基板划伤检测的方法和设备与流程

文档序号:11152706
基板划伤检测的方法和设备与制造工艺

本发明涉及液晶显示技术领域,具体地涉及一种基板划伤检测的方法和设备。



背景技术:

随着显示技术的发展,液晶显示装置已经成为人们日常生活中的主流产品。目前,液晶显示产品(Liquid Crystal Display:简称LCD)在进行第二次切割后,基板的薄膜晶体管扇出TFT Fan Out区域会暴露出来(参见图1所示),基板在后续生产流通环节中,由于各种原因,很容易出现TFT Fan Out区域的信号线路上方绝缘层划伤的情况,该划伤会导致绝缘层破损,金属暴露后线路腐蚀,使TFT Fan Out区域出现线缺陷导致显示区域Line Defect,从而使问题产品进行出货。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明的目的是针对现有技术中存在的问题,提供一种基板划伤检测的方法和设备,以解决基板生产流通环节中TFT Fan Out区域的绝缘层表面划伤的问题。

本发明提供的一种基板划伤检测的方法,包括:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路;

检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值;

将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较;

根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可选的,所述在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路的步骤包括:

根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路;

或者,根据集成电路的成本形成分布式线路。

可选的,所述根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路包括:

根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。

可选的,所述根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤的步骤包括:

若所述第一电容值不等于所述第二电容值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可选的,所述根据比较结果确定基板绝缘层表面划伤的步骤包括:

若所述第一电容值与所述第二电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤;

或者,若所述第二电容值与所述第一电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可选的,所述氧化物材料包括:氧化铟锡材料。

根据另一方面本发明还公开了一种基板划伤检测的设备,包括:

掩膜板和测试装置,其中,所述测试装置包括:测试夹具和集成电路;

所述掩膜板用于在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路;

所述测试夹具用于检测所述掩膜版形成的所述分布式线路中每条线路的第一电容值;

所述集成电路用于将测试夹具检测的所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较;

所述集成电路包括比较单元,所述比较单元用于根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可选的,所述掩膜板用于根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路;

或者,根据集成电路的成本形成分布式线路。

可选的,所述掩膜板还用于

根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。

可选的,所述比较单元具体用于:

若所述第一电容值不等于所述第二电容值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可选的,所述比较单元具体用于:

若所述第一电容值与所述第二电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤;

或者,若所述第二电容值与所述第一电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

与现有技术相比,本发明至少包括以下优点:

本发明在基板TFT Fan Out区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路,减轻绝缘表面划伤,然后检测每条线路的第一电容值,将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较,根据比较结果确定基板绝缘层表面划伤,从而在生产流通阶段可以及时发现TFT Fan Out区域的绝缘层表面划伤,从而避免了问题产品出货,进而降低了客户端产品的不良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明基板的薄膜晶体管扇出TFT Fan Out区域的示意图;

图2是本发明实施例一所述一种基板划伤检测方法的流程图;

图3是本发明实施例二所述一种基板划伤检测方法的流程图;

图3-a是本发明标准的分布式线路的示意图;

图3-b是本发明划伤的分布式线路的示意图;

图4是本发明基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路的示意图;

图5是本发明基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路的示意图;

图6-a是本发明在基板扇出区域的绝缘层表面形成的分布式线路示意图;

图6-b是本发明图6-a的分布式线路的等价电路示意图;

图7是本发明在基板扇出区域的绝缘层表面形成的分布式线路示意图;

图8是本发明第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较的示意图;

图9是根据实施例三所述一种基板划伤检测设备的示意图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施方式。虽然附图中显示了本公开的优选实施方式,然而应该理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反,提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整,并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。

实施例一

参照图2,其示出了本发明实施例一所述一种基板划伤检测方法的流程图,该方法具体包括:

步骤201:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路。

通过掩膜版在基板扇出区域的绝缘层表面通过对光阻剂曝光形成分布式线路图形,然后使用酸进行刻蚀,将没有光阻剂覆盖部分的氧化物刻蚀,保留掩膜板图形,形成分布式线路,从而防止基板扇出区域的绝缘层表面被划伤。

氧化物材料可以为铟锡氧化物ITO,该铟锡氧化物透明且导电性好,也可以为其他金属氧化物材料,对此本发明不做具体限制。

步骤202:检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值。

使用测试装置中的测试夹具检测分布式线路中每条线路的第一电容值。

步骤203:将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较。

步骤204:根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

参见图3-a示出了标准的分布式线路的示意图,参见图3-b示出了划伤的分布式线路的示意图。

通过测试装置获得图3-a中的获得第二电容值C1-1、C4-1……Cn-1

通过测试装置获得图3-b中的第一电容值C1-2、C4-2.......Cn-2,将C1-2与C1-1比较,C4-2与C4-1比较.......Cn-2与Cn-1比较,获得比较结果,若比较结果中任何一个不相等,则判定基本扇出区域的绝缘层表面划伤。

本发明实施例,通过在基板TFT Fan Out区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路,防止绝缘表面划伤,然后检测每条线路的第一电容值,将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较,根据比较结果确定基板绝缘层表面划伤,从而在生产流通阶段可以及时发现TFT Fan Out区域的绝缘层表面划伤,从而避免了问题产品出货,进而降低了产品的不良率。

实施例二

参照图3,其示出了本申请实施例二所述一种基板划伤检测方法的流程图,该方法具体包括:

步骤301:在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路。

在实际应用中可以根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路,并且形成的分布式线路需要覆盖扇出区域的绝缘层表面的所有信号线,参见图4所示。

图4中,黑色加粗的区域,是通过掩膜版在基板扇出区域的绝缘层表面形成的分布式线路,通过测试夹具测量分布式线路中的每条线路的第一电容值,该第一电容值是指图4中Tx与Rx之间的电容值。

优选的,所述根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路包括:根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。

参见图5中,假设信息线划伤的长度为2条信号线,则确定分布式线路的宽度为覆盖两条信号线,则根据所述宽度生成的分布式线路图。

分布式线路还可以根据集成电路(IC)的成本形成分布式线路,如果集成电路的成本较高,则可以形成比较复杂的分布式线路,如果集成电路的成本低,则可以形成比较简单的分布式线路。

IC成本高,则说明分布式线路的接口多,而IC成本低,则说明分布式线路的接口少,图6-a示出了IC成本低的分布式线路,将图6-a的等价电路图如图6-b所示,从如图6-b可以很直观的看出,IC的接口很少,因而降低了IC的制作成本。

分布式线路图还可以采用其他方式,例如图7中所示的分布式线路,在后续实际使用中本领域技术人员可以采用不同图案的分布式线路,只要形成的分布式线路覆盖所有信号线即可,本发明对分布式线路的图案不做具体限制。

步骤302:检测所述分布式线路中每条线路的第一电容值。

步骤303:将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较。

参见图8示出了第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较的示意图,测试夹具检测到分布式线路中每条线路的第一电容值C2,将第一电容值C2分别与标准产品的第二电容值C1进行比较,若出现第一电容值不等于第二电容值,则认为基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

步骤304:根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

可以通过以下方式,确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤:

一种方式:将分布式线路中的每条线路的第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较,若第一电容值不等于所述第二电容值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

另一种方式:若所述第一电容值与所述第二电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

或者,若所述第二电容值与所述第一电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

其中,阈值的设定可以由本领域技术人员采用任意适当方式进行设定,如可以采用人工经验设定阈值,或者针对历史数据的差异值设定阈值,还可以采用其他方式,本发明对此不作限制。

本发明实施例,由于基板TFT Fan Out区域的绝缘层表面出现划伤,则电容值会发生变化,因而当第一电容值不等于第二电容值时,则确定基板绝缘层表面划伤,从而在基板生产流通阶段就可以确定基板绝缘层的损坏,从而避免了问题产品的出货。

实施例三

参照图9,其示出了本申请实施例三所述一种基板划伤检测设备的示意图,该设备具体包括:

掩膜板901和测试装置902,其中,所述测试装置包括:测试夹具9021和集成电路9022.

所述掩膜板用于在基板扇出区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路。

其中,所述掩膜板使用的氧化物材料包括:氧化铟锡材料,也可以为其他金属氧化物材料,对此本申请不做具体限制。

优选的,所述掩膜板用于根据基板扇出区域的绝缘层表面的信号线形成分布式线路。

或者,根据集成电路的成本形成分布式线路。

优选的,所述掩膜板还用于根据信号线的划伤长度确定分布式线路的宽度,根据所述宽度生成分布式线路。

所述测试夹具用于检测所述掩膜板形成的所述分布式线路中每条线路的第一电容值。

所述集成电路用于将测试夹具检测的所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较。

所述集成电路包括比较单元,所述比较单元用于根据比较结果确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

优选的,所述比较单元具体用于:

若所述第一电容值不等于所述第二电容值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

优选的,所述比较单元具体用于:

若所述第一电容值与所述第二电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

或者,若所述第二电容值与所述第一电容值的比值超过设定阈值,则确定基板扇出区域的绝缘层表面划伤。

本发明实施例,通过在基板TFT Fan Out区域的绝缘层表面使用氧化物材料形成分布式线路,防止绝缘表面划伤,然后检测每条线路的第一电容值,将所述第一电容值与标准产品的第二电容值进行比较,根据比较结果确定基板绝缘层表面划伤,从而在生产流通阶段可以及时发现TFT Fan Out区域的绝缘层表面划伤,从而避免了问题产品出货,进而降低了产品的不良率。

综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制,具体地,需要注意以下几点:

首先,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同或相似的部分互相参见即可。

其次,需要说明的是,在本发明的描述中,除非另有说明,术语“第一”、“第二”、“内”、“外”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的顺序、方位或者位置关系为人为定义的顺序或基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明或使描述更加清晰、有条理,而不是指示或者暗示所指的结构或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。

第三,在此处所提供的说明书中,说明了大量具体细节。然而,能够理解,本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中,并未详细示出公知的方法、结构和技术,以便不模糊对本说明书的理解。

第四,应当理解,为了精简本公开并帮助理解各个发明方面中的一个或多个,在上面对本发明的示例性实施例的描述中,本发明的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而,并不应将该公开的方法解释成反映如下意图:即所要求保护的本发明要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说,如下面的权利要求书所反映的那样,发明方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此,遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式,其中每个权利要求本身都作为本发明的单独实施例。

最后,应该注意的是上述实施例对本发明进行说明而不是对本发明进行限制,并且本领域技术人员在不脱离所附权利要求的范围的情况下可设计出替换实施例。在权利要求中,不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。

再多了解一些
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