刻蚀的方式形成所需的金属图案，而是先沉积光刻胶层，再对该光刻胶层进行图案化，形成光刻胶图案，并利用光刻胶图案进行遮挡，沉积金属膜层，最后将光刻胶图案剥离，保留所需的金属图案。从而，简化了制作工艺，避免了刻蚀工艺所造成的机械损伤，防止由于刻蚀工艺而发生信号线短路或断路的问题。
【专利说明】
一种基板的制作方法及基板、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板的制作方法及基板、显示装置。【背景技术】
[0002]薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT_ LCD)是有源矩阵液晶显示器中一种，其具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。液晶显示面板包含有效显示区(Active Area)以及周边电路区(Peripheral Circuit Area)，每个像素都包括薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管连接的像素电极，且每个像素都被两条相邻的扫描线以及两条相邻的数据线包围。通常，这些扫描线以及数据线会由有效显示区域延伸到周边电路区形成扇出走线，并与驱动芯片连接。随着人们对TFT-LCD显示画面品质的要求越来越高，高像素产品逐渐成为市场的主流产品，而像素的提高就相应了增加了TFT的数量，相应的驱动负载会增加，周边电路的扇出走线密度变大，进而，在利用光刻工艺形成扇出走线时，由于曝光设备的曝光极限的限制，在刻蚀时很容易导致出现信号线断路或短路的风险。
[0003]其中，导致断路或短路的原因有:对于正性光刻胶来说，在形成信号线时，是对信号线之间的光刻胶进行曝光，而对信号线上的光刻胶不进行曝光，受到曝光的光刻胶变性而被显影掉。这样在显影时，由于扇出区的扇出走线十分稠密，所以扇出走线之间的光刻胶较难被显影掉，导致刻蚀时使得扇出区的扇出走线易出现短路;对于负性光刻胶而言，在形成信号线时，是对信号线上的光刻胶进行曝光，而对信号线之间的光刻胶不进行曝光，未受到曝光的光刻胶被显影掉，由于扇出区的扇出走线十分稠密，所以扇出走线上的光刻胶较难被显影掉，导致刻蚀时使得扇出区的扇出走线易出现断路。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种基板的制作方法及基板、显示装置，用以解决现有技术中存在的在形成信号线时由于刻蚀工艺对信号线的机械损伤而导致信号线短路或断路的问题。
[0005]本发明实施例采用以下技术方案:
[0006] —种基板的制作方法，所述方法包括:
[0007]提供一基底；
[0008]在所述基底的一表面形成光刻胶层；
[0009]利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案；
[0010]在所述基底形成有光刻胶图案的一表面沉积金属膜层；
[0011]将所述光刻胶图案剥离，形成所需的金属图案。
[0012]该方案中，不需要刻蚀，仅利用光刻胶形成的光刻胶图案的遮挡，即可形成所需的信号线，简化工艺流程，且避免了刻蚀工艺对信号线的机械损伤，防止出现由于刻蚀而发生的短路或断路问题。
[0013]可选地，所述金属图案具体为包含至少一条信号线的信号线图案。
[0014]可选地，所述光刻胶层的材质为负性光刻胶；
[0015]所述利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案，具体包括:
[0016]利用第一掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影处理， 在所述基底上形成包含多个光刻胶条的光刻胶图案，其中，所述光刻胶条位于所述基底上与所述掩膜版的曝光区域对应的区域，所述光刻胶条的远离所述基底的一表面在所述基底上的正投影覆盖所述光刻胶条的靠近所示基底的一表面。
[0017]通过该方案，能够利用负性光刻胶层形成光刻胶图案，一方面，可以避免由于刻蚀工艺造成的损伤，另一方面，保证形成的信号线之间的预设间距，避免由于光学原因曝光区域过小而导致相邻信号线间距过近，进而发生短路。
[0018]可选地，所述光刻胶条在垂直自身延伸方向的截面呈倒梯形。
[0019]光刻胶条的截面呈倒梯形，可以保证有光刻胶条的区域的金属膜层与相邻光刻胶条之间的区域处的金属膜层不相连。
[0020]可选地，在所述基底的一表面形成光刻胶层，具体包括:
[0021]在所述基底的作为扇出走线区域处沉积形成光刻胶层；
[0022]将所述光刻胶图案剥离，形成所需的信号线，具体包括:[〇〇23]将所述光刻胶图案剥离，形成所需的扇出走线。
[0024]该方案可以有效改善扇出走线区域在形成扇出走线时易发生的扇出走线相连或断开的问题。
[0025]可选地，所述光刻胶层中的光刻胶为非膨胀型光刻胶。[〇〇26]非膨胀型光刻胶可保证光刻工艺过程中光刻胶图案不变形，减少对后续形成的信号线的影响。
[0027]可选地，形成的光刻胶层的厚度大于后续形成的金属膜层的厚度。
[0028]通过该方案，可以防止有光刻胶条的区域的金属膜层与相邻光刻胶条之间的区域处的金属膜层相连。
[0029] —种基板，利用所述的方法制作而成。
[0030]该方案中，利用上述方法形成的信号线，能够保证不发生短路或断路。
[0031]可选地，所述基板为显示基板。
[0032]可选地，所述基板为触控基板。
[0033] 一种显示装置，包括所述的基板。[〇〇34]该方案中，包括上述基板的显示装置中，其信号线能够防止出现由于刻蚀而发生的短路或断路问题。【附图说明】
[0035]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1为本发明实施例提供的基板的制作方法的流程示意图；
[0037]图2(a)-图2(e)为本发明提供的基板的制作工艺流程图。【具体实施方式】[〇〇38]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0039]下面通过具体的实施例对本发明所涉及的技术方案进行详细描述，本发明包括但并不限于以下实施例。
[0040]如图1所示，为本发明实施例提供的基板的制作方法的流程示意图，该方法主要包括以下步骤:[〇〇411步骤11:提供一基底。
[0042]其中，该基底可以为玻璃基底、塑料基底或其他材质的柔性基底。[〇〇43]步骤12:在基底的一表面形成光刻胶层。
[0044]具体地，在本发明实施例中，可通过沉积工艺在基底的一表面形成预设厚度的光刻胶层。
[0045]步骤13:利用掩膜版对光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案。
[0046]具体地，利用掩膜版对基底表面形成的光刻胶层进行掩膜，然后进行曝光，并利用相应的显影液对曝光后的光刻胶层进行显影处理，形成所需的光刻胶图案。
[0047]步骤14:在基底形成有光刻胶图案的一表面沉积金属膜层。
[0048]其实，在该步骤14中，将光刻胶图案看做是掩膜版，利用该光刻胶图案进行遮挡， 在基底形成有光刻胶图案的一表面沉积金属膜层，其中，形成的金属膜层被光刻胶图案分割成有段差的多个金属条。
[0049]步骤15:将光刻胶图案剥离，形成所需的金属图案。
[0050]在该步骤15中，将光刻胶图案剥离的同时，会将沉积在光刻胶图案上的金属膜层 (即金属条)剥离，仅剩下沉积在基底上的金属膜层，即所需的金属图案。
[0051]在本发明实施例中，在制作所需的金属图案时，可不采用刻蚀的方式形成所需的金属图案，而是先沉积光刻胶层，再对该光刻胶层进行图案化，形成光刻胶图案，并利用光刻胶图案进行遮挡，沉积金属膜层，最后将光刻胶图案剥离，保留所需的金属图案。从而，简化了制作工艺，避免了刻蚀工艺所造成的机械损伤，防止由于刻蚀工艺而发生信号线短路或断路的问题。
[0052]具体地，本发明所涉及的金属图案具体为包含至少一条信号线的信号线图案。其实，还可以为其他类型的金属图案，例如，栅极图案。
[0053]可选地，本发明实施例中所涉及的光刻胶层的材质为负性光刻胶;步骤13可具体执行为:利用掩膜版对光刻胶层进行曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，在基底上形成包含多个光刻胶条的光刻胶图案，其中，光刻胶条的远离所述基底的一表面在所述基底上的正投影覆盖所述光刻胶条的靠近所示基底的一表面，即位于基底上与掩膜版的曝光区域对应的区域，光刻胶条在垂直自身延伸方向的截面图形的上边界在基底上的正投影覆盖截面图形的下边界。从而，能够利用负性光刻胶层形成光刻胶图案，一方面，可以避免由于刻蚀工艺造成的损伤，另一方面，保证形成的信号线之间的预设间距，避免由于光学原因曝光区域过小而导致相邻信号线间距过近进而发生短路。
[0054]进一步，本发明所涉及的光刻胶条在垂直自身延伸方向的截面呈倒梯形，从而，可以保证有光刻胶条的区域的金属膜层与相邻光刻胶条之间的区域处的金属膜层不相连。
[0055]可选地，在本发明实施例中，可具体针对扇出走线区域形成的扇出走线时的制作工艺，那么，步骤12可具体执行为在基底的作为扇出走线区域处沉积形成光刻胶层；同时， 步骤15执行为将光刻胶图案剥离，形成所需的扇出走线。
[0056]进一步，本发明所涉及的光刻胶层中的光刻胶为非膨胀型光刻胶，从而，避免光刻胶层在曝光、显影等过程中发生形变而影响待形成的信号线。
[0057]进一步，形成的光刻胶层的厚度大于后续形成的金属膜层的厚度，以保证形成的金属膜层有段差，避免金属膜层齐平而粘连在一起。[〇〇58]需要说明的是，本发明所涉及的基板制作方案可以针对任意一种信号线，例如:边缘区域的G0A线集，或是显示区域的栅线、数据线等，下面主要以扇出走线区域的扇出走线为例对本发明上述方案进行详细说明。
[0059]如图2(a)-图2(e)所示，为本发明提供的基板的制作工艺流程图。
[0060]首先，参照图2(a)，在基底21上涂覆一预设厚度的光刻胶层22。
[0061]然后，利用掩膜版A对光刻胶层22进行曝光处理，如图2(b)所示。[〇〇62]接着，对曝光后的光刻胶层22进行显影处理，形成光刻胶图案23,参照图2(c)所示。其中，该光刻胶层22采用非膨胀型负性光刻胶，由于负性光刻胶在紫外光照射下产生光化反应，使得高分子化合物交联成不溶于碱性显影液的分子结构，因而，经过掩膜曝光之后，光刻胶层22未被曝光的区域溶于显影液，光刻胶层22被曝光的区域不溶于显影液，而且，考虑到在曝光时，由于光刻胶层22被曝光的区域的上层的曝光程度要优于下层的曝光程度，因而，光刻胶层22被曝光的区域的上层的光化反应要强于下层的光化反应，进而，在经过显影后，光刻胶层22根据曝光程度进行显影，最终形成如图2(c)所示的包含多个光刻胶条L的光刻胶图案23，由图中可知，每个光刻胶条在垂直自身延伸方向的截面呈倒梯形。 [〇〇63]进一步，参照图2(d)所示，在形成有光刻胶图案23的基底21表面沉积金属膜层24， 其中，需要注意的是，此处沉积的金属膜层24的厚度小于光刻胶图案23(或是光刻胶层22) 的厚度，以保证形成的金属膜层有段差，避免金属膜层齐平而粘连在一起。
[0064]之后，参照图2(e)，直接将光刻胶图案23剥离，保留的金属膜层即为所需的扇出走线25。
[0065]由上述方案可知，虽然扇出走线区域的扇出走线较为密集，若采用现有技术的制作工艺，不可避免的会引入刻蚀工艺，进而，由于显影的局限而导致刻蚀时对金属膜层造成机械损伤，使得形成的扇出走线出现短路或断路。但是，本申请有效利用了光刻胶图案23作为遮挡，该光刻胶图案23可以作为一新的掩膜版，便于实现对金属膜层的图案化，完全避免了刻蚀工艺，更不会带来机械损伤以及信号线表面污染的问题，且该光刻胶图案23中的倒梯形结构保证了形成的扇出走线之间的间距，即时曝光时照射到光刻胶层上的光线非常细密，也会形成如图2(c)的光刻胶图案，只是相邻的光刻胶条的间距变大，而光刻胶条的宽度变窄，这样，还是可以保证形成的扇出走线之间是互不相连的，避免发生短路。从而，保证形成高质量的信号线，提升工艺品质。
[0066]同时，本发明还提供了一种基板，该基板利用如上述的方法制作而成。具体地，该基板可以为显示基板，例如，可以是阵列基板或与阵列基板对侧设置的彩膜基板等，该基板还可以为触控基板。因而，本发明中所涉及的方法可以适用于制作显示区域的栅线、数据线，或是非显示区域的扇出走线以及G0A线集，或是其他触控信号线等。[〇〇67]本发明实施例提供给了一种显示装置，包括本发明实施例提供的任意一种基板， 其中，该显示装置可以为液晶面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本发明的限制。[〇〇68]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0069]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括:提供一基底；在所述基底的一表面形成光刻胶层；利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案；在所述基底形成有光刻胶图案的一表面沉积金属膜层；将所述光刻胶图案剥离，形成所需的金属图案。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属图案具体为包含至少一条信号线的信号线图案。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层的材质为负性光刻胶；所述利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光、显影，形成光刻胶图案，具体包括:利用掩膜版对所述光刻胶层进行曝光，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，在所述基 底上形成包含多个光刻胶条的光刻胶图案，其中，所述光刻胶条位于所述基底上与所述掩 膜版的曝光区域对应的区域，所述光刻胶条的远离所述基底的一表面在所述基底上的正投 影覆盖所述光刻胶条的靠近所示基底的一表面。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻胶条在垂直自身延伸方向的截面呈 倒梯形。5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，在所述基底的一表面形成光刻胶 层，具体包括:在所述基底的作为扇出走线区域处沉积形成光刻胶层；将所述光刻胶图案剥离，形成所需的金属图案，具体包括:将所述光刻胶图案剥离，形成所需的扇出走线图案。6.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述光刻胶层中的光刻胶为非膨胀 型光刻胶。7.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，形成的光刻胶层的厚度大于后续形 成的金属膜层的厚度。8.—种基板，其特征在于，利用如权利要求1-7任一项所述的方法制作而成。9.如权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板为显示基板。10.如权利要求8所述的基板，其特征在于，所述基板为触控基板。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8-10任一项所述的基板。
【文档编号】G02F1/1362GK105974620SQ201610440657
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年6月17日
【发明人】史高飞, 许徐飞, 刘承娜
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司