基板加工腔的制作方法

本公开涉及加工制造技术领域，具体而言，涉及一种用于制造半导体基板的基板加工腔。

背景技术：

由于多种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度持续发展，半导体工业经历快速成长。大体而言，上述集成密度的发展来自于重复减小最小特征尺寸(例如：缩小半导体加工节点至次20纳米节点)，此发展允许更多元件整合至一有限的区域内部。由于近日小型化、需要更快的速度与更好的波段宽度、以及较低的电力消耗与等待时间的需求成长，对于较小以及更创新的半导体晶圆的封装技术的需求也存在有成长。

在半导体装置中的特征尺寸的减少增加精密加工的需求，而精密加工的征点之一在于薄膜厚度均一度的控制。在薄膜成长时，遍及薄膜的厚度的均一度通常与施加于薄膜的温度有高度相关。温度的均一性可通过测量薄膜温度以及根据测量结果控制施加温度而实现。在半导体加工腔中通常使用高温计(pyrometer)对薄膜的温度进行测量。

技术实现要素：

根据一实施例，一基板加工腔具有一加工表面，且包括一导件相对该基板加工腔固定于定位以及一可动式高温计连结至该导件。可动式高温计可沿一径向轴线移动，该径向轴线大约延伸于加工表面的中央与加工表面的外表面之间。可动式高温计可操作以监测在基板加工腔内部沿着径向轴线的温度。

根据另一实施例，一个用于形成位于一基板上的磊晶薄膜生长(epitaxial film growth)的一温度分布图的制程被呈现，其中该磊晶薄膜生长形成于一磊晶薄膜生长腔内。上述制程包括下列步骤，旋转磊晶成长薄膜生成将形成于上的一晶圆，分配前驱物至该晶圆以形成一磊晶薄膜成长，并且利用一高温计在晶圆的多个位置上测量多个温度。高温计沿着径向轴线移动，该径向轴线大约延伸于该晶圆的一中央部分与该晶圆的一外缘之间。

根据又一实施例，用于在磊晶薄膜生长腔内动态调整一磊晶薄膜生长厚度的方法被呈现。上述方法包括以下步骤，沿着一径向轴线来回移动相邻于磊晶薄膜生长腔的一高温计，旋转一晶圆以及一加工表面，该晶圆放置于该加工表面上，其中该磊晶薄膜生长形成在该晶圆上，并且当该高温计沿着该径向轴线来回移动时在多个位置上测量该晶圆成长的温度。上述方法还包括以下步骤，在该磊晶薄膜生长在形成的同时，形成该磊晶薄膜生长的一温度轮廓(temperature profile)，决定在磊晶薄膜生长内厚度的变异量，以及调整一既定变异数以调整磊晶薄膜生长的厚度。

附图说明

根据以下的详细说明并配合说明书附图做完整公开。应注意的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。

图1显示根据部分实施例中基板加工腔具有一可动式温度感测器的示意图，其中部分以剖面显示。

图2显示根据部分实施例中一基板加工腔显示有一可动式温度感测器的上侧示意图。

图3显示根据部分实施例中一回馈网络的示意图。

图4显示根据部分实施例中一等高线热分布地形(contour thermal distribution map)。

图5显示根据部分实施例中一控制器的示意图。

附图标记说明：

100～基板加工腔(磊晶成长腔)

102～上圆顶部

104～下圆顶部

105～内腔室

106～支架

108～旋转轴

110～晶圆

112～热来源

114～可动式温度感测器(可动式高温计)

116～控制器

118～气体供应来源

120～回馈网络

122～反射器

124～薄膜

126～入口

128～出口

130～混合前驱物

132～导件(夹具)

134～第一端

135～装设机构

136～第二端

140～中心部分

141～中心部分

142～槽(轨道)

144～第一端

146～第二端

148～底部

150～外部分

154～径向轴线

156～表面

158～热数据(温度数据点)

160～第一位置

162～第二位置

164～第三位置

166～温度分布图

168～箭头

172～中心

174～窗

176～外缘

202～处理单元

204～显示器

206～I/O元件

208～中央处理器

210～存储器

212～大容量存储器

214～影像转接器

216～I/O接口

218～总线

220～网络接口

具体实施方式

以下将特举数个具体的较佳实施例，并配合说明书附图做详细说明，图上显示数个实施例。然而，本公开可以许多不同形式实施，不局限于以下所述的实施例，在此提供的实施例可使得公开得以更透彻及完整，以将本公开的范围完整地传达予同领域熟悉此技艺者。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。应该理解，可以在方法之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于方法的其他实施例，可以替换或消除一些描述的操作。

首先参照图1，其显示根据部分实施例显示的基板加工腔100例如磊晶成长(epitaxial growth,epi)腔以及一可动式温度测量装置的示意图，其中部分以剖面显示。应当注意的是，图1仅显示基板加工腔(磊晶成长腔)100简化后的结构，因为多个实施例的创新方面与磊晶成长腔100的结构或系统的配置无关。显示于此的磊晶成长腔100仅限制于清楚描述多个实施例的创新方面所用。本公开并非限制于任何特定的磊晶成长设备。

磊晶成长腔100包括一上圆顶部102以及一下圆顶部104。上圆顶部102连结下圆顶部104以形成一内腔室105。一支架106或者其他形式的加工表面可放置在磊晶成长腔100的内腔室105内部并且连结至旋转轴108。旋转轴108连结至驱动结构(图未示)，驱动结构可进行操作以转动或旋转旋转轴108。于是，在磊晶成长制程中，旋转轴108使在内腔室105内支架106旋转或转动。

如图1所示，在磊晶成长之前，晶圆110(例如：硅晶圆)放置于支架106上。一层体或薄膜124(例如：磊晶膜)实质成长、形成或沉积在晶圆110的顶部。在部分方面上，支架106提供晶圆110机械支承。在另一些方面上，支架106协助保护晶圆110的背面并确保晶圆110的加热均匀。支架106可由不透明的材质(例如：硅碳化物、镀有硅碳化物的石墨、以及/或者相似物)所制成。

气体供应来源118连结至磊晶成长腔100，且储存有多个分开储存的气体，或多个分开储存的用于形成薄膜124的前躯物。气体供应来源118包括一用于混合前躯物的混合腔室(图未示)。混合前驱物130如箭头所示导入内腔室105。气体供应来源118通过入口126连结至磊晶成长腔100。一开口128相反入口126设置。来自气体供应来源118的混合前驱物130经由入口126流入磊晶成长腔100，并且经由出口128排除在磊晶成长腔100内的气体。气体供应来源118可经由控制器116所控制，控制器116将于后方更详细描述。气体供应来源118可包含多种气体运送元件，例如流量控制器、喷射阀、以及大量流体认证元件(mass flow verification components)。在一示范性实施例中，混合前驱物130可包括多种不同的液体或气体，在混合后于晶圆110的上构成磊晶硅(epitaxial silicon)、多晶硅(polycrystalline silicon,polysilicon)、硅氧化物(silicon oxides)、硅氮化物(silicon nitrides)及其他种类的含硅薄膜(例如：Si、SiGe、SiC或SiGeC等)。在一实施例中，载体气体可包括0.5至50公升氮气或氢气。在一实施例中，制程气体可包括SiH₄、DCS、B₂H₆、PH₃、HCl、GeH₄或MMS(碳来源)。

磊晶成长腔100还包括多种热来源112。在薄膜124热通常为一个整并的元素。混合前驱物130可在热产生时反应，以在晶圆110上形成薄膜124。若热不成比例地供应于磊晶成长腔100内部，接着薄膜124可能不均匀形成在晶圆110上。薄膜124形成不均匀将转变成遍及薄膜124各处厚度上的变异。换句话说，在热应用上的不等可导致薄膜124形成不均匀，于是不同区域的薄膜124会有不同的厚度。薄膜124的不均匀形成以及薄膜124内部厚度上的差异并非所期望的。

热来源112可通过使用电阻加热器、射频感应加热器、灯管、灯管排(lamp banks)及其他相似物而实现。根据一实施例，热来源112可代表着在磊晶成长腔100内有作为加热元件的多个灯管或灯管排。举例而言，热来源112可作为加热支架106、晶圆110、混合前驱物130或薄膜124。

每一热来源112或灯管排可与其他热来源利用一个控制器分开控制，例如显示于图3的控制器116，其步骤将于后方说明更详细描述。

图1显示三个热来源112。然而，本领域技术人员应当理解可存在有较三个多或较三个少的热来源112。在一些实施例中，可存在有一个、两个、三个、四个、五个、六个或更多热来源112。在一示范性实施例中，磊晶成长腔100的热来源112可通过使用两个热来源112(或灯管排)来实现，亦即放置在支架106与上圆顶部102上方的一上热来源112，以及放置在热来源112与下圆顶部104下方的一下热来源112。在另一些实施例中，热来源112可仅放置在支架下或仅放置在支架上。多个热来源112的配置在本领域中已被熟知。每一热来源112或灯管排可负责于加热磊晶成长腔100内部一指定的区带或区域。另外，对应于每一热来源112的指定的区带或区域可个别受到控制。个别控制热来源112允许不同的区带或区域个别被控制，如此以至于精确控制薄膜124制程，以及薄膜124均匀的厚度可较好被实现。

上圆顶部102的壁以及下圆顶部104的壁可以例如石英的透明材质制成。来自热来源112的光线可以通过磊晶成长腔100的石英墙并且直接加热晶圆110与支架106。如此一来，晶圆110上方一侧通过传送自位于晶圆110上方的热来源112的辐射热所加热。晶圆110背面一侧通过传送自受加热的支架106的传导热所加热，而支架106通过传送自位于支架106下方的热来源112的辐射热所加热。

一个反射器122可选择性与磊晶成长腔100而被利用，如图1所示以及如图2中示范性呈现。使用反射器122可帮助散逸出磊晶成长腔100的红外光反射回磊晶成长腔100。反射器122通过保存可能散逸出磊晶成长腔100的热而强化加热效率。反射器122一般包括面对支架106的一反射表面。在一实施例中，反射器122由铝或镀有金属的不锈钢所制成。

在一示范性实施例中，反射器122放置于磊晶成长腔100的上圆顶部102的上方。一个可动式温度感测器，例如一个可动式温度感测器114，可连结至或放置在反射器122一旁。如本领域所知，在可动式温度感测器114之外可在使用额外的温度感测器(图未示)。反射器122包括一窗174，窗174设置在一部分支架106的上方以允许可动式温度感测器114在磊晶成长腔100内部的多种位置进行温度测量。图1描绘窗174的剖面图，然而图2显示窗174的示意表现当窗174相对支架106、晶圆110等设置时。

在一应用有可动式温度感测器114的示范性实施例中，窗174可具有一个矩形的形状，如图1、图2所示，窗174帮助可动式温度感测器114的使用，如此以至于可动式温度感测器114可以获得在磊晶成长腔100内部的多种位置的温度。可动式温度感测器114可操作，以在支架106以及晶圆110在磊晶成长腔100内部旋转时获得多个温度。然而，应当理解的是，在一些实施例中，窗174可具有其他形状，以帮助利用可动式温度感测器114的温度测量。

继续参照图1、图2，可动式温度感测器114详细描述如下。可动式温度感测器114用于监测相对磊晶成长腔100不同部分或位置的温度值。在一些实施例中，监测相对磊晶成长腔100不同部分或位置的温度值允许通过控制器116精确调整磊晶成长腔100内部的温度。精确调整磊晶成长腔100内部的温度可在薄膜124形成于晶圆110时帮助促进薄膜124均匀成长。在一实施例中，可动式温度感测器114可操作以感测介于200摄氏度至1200摄氏度的温度。在其余实施例中，可动式温度感测器114可感测小于设置200摄氏度及大于1200摄氏度的温度。可动式温度感测器114可操作以感测0.1摄氏度内的温度。在一不限定的示范性实施例中，可动式温度感测器114可操作以测量晶圆110上介于300摄氏度至700摄氏度的温度。然而，应当理解的是，晶圆110上小于设置300摄氏度及大于700摄氏度的温度也同样可以被测量。

根据一实施例，可动式温度感测器114可为一高温计(pyrometer)。可动式温度感测器(可动式高温计)114放置在硅晶圆110以及上圆顶部102的上方。在一些实施例中，可动式高温计114放置在反射器112的上方或用其他方式连结至反射器112。然而，在一些实施例中，可动式高温计114可放置在下圆顶部104的下方。在一些方面上，可动式温度感测器(可动式高温计)114连结至磊晶成长腔100。在另一些方面上，可动式高温计114未连结至磊晶成长腔100但用其他方式相对磊晶成长腔放置，如此以至于可动式高温计114可操作以相对磊晶成长腔100移动。可动式高温计114可操作以相对上圆顶部102、支架106、晶圆110、薄膜124或其任一组合移动。

如本领域所知，除了可动式温度感测器114以外额外的可动式温度感测器(图未示)可被使用。在一些实施例中，此额外的感测器可放置在下圆顶部104下方，上圆顶部102上方或其组合。包括可动式温度感测器114的温度感测器可操作以监测磊晶成长腔100内部的温度。在一些实施例中，对晶圆110的多个温度进行测量。在其余实施例中，对薄膜124的温度进行测量。在另一些实施例中，对支架106的温度进行测量。在又一些实施例中，对支架106、晶圆110、薄膜124或其任一组合的温度进行测量。

应当理解的是，虽然图1、图2显示可动式高温计114的位置，显示于图1、图2中可动式高温计114的配置仅作为示范用。本领域技术人员可体现出任何变化、替代及修改。

继续参照图1、图2，其显示一导件(夹具)132可操作的连结至可动式高温计114。导件132挟持可动式高温计114同时导引可动式高温计114的移动。在一非限定示范性实施例中，可动式高温计114在每一方向上移动150mm。在一些实施例中，可动式高温计114在每一方向上可移动小于或大于150mm的距离。在另一些实施例中，可动式高温计114在每一方向上移动的距离取决于支架106的半径、晶圆110的半径、或薄膜124的半径。换言之，可动式高温计114可移动小于、等于或大于支架106的半径、晶圆110的半径、或薄膜124的半径。

在一些实施例中，导件132可操作以导引可动式高温计114在1.5mm的精确度内。如图1、图2所示，导件132对齐径向轴线154并导引可动式高温计114沿径向轴线154。径向轴线154自支架106的中心部分140或自晶圆110的中心部分141向外沿伸。在一实施例中，径向轴线154为固定，如此以至于当支架106以及晶圆110在磊晶成长腔100内部旋转时径向轴线154不致移动。

可动式高温计114可移动式的连结至导件132，以允许可动式高温计114相对磊晶成长腔100以及收容于磊晶成长腔100的内腔室105的内部的元件移动。在一实施例中，导件132相对磊晶成长腔100固定于定位。在一些实施例中，通过固定方式装设导件132至磊晶成长腔100上，导件132相对磊晶成长腔100固定于定位。如图1所示，导件132包括一装设机构135，装设机构135装设导件132至磊晶成长腔100的一部分。本领域技术人员应当理解的事，存在有多种方式装设导件132，于是导件132相对磊晶成长腔100固定于定位。

在此示范性实施例中，导件132位于反射板122以及对应地上圆顶部102上方。在其余实施例中(图未示)，导件132可放置于下圆顶部104的下方。

导件132包括一第一端134及一相对的第二端136。导件132的第一端134靠近支架106的外部分138，且导件132的第二端136靠近支架106的中央部分140。相似的，导件132的第一端134靠近晶圆110的外部分150，且导件132的第二端136靠近晶圆110的中央部分141。

在部分实施例中，导件132还包括一轨道或一槽142形成在导件132的底部148。槽142可收纳地挟持可动式高温计114或以其他方式连结至可动式高温计114，同时允许可动式高温计114在槽142内部或沿着槽142移动。在一实施例中，槽(轨道)142包括导引可动式高温计114移动的元件(图未示)。控制器116可控制或使可动式高温计114在槽142内部或沿着槽142移动。

槽142延伸于导件132的第一端134与导件132的第二端136之间。在一实施例中，槽142对齐于径向轴线154。槽142具有的一第一端144以及一相对的第二端146。可动式高温计114可操作以来回移动于槽142的第一端144与第二端146之间。在一实施例中，控制器116决定并控制可动式高温计114在槽142内部或沿着槽142的位置。在一实施例中，可动式高温计114的位置传送至控制器116成为回馈网络的部分，如图3所示。

在一实施例中，槽142的第一端144靠近晶圆110的外部分150。在另一实施例中，槽142的第一端144靠近支架106的外缘176。在一些实施例中，槽142的第一端144与晶圆110的外部分150或者支架106的外缘176相隔。

在一实施例中，导件132的底部148实质平行于支架106。在一些实施例中，导件132由合金钢所构成。

参照图2并搭配参考图1，可动式高温计114显示于三个示范性位置上，当可动式高温计114根据沿着导件132的槽142的箭头168来回移动时。在第一位置160，可动式高温计114可操作以获得相对晶圆110的中心部分141的温度读数。在第二位置162，可动式高温计114可操作以获得相对晶圆110的中间部分137的温度读数。在第三位置164，可动式高温计114可操作以获得相对晶圆110的外部分150的温度读数。第一、第二及第三部分160、162、164仅表示数个可动式高温计114沿着槽142的位置。并且，第一、第二及第三部分160、162、164可相对于支架106的中心部分、中间部分、与外部分，或者可相对于薄膜124的中心部分、中间部分、与外部分。

操作时，可动式高温计114在槽142内部或沿着槽142并沿着径向轴线154来回移动。在部分实施例中，可动式高温计114以1m/s至10m/s的速度来回移动。在一实施例中，可动式高温计114以5m/s的速度来回移动。可动式高温计114可以小于1m/s或者大于10m/s的速度来回移动。当可动式高温计114来回移动时，支架106以及晶圆110在磊晶成长腔100内部旋转。在一些实施例中，支架106以及晶圆110以1rpm至100rpm的速度旋转。在一实施例中，支架106以及晶圆110以30rpm的速度旋转。支架106以及晶圆110可以小于1rpm或大于100rpm的速度旋转。当支架106以及晶圆110旋转时，来回移动可动式高温计114于晶圆110的中心部分141或晶圆110的中心172至晶圆110的外部分150，允许可动式高温计114沿着晶圆110的表面156或者薄膜124的表面测量温度。换言之，可动式高温计114穿过晶圆110的表面156或者薄膜124的表面收集热数据(thermal data)(温度数据点)158或者，以允许控制器116产生薄膜124的热像图(thermal profile)。在一实施例中，热数据158包括温度数据以及对应于温度数据的位置数据。热数据158可对应多个温度至在晶圆110或薄膜124上的多个特定地点。

至少根据一部分收集来自可动式高温计114的热数据158，控制器116可在磊晶成长腔100的内部实时形成一薄膜124的温度分布图(thermal distribution contour or mapping)或者地图(mapping)166，如图4所示。在另一些实施例中，温度分布图166可利用来自可动式高温计114的热数据158以及来自包括其他多个温度感测器的其他多个感测器的数据而形成。当支架106以及晶圆110旋转时，通过来回移动可动式高温计114于晶圆110的中心部分141至晶圆110的外部分150，可动式高温计114相较可动式高温计114若处于固定的状态可在一个旋转周期产生超过两百倍的数据。在一些实施例中，可动式高温计114每秒可收集10000数据点(热数据158)。温度分布图或者地图166可用于决定在薄膜124上多个位置的厚度152，亦即可以产生一个三维的地形，此地形在不同位置表明薄膜124的厚度。

参照图3、图5并继续搭配参考图1、图2、图4，控制器116详细描述如下。在一实施例中，控制器116可实时动态调整温度，于是导致薄膜124上特定地点的薄膜的厚度152可进行调整，以产生一致的厚度遍布薄膜124。控制器116可基于热数据158或温度分布图166而执行此上述操作。

根据一实施例，可动式高温计114提供充分的数据，例如在晶圆110或薄膜124上的特定地点的温度至控制器116，以形成如图4所示的温度分布图166。在一实施例中，控制器116调整温度分布，亦即调整在磊晶成长腔100内部多个位置的温度，以协助薄膜124形成一致的厚度。在一实施例中，控制器116调整在磊晶成长腔100特定位置的温度通过改变每个热来源112之间的电功率输出(power output)而实现，并且可进一步改变不同热来源112之间的电功率输出比。在另一实施例中，控制器116可通过改变气体供应来源118的电功率输出，以改变混合前驱物130喷射至内腔室105并沿着支架106或晶圆110的量进而调整温度分布的。在一些实施例中，可操控的压力范围介于1至600torr之间。在一实施例中，流速可介于10至1000sccm之间。

控制器116可使用回馈网络120以决定相对特定热来源112的多个区域的温度。基于传送自动式高温计114、多个热来源112或者气体供应来源118的回馈，控制器116可调整参数170以改变磊晶成长腔100的环境。在一示范性实施例中，控制器116可在检测到相对于各个热来源112的区域的温度低于一个既定设定温度时，指示一特定热来源112提供更多电功率以及辐射能输出。相似的，控制器116可在检测到相对于各个热来源112的区域的温度高于一个既定设定温度时，指示特定热来源112切断电功率以及辐射能输出。在一实施例中，控制器116可操作以调整喷射在支架106或者晶圆110的混合前驱物130的流量。

图5显示控制器116的一个实施例，控制器116可利用以控制如图3所示的可动式高温计114、热来源112、以及气体供应来源118(收容有混合前驱物130)。控制器116可为任何形式的电脑处理器，此电脑处理器可用在工业设定中以控制加工机构，或者可为一般功能电脑平台，该电脑平台受编程供此类控制。在一实施例中，控制器116可包括一处理单元202，例如一台式电脑、一工作台、一手提电脑或一客制化作为特定应用的专用单元(dedicate unit)。控制器116可配备有一显示器204以及一或多个I/O元件206，例如多个指示输出、多个感测输入、一鼠标、一键盘、一印表机或所述组合或相似物。处理单元202可包括一中央处理器(CPU)208、存储器210、大容量存储器(mass storage device)212、影像转接器214及连结至一总线218的I/O接口216。

总线218可为多种总线结构的任一或多种形式，包括一存储器总线或者存储器控制器、一周边总线或者影像总线。中央处理器208可包括任何形式的电子数据处理器，并且存储器可包括任何形式的系统存储器，例如随机存取存储器(static random access memory,SRAM),动态随机存取记忆(dynamic random access memory,DRAM)或者只读存储器(read-only memory,ROM)。大容量存储器212包括可经由总线218读取的任何用于储存数据、程序及其他信息或制造数据、程序及其他信息的储存装置。大容量存储器212可包括例如一或多个硬盘驱动装置、磁盘驱动装置或一光盘驱动装置。

影像转接器214以及I/O接口216提供接口以连结外部输入及输出装置至处理单元202。如图5所示，输入及输出装置的例子包括连结至影像转接器214以及I/O接口216的显示器204，及连结至I/O接口216像是鼠标、键盘、印表机或其他相似的物。其余装置可连结至处理单元202以及其余或者更少接口卡可被使用。举例而言，一串行的接口卡(serial interface card)(图未示)可被使用以提供一串行的接口(serial interface)供印表机。处理单元202亦可包括一网络接口220以有线连结至一区域网络(local area network,LAN)或者一广域网络(wide area network,WAN)222以及/或者一无线连结。

应当理解的是控制器116可包括其他元件。举例而言，控制器116可包括电源供应器、电线、主机板、可移除式储存媒体、多个壳体、以及其他相似物。这些其于元件，虽然并未显示于图5，但视为控制器116的一部分。

在操作上，一示范性制程用以形成一薄膜124的温度分布图166的步骤包括旋转将会有薄膜124形成于其上的支架106；分配混合前驱物130至支架106以形成薄膜124；以及利用可动式高温计114测量薄膜124上多个位置的多个温度。可动式高温计114可操作以沿着径向轴线154移动，径向轴线154延伸大约在晶圆110的中心部分141与晶圆110的外部分150之间。上述制程可还包括一控制器116接收多个温度并决定薄膜124的厚度变异轮廓(thickness variation profile)。

在操作上，一示范性方法以动态调整薄膜124的厚度以及磊晶成长腔100被提出。上述方法包括沿着径向轴线154来回移动可动式高温计114，可动式高温计114可相邻磊晶成长腔100放置；旋转将会有薄膜124形成于其上的支架106；当可动式高温计114来回移动时测量晶圆110或薄膜124上多个位置的温度。上述方法还包括在薄膜124形成后，形成一薄膜124的温度分布(temperature profile)166；以及根据温度分布166决定在薄膜124内的厚度变异量，并调整一既定变异数以调整薄膜124的厚度。在部分实施例中，上述既定变异数为增加来自热来源112的热。在一些其余实施例中，上述既定变异数为用于形成薄膜124的混合前驱物130的流速。

于此公开的实施利用于实时监测薄膜124成长均匀度。根据薄膜124厚度的测量，实时或非实时，晶圆110或薄膜124上特定位置的厚度可被调整，以产生均匀厚度遍及整个薄膜124各处。沿着一部分的晶圆110来回移动可动式高温计114允许遍及薄膜124的表面156的各处的温度的动态监测。

以上虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，对本公开可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的制程、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本公开中理解，根据本公开，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本公开所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的制程、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些制程、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本公开的范围内。