检测装置及其基板的制作方法

本实用新型涉及多晶硅制造技术领域，特别是涉及一种检测装置及其基板。

背景技术：

低温多晶硅技术(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)是新一代薄膜晶体管液晶显示器的制造工艺，与传统的非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度较快，且有高亮度、高清晰度等优点。

离子注入是LTPS工艺不可缺少的一道工艺。一般地，为了验证离子注入机的工艺稳定性，将硅片贴在玻璃基板上，对硅片进行进行离子注入。进行离子注入之后，再对硅片的阻值进行测试，根据测试得到的硅片的阻值来了解离子注入机的状态。在整个过程中，由于通过粘贴的方式将硅片粘在玻璃基板上，从而不能保证每次硅片粘贴位置完全相同，这使得离子注入后测得的硅片的阻值会有误差，进而使得对离子注入机的性能的判断存在误差。

技术实现要素：

基于此，有必要针对如何保证离子注入时每次硅片的位置相同的问题，提供一种检测装置及其基板。

一种基板，所述基板用于放置进行离子注入的硅片，包括：

本体；以及

容纳部，所述容纳部设置在所述本体上，所述容纳部上开设有多个孔，所述多个孔在行和列方向上依次排列，每个所述孔用于放置一片所述硅片，且所述孔的尺寸与所述硅片的尺寸相适配。

上述基板，包括本体和容纳部，容纳部设置在本体上，通过在容纳部上开设多个孔，多个孔在行和列方向上均依次排列，每个孔用于放置一片硅片，且孔的尺寸与硅片的尺寸相适配，从而使得每次对硅片进行离子注入时，只需将硅片放置在对应的孔中即可，保证每次硅片放置的位置相同，进而保证每次离 子注入后硅片阻值的测试数据的准确性。

在其中一个实施例中，所述本体与所述容纳部一体成型。

本体与容纳部一体成型，利于基板的厚度的轻薄化。

在其中一个实施例中，所述本体和所述容纳部的总的厚度为0.3毫米-0.7毫米。

在其中一个实施例中，所述孔的内壁上设有两个活动元件，所述两个活动元件呈对称分布，所述两个活动元件用于卡住所述硅片。

通过设置在孔的内壁上的活动元件，卡住硅片，从而可以避免将硅片通过粘贴的方式粘在本体上，不仅可以避免本体上粘有粘贴剂而导致本体的报废，而且在放置硅片时，只需要将硅片放置在孔中，通过两个活动元件将硅片固定，待离子注入完成后，移动活动元件，硅片就可以快速取出，从而减少耗时，提高离子注入机的产能。

在其中一个实施例中，所述孔的内壁上开设有凹槽，所述硅片的边缘卡在所述凹槽中。

通过在孔的内壁上开设凹槽，将硅片的边缘卡在凹槽中，也可以避免将硅片通过粘贴的方式粘在本体上，不仅可以避免本体上粘有粘贴剂而导致本体的报废，而且在放置硅片时，只需要将硅片卡在凹槽中，待离子注入完成后，移动硅片的位置，硅片就可以快速取出，从而减少耗时，提高离子注入机的产能。

在其中一个实施例中，同一个所述孔的内壁上的所述凹槽的数量为两个，且两个所述凹槽呈对称分布。

在其中一个实施例中，同一个所述孔的内壁上的所述凹槽的数量为一个，且所述凹槽环绕所述孔的内壁。

在其中一个实施例中，所述孔为方形孔。

在其中一个实施例中，还包括粘结层，所述粘结层位于所述本体与所述容纳部之间，所述粘结层用于将所述容纳部粘接在所述本体上。

一种检测装置，所述检测装置用于检测离子注入机的性能，所述检测装置包括硅片和上述基板，开设在所述容纳部上的每个所述孔用于放置一片所述硅片，所述硅片用于通过所述离子注入机注入离子。

上述检测装置，保证每次硅片放置的位置相同，进而保证每次离子注入后硅片阻值的测试数据的准确性。

附图说明

图1为一实施例的基板的结构示意图；

图2为图1中所示的A的局部放大图。

具体实施方式

如图1所示，一实施例的基板100包括本体110和容纳部120。基板100用于放置进行离子注入的硅片200。容纳部120设置在本体110上。

具体地，本体110和容纳部120可以一体成型，也可以可拆卸连接，如通过螺栓、粘结层等连接。当本体110和容纳部120通过粘结层连接时，粘结层位于本体110与容纳部120之间，粘结层用于将容纳部120粘接在本体110上。需要说明的是，粘结层并不覆盖整个本体110的靠近容纳部120的表面，只需要将容纳部120固定在本体110上即可。在本实施例中，本体110和容纳部120一体成型。

此外，本体110可以为玻璃板或塑料板，容纳部120的材质也可以为玻璃或塑料。优选地，本体110为塑料板，容纳部120的材质为塑料。在本实施例中，本体110和容纳部120一体成型，两者所采用的材质一样。

本体110和容纳部120一体成型，本体110和容纳部120的总的厚度，也就是说基板100的厚度为0.3毫米-0.7毫米，优选地，基板100的厚度为0.4毫米。

再参考图1，容纳部120开设有多个孔121，多个孔121在行和列方向上依次排列。每个孔121用于放置一片硅片200，且孔121的尺寸与硅片200的尺寸相适配。在本实施例中，孔121为方形孔。需要说明的是，孔121也可以为圆形孔等，孔121的形状可以根据实际的需求进行选择。从而使得每次对硅片200进行离子注入时，只需将硅片200放置在对应的孔121中即可，保证每次硅片200放置的位置相同，进而保证每次离子注入后硅片阻值的测试数据的准确性。

当硅片200放置在孔121中时，可以将硅片200粘贴在孔121中。为了节省时间和减少基板100的损耗，硅片200也可以采用其他的方式放置在孔121中。

在本实施例中，如图2所示，孔121的内壁上设有两个活动元件122a、122b，两个活动元件122a、122b呈对称分布，且两个活动元件122a、122b用于卡住硅片200。具体地，活动元件122a和活动元件122b均为活动卡扣，其可以朝向或远离孔121的内壁运动。当将硅片200放置在孔121中时，将活动元件122a和活动元件122b朝孔121的内壁方向移动，再放手，将硅片200卡在孔121中；当取出硅片200时，将活动元件122a和活动元件122b远离孔121的内壁方向移动，取出硅片200。

通过设置在孔121的内壁上的活动元件122a、122b，卡住硅片200，从而可以避免将硅片200通过粘贴的方式粘在本体110上，不仅可以避免本体110上粘有粘贴剂而导致本体110的报废，而且在放置硅片200时，只需要将硅片200放置在孔121中，通过两个活动元件122a、122b将硅片200固定，待离子注入完成后，移动活动元件122a、122b，硅片200就可以快速取出，从而减少耗时，提高离子注入机的产能。通过活动元件122a、122b的设置，所耗的时间至少减少为原来的时间的一半。

在其他实施例中，孔121的内壁上开设有凹槽，硅片200的边缘卡在凹槽中。其中，孔121的内壁上可以开设两个凹槽，两个凹槽呈对称分布。孔121的内壁上开设的凹槽的数量也可以为一个，且该凹槽环绕孔的内壁，从而使得硅片200的所有边缘均可以卡在该凹槽中。

通过在孔121的内壁上开设凹槽，将硅片200的边缘卡在凹槽中，也可以避免将硅片200通过粘贴的方式粘在本体110上，不仅可以避免本体110上粘有粘贴剂而导致本体110的报废，而且在放置硅片200时，只需要将硅片200卡在凹槽中，待离子注入完成后，移动硅片200的位置，硅片200就可以快速取出，从而减少耗时，提高离子注入机的产能。

一实施例的检测装置包括硅片200和上述基板100，开设在容纳部120上的每个孔121用于放置一片所述硅片200，硅片200用于通过离子注入机注入离子。 检测装置用于检测离子注入机的性能。

离子注入机将离子注入到硅片200中，硅片200放置在孔121中，注入完成后，对硅片200的阻值进行测试，根据测得的硅片200的阻值，对离子注入机的性能进行检测。

上述检测装置，保证每次硅片200放置的位置相同，进而保证每次离子注入后硅片阻值的测试数据的准确性。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。