一种透明陶瓷基板led灯丝的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及LED技术领域，尤其涉及一种透明陶瓷基板LED灯丝。
【背景技术】
[0002]随着LED技术的不断成熟，传统白炽灯将逐渐被LED灯丝灯所取代。为了增加出光面积和角度，LED灯丝灯通常由多条LED灯丝相互拼接组成。现有技术中，LED灯丝通常采用金属基板等非透光基板，只能单面透光，其单根LED灯丝的出光角度最多只能为180°，这大大限制了 LED的发光效果。同时现有技术中，LED灯丝上的LED芯片通常采用已封装好的LED灯珠焊接在基板上，不仅增加了 LED灯丝的尺寸，同时增加了 LED灯丝制备工艺的复杂度。另外，LED灯丝上的电阻元件通常采用贴片电阻以焊接的方式固定在LED灯丝上，贴片电阻的一致性和稳定性存在无法得到保证，尤其在LED灯丝长时间使用的情况下，会极大影响LED灯丝的寿命，同时也增加了 LED灯丝制备工艺的复杂度。
[0003]故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。
【实用新型内容】
[0004]为了解决现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于LED灯丝并使其实现360°出光的透明陶瓷基板LED灯丝。
[0005]为了克服现有技术的缺陷，本实用新型的技术方案为：
[0006]一种透明陶瓷基板LED灯丝，包括透明陶瓷基板，该透明陶瓷基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述透明陶瓷基板上形成多个固晶区，多个正装LED裸芯片设置在所述固晶区内，所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所述线路层中；在所述透明陶瓷基板的正面和反面都设有荧光层；在所述线路层的端部设有电极，所述电极用于与外接驱动电源相连接；在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。
[0007]优选地，所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
[0008]优选地，所述ITO薄膜层通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板上。
[0009]优选地，根据所述电阻的阻值控制在所述线路层的电阻图形上沉积相应量的ITO材料，从而实现设置不同阻值的电阻。
[0010]优选地，所述透明陶瓷基板为长条形，所述电极设置在长条形透明陶瓷基板的两端。
[0011]优选地，所述正装LED裸芯片通过固晶胶固定在所述固晶区。
[0012]优选地，所述ITO薄膜层为35 μ m?280 μ m。
[0013]优选地，所述线路层在所述固晶区两端区域分别设有金线焊点，所述正装LED裸芯片上设有P极和N极。
[0014]优选地，通过金线使所述正装LED裸芯片的P极或N极与所述线路层上的金线焊点电气连接。
[0015]优选地，正装LED裸芯片的N极通过金线与其后级的正装LED裸芯片的P极电气连接，或者正装LED裸芯片的P极通过金线与其前级的正装LED裸芯片的N极电气连接。
[0016]相对于现有技术，采用本实用新型的技术方案，由于采用透明陶瓷基板，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了 LED灯丝的立体出光效果；由于将正装LED裸芯片直接封装在透明陶瓷基板上，大大缩小了 LED灯丝的尺寸，也简化了 LED封装工艺；同时导电层采用ITO材料，其电阻率远大于铜等金属，故可在线路层上直接沉积ITO材料形成电阻，从而不需要焊接电阻元件，并保证了电阻元件的一致性和稳定性，从而延长LED灯丝的使用寿命。
【附图说明】
[0017]图I为本实用新型实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的结构示意图。
[0018]图2为本实用新型实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的平面结构示意图。
[0019]图3为本实用新型实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝另一种实施方式的平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。
[0021]为了克服现有技术存在的缺陷，请参阅图1，为本实用新型实施例提供的一种透明陶瓷基板LED灯丝的结构示意图，包括透明陶瓷基板I，透明陶瓷基板I是一块薄玻璃片，其表面非常光滑，透光率在95%以上。该透明陶瓷基板I上设置一层ITO薄膜层，一层ITO (氧化铟锡）薄膜层，ITO薄膜层是通过溅射工艺或者通过喷涂工艺形成在所述透明陶瓷基板I上，其厚度为35μπι?280 μπι。材料ITO(氧化铟锡）同时具有优良电学传导和光学透明的特性，作为透明传导镀膜应用广泛。由于采用透明陶瓷基板，从而使LED灯丝真正实现360°出光，大大提升了 LED灯丝的立体出光效果。
[0022]在透明陶瓷基板I上设置ITO薄膜层作为导电层，其作用类似于现有技术中的铜箔层。通过光刻胶掩膜蚀刻工艺可将电路图形印制在ITO薄膜层上，也即在ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层2，同时通过刻蚀工艺在透明陶瓷基板I上形成固晶区3，固晶区3用于设置正装LED裸芯片4，多个正装LED裸芯片4通过固晶胶设置在所述固晶区3内，并以金线键合的方式串接在所述线路层2中。金线键合工艺的好坏直接影响LED灯丝的光电性能及可靠性，金线焊接时要形成一定的弧度，不能直接跨过LED裸芯片的P极或者N极，否则容易遮挡LED射出光线，降低光通量，影响产品的光学性能。在透明陶瓷基板I的正面和反面分别设置由荧光材料形成的荧光层，由于透明陶瓷基板具有反向透光性，通过调节透明陶瓷基板I正面和反面的荧光材料配方，从而达到正反面均匀的立体发光LED灯丝。在所述线路层2的端部设有电极6，所述电极6用于与外接驱动电源相连接