一种显示基板及其制作方法、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，公开了一种显示基板及其制作方法、显示装置。所述制作方法利用喷嘴喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构，由于喷墨打印工艺的定位精确，且喷墨的位置可任意调整，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
【专利说明】
一种显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]磁控派射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n，PVD)成膜工艺的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多种材料的成膜，沉积过程主要是荷能离子(例如氩离子)轰击靶材表面，引起靶材表面的各种粒子从靶材表面逃逸出，沉积到基板表面，形成膜层。然而，磁控溅射采用的不均匀磁场会使靶材产生显著的不均匀刻蚀，导致靶材利用率低，靶材表面消耗均一性较差，需要定期对靶材进行更换，造成严重的浪费，从而导致生产成本的增加。通过磁控溅射工艺成膜后，还需对膜层进行光刻工艺，形成所需的膜层图形，制作过程复杂，而且磁控溅射设备昂贵。由于透明导电材料价格较高，当通过磁控溅射工艺形成透明导电膜层时，上述缺陷更加明显。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用以解决现有技术中透明导电结构的制作过程复杂、生产成本高的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种显示基板的制作方法，包括:
[0005]利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。
[0006]本发明实施例中还提供一种显示基板，采用如上所述的方法制得。
[0007]本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0008]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0009]上述技术方案中，通过喷墨打印工艺形成显示基板的透明导电结构，由于喷墨打印工艺的定位精确，且喷墨的位置可任意调整，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1表示本发明实施例中显示基板的制作方法流程图；
[0012]图2表不本发明实施例中显不基板的结构不意图；
[0013]图3-图5表示本发明实施例中显示基板的制作过程示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0015]实施例一
[0016]如图1所示，本实施例中提供一种显示基板的制作方法，包括:
[0017]S1:利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。
[0018]基于透明导电材料的价格较高，上述制作方法通过喷墨打印工艺形成透明导电结构，由于嗔墨打印工艺的定位精确，且嗔墨的位置可任意调整，材料利用率尚，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
[0019]所述透明导电材料可以选择!1120、2110、1102、0(15110、]\%2110、160、120、11'0、1620中的一种。
[0020]一般适用于喷墨打印设备的材料为液态或热塑性材料。为了能够利用喷墨打印工艺形成透明导电结构，本实施例中的透明导电材料为将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备的溶液，提供液态的透明导电材料，以适用于喷墨打印设备。其中，所述透明导电纳米颗粒的直径小于50nm，优选为10?20nm，有利于透明导电材料的成膜，提高成膜均勾性。至于所述透明导电材料的其他参数，包括浓度、粘度等，可以根据喷墨打印设备进行相应设定，以满足工艺要求。
[0021]本发明的技术方案适用于液晶显示器件、OLED显示器件等各种类型的显示器件。
[0022]下面以液晶显示器件为例，具体介绍本发明的技术方案。
[0023]对于液晶显示器件，所述显示基板可以为阵列基板，包括多个像素区域，参见图2所示，形成透明导电结构的步骤包括:
[0024]在每一像素区域形成公共电极I和像素电极2，其中，公共电极I和像素电极2的宽度较大，更有利于通过喷墨打印工艺制备，满足精度要求。
[0025]当然，公共电极也可以形成在液晶显示器件的彩膜基板上，同样，也可以通过本发明的技术方案在彩膜基板上形成公共电极，即，所述显示基板也可以为彩膜基板。
[0026]对于阵列基板，参见图2-图5所示，所述制作方法还包括:
[0027]参见图3所示，在基底100上形成多条栅线和多条数据线(图中未示出)，限定出多个所述像素区域，基底100为透明基底，例如:玻璃基底、石英基底；
[0028]在每一像素区域形成薄膜晶体管3，在每一像素区域形成薄膜晶体管的步骤包括:
[0029]在基底100上形成栅电极4，与所述栅线电性连接。具体的，栅电极4可以与所述栅线一体成型，其中，栅电极4的材料可以选择Cu，Al ,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如(:11\10，11\(:11\11，10\八1\Mo等;
[0030]形成覆盖栅电极4的栅绝缘层101，栅绝缘层101的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体的，栅绝缘层101的材料可以是SiNx，Si0x或Si(ON)X;
[0031]在栅绝缘层101上形成有源层5，有源层5可以由硅半导体或金属氧化物半导体制得；
[0032]形成源电极6和漏电极7，源电极6和漏电极7搭接在有源层5上，源电极6与所述数据线电性连接，像素电极2搭接在漏电极7上，参见图4所示。源电极6和漏电极7的材料可以选择Cu，Al ,Ag,Mo,Cr,Nd,Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo，Ti\Cu\Ti，Μο\Α1\Μο等；
[0033]形成覆盖薄膜晶体管3和像素电极2的钝化层102，公共电极I为狭缝电极，设置在钝化层102上，结合图2和图5所示。钝化层102的材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体的，钝化层102的材料可以是SiNx，Si0x或Si(0N)x。
[0034]上述制作方法中的金属导电结构，包括栅电极4、栅线、源电极6、漏电极7和数据线，以及阵列基板的其他金属导电结构，可以通过磁控溅射、气相化学沉积等成膜工艺形成金属膜层，然后通过光刻工艺(包括光刻胶的涂覆、曝光和显影、刻蚀、剥离光刻胶等)形成。
[0035]通过上述制作方法制得的阵列基板为底栅型薄膜晶体管阵列基板。当然，底栅型薄膜晶体管阵列基板的结构并不局限于图2中示意的一种，例如:源电极6和漏电极7与有源层5之间，以及源电极6和漏电极7与像素电极2之间还可以形成绝缘层，并通过绝缘层中的过孔实现电性连接，阵列基板还可以不包括公共电极I。即，可以根据需要对薄膜晶体管的结构及对应的制作工艺进行适应性调整，其都属于本发明的保护范围。
[0036]需要说明的是，本发明的技术方案不仅适用于底栅型薄膜晶体管阵列基板，还适用于顶栅型薄膜晶体管阵列基板、共面型薄膜晶体管阵列基板或采用其他半导体驱动元件的阵列基板。除了公共电极和像素电极，对于其它透明导电结构，例如:桥接线、跳线，也可以通过本发明的技术方案制备。
[0037]当本发明的技术方案应用在OLED显示器件上时，所述显示基板为OLED显示基板，则OLED的顶电极或底电极可以为透明导电结构，并采用本发明的技术方案制备。具体的，对于顶发射OLED，所述顶电极为透明导电电极。对于底发射OLED，所述底电极为透明导电电极。
[0038]实施例二
[0039]本实施例中提供一种显示基板，采用实施例一中的方法制得，显示基板的透明导电结构通过喷墨打印工艺形成，材料利用率高，能够极大的节省原材料，降低生产成本。而且能够精确在透明导电结构所在区域的喷墨，直接形成透明导电结构，缺省光刻工艺，简化工艺流程，提高生产效率。
[0040]其中，所述透明导电结构可以由透明导电纳米颗粒制得。具体为，将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备溶液，从而能够利用喷墨打印设备喷墨打印所述溶液，形成所述透明导电结构。
[0041]本发明的技术方案适用于液晶显示器件、OLED显示器件等各种类型的显示器件。
[0042]以液晶显示器件为例，所述显示基板可以为阵列基板，包括多个像素区域，参见图2所示，所述透明导电结构包括位于每一像素区域的公共电极I和像素电极2。
[0043]当然，公共电极也可以形成在液晶显示器件的彩膜基板上，同样，也可以通过本发明的技术方案在彩膜基板上形成公共电极，即，所述显示基板也可以为彩膜基板。
[0044]以底栅型薄膜晶体管阵列基板为例，参见图2所示，本实施例中的显示基板具体还包括:
[0045]设置在基底100上的多条栅线和多条数据线(图中未示出)，限定出多个所述像素区域；
[0046]位于每一像素区域的薄膜晶体管3，薄膜晶体管3包括:
[0047]栅电极4，与所述栅线电性连接；
[0048]覆盖栅电极4的栅绝缘层101;
[0049]设置在栅绝缘层101上的有源层5;
[0050]搭接在有源层5上的源电极6和漏电极7，源电极6与所述数据线电性连接，像素电极2搭接在漏电极7上；
[0051]覆盖薄膜晶体管3和像素电极2的钝化层102，公共电极I设置在钝化层102上。
[0052]当然，底栅型薄膜晶体管阵列基板的结构并不局限于图2中示意的一种，可以根据需要对薄膜晶体管的结构进行适应性调整，其都属于本发明的保护范围。
[0053]需要说明的是，本发明的技术方案不仅适用于底栅型薄膜晶体管阵列基板，还适用于其他类型的阵列基板。除了公共电极和像素电极，对于其它透明导电结构，例如:桥接线、跳线，也可以通过本发明的技术方案制备。
[0054]本实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板，用以提高产品的生产效率，降低成本。
[0055]所述显示装置为:液晶显示面板、OLED显示面板、液晶显示器件、OLED显示器件、电子纸、手机、平板电脑、电视机笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0056]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括: 利用喷嘴在基底上喷墨打印透明导电材料，形成透明导电结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电材料为将透明导电纳米颗粒溶解在溶剂中制备的溶液。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电纳米颗粒的直径小于50nmo4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述透明导电纳米颗粒的直径为10?20nmo5.根据权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，包括多个像素区域，形成透明导电结构的步骤包括: 在每一像素区域形成公共电极和像素电极。6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括: 在所述基底上形成多条栅线和多条数据线，限定出多个所述像素区域； 在每一像素区域形成薄膜晶体管，在每一像素区域形成薄膜晶体管的步骤包括: 在所述基底上形成栅电极，与所述栅线电性连接； 形成覆盖所述栅电极的栅绝缘层； 在所述栅绝缘层上形成有源层； 形成源电极和漏电极，所述源电极和漏电极搭接在所述有源层上，所述源电极与所述数据线电性连接，所述像素电极搭接在所述漏电极上； 所述制作方法还包括: 形成覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层，所述公共电极设置在所述钝化层上。7.—种显示基板，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法制得。8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电结构由透明导电纳米颗粒制得。9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，包括多个像素区域，所述透明导电结构包括位于每一像素区域的公共电极和像素电极。10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括: 设置在基底上的多条栅线和多条数据线，限定出多个所述像素区域； 位于每一像素区域的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括: 栅电极，与所述栅线电性连接； 覆盖栅电极的栅绝缘层； 设置在栅绝缘层上的有源层； 搭接在所述有源层上的源电极和漏电极，所述源电极与所述数据线电性连接，所述像素电极搭接在所述漏电极上； 所述显示基板还包括: 覆盖所述薄膜晶体管和像素电极的钝化层，所述公共电极设置在所述钝化层上。11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-10任一项所述的显示基板。
【文档编号】H01L27/12GK106098545SQ201610664632
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月12日 公开号201610664632.7, CN 106098545 A, CN 106098545A, CN 201610664632, CN-A-106098545, CN106098545 A, CN106098545A, CN201610664632, CN201610664632.7
【发明人】李贺飞, 宫奎, 王铖铖, 陈程, 安晖
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司