处理系统及用于工艺腔室中的基板载体的制作方法

文档序号:10101957阅读:486来源:国知局
处理系统及用于工艺腔室中的基板载体的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开案的实施方式一般涉及一种永磁掩膜夹盘,并且更具体而言,涉及一种适用于垂直和其他处理系统中的永磁掩膜夹盘。
【背景技术】
[0002]出于众多原因使用利用有机材料的光电装置。许多用于制造这种装置的材料是相对便宜的,所以有机光电装置与无机装置相比在成本优势方面具有潜能。此外,有机材料的固有特性(如柔性)可用于特定应用,如用于柔性基板上的沉积或形成。有机光电装置的实例包括有机发光装置(organic light emitting devices ;0LEDs)、有机光电晶体管、有机光伏电池和有机光电检测器。
[0003]对于0LED,有机材料被认为与其他材料相比具有性能优势。例如,一般可用适宜的掺杂物轻易调谐有机发光层发光的波长。0LED利用跨装置施加电压时发光的薄有机膜。0LED正在成为用于如平板显示器、照明和背光等应用中的日益引人关注的技术。
[0004]通常使用机械力将基板以及精制金属掩膜固持在基板支撑件上。其他用于在处理期间固持基板和掩膜的机械接触可常因施加高机械力而造成基板损坏。进一步施加机械力以在处理期间将精制金属掩膜固持在适当位置中。其他机械载体一般在边缘处固持基板,因此在基板边缘处产生高度集中的物理接触,以便确保施加足够夹紧力来稳固地拾取基板。集中于基板边缘处的这种机械接触不可避免地产生接触污染或物理损坏,使基板不当地劣化。
[0005]较新的处理系统已并入用于夹持基板的替代机构以避免上述损坏,如使用静电力将基板固持在适当位置中。静电力可在处理期间将基板有效地固持在适当位置中,同时最小化系统的金属部件与基板之间的接触。然而,用于夹持基板的静电力无法同时将掩膜有效地夹持在适当位置中。
[0006]因此,需要一种用于在处理系统中独立于基板定位掩膜的方法和设备。
【实用新型内容】
[0007]一种适用于处理系统中的基板载体,所述基板载体包括永磁掩膜夹盘。永磁掩膜夹盘被配置以产生磁性夹持力用于将精制金属掩膜紧固在基板和基板载体上方的适当位置中。可关联支撑基座独立定位永磁掩膜夹盘。
[0008]在一个实施方式中,描述一种处理系统。处理系统可包括工艺腔室,所述工艺腔室被配置以在基板上沉积材料。处理系统可进一步包括定位于工艺腔室中的永磁掩膜夹盘。永磁掩膜夹盘可包括定位装置和多个耦接至定位装置的永磁体,所述定位装置被配置以控制提供给掩膜的磁力量值,以使得将掩膜磁性夹持在基板上方的适当位置中。
[0009]在另一实施方式中,描述一种用于工艺腔室中的基板载体。基板载体可包括支撑基座,所述支撑基座被配置以移动进出工艺腔室。支撑基座可包括基板支撑表面和电极组件,所述电极组件可操作以将基板静电夹持至基板支撑表面。基板载体可进一步包括耦接至支撑基座的永磁掩膜夹盘。永磁掩膜夹盘可包括:夹盘主体,所述夹盘主体具有第一壁和第二壁,所述第一壁靠近支撑基座且所述第二壁远离支撑基座;多个定位于夹盘主体中的永磁体,所述永磁体具有磁场;和定位装置,以独立于支撑基座移动永磁掩膜夹盘。
[0010]在另一实施方式中,描述一种用于在工艺腔室中夹持掩膜的方法。所述方法可包括将安置于基板载体的基板支撑表面上的基板移送到工艺腔室中。随后,可朝向基板支撑表面移动磁性夹盘,以使得磁性夹盘的多个永磁体将掩膜夹持至安置于基板载体上的基板。随后可透过掩膜将一层沉积在基板上。
【附图说明】
[0011]因此,为可详细理解本公开案的上述特征结构,可参照实施方式对上文简要概述进行更详细描述,其中一些实施方式示出于附图中。然而,应注意,附图仅示出本公开案的典型实施方式,并且因此这些附图不欲视为本公开案范畴的限制,因为本公开案可允许其他同等有效的实施方式。
[0012]图1A至图1D示出示意图,所述示意图图示根据本文描述的实施方式与磁性夹持组件一起使用的有机材料的蒸发源;
[0013]图2示出根据本文描述的实施方式具有磁性夹持组件的沉积设备的示意性俯视图;
[0014]图3描绘根据一实施方式具有整合静电夹盘的基板载体的一个实施方式的分解图;
[0015]图4A描绘根据一实施方式具有永磁掩膜夹盘的夹持组件;以及
[0016]图4B至图4E描绘根据本文描述的实施方式的永磁掩膜夹盘。
[0017]为了促进理解,在可能的情况下,相同元件符号已用于指代诸图共用的相同元件。应设想,一个实施方式中的元件和特征结构可有利地并入其他实施方式而无需赘述。
【具体实施方式】
[0018]本公开一般涉及一种永磁掩膜夹盘以及适用永磁掩模夹盘的方法。可将永磁掩膜夹盘整合至工艺腔室中或工艺腔室中所使用的基板载体中。通过合并一系列永磁体,可以受控方式将掩膜夹持在基板上方的适当位置中。
[0019]图1A至图1D示出根据本文描述的实施方式在真空腔室110中相对于第一掩膜132a和第二掩膜132b的各种位置中的蒸发源100。通过箭头101B、101C和101D指示蒸发源100在不同位置之间的移动。图1A至图1D示出具有蒸发坩祸104和分配管106的蒸发源100。通过支撑件102支撑分配管106。此外,根据一些实施方式,还可通过支撑件102支撑蒸发坩祸104。在真空腔室110中提供基板(例如,第一基板121a和第二基板121b)。通过各自的基板载体(例如,第一基板载体150a和第二基板载体150b)支撑和夹持第一基板121a和第二基板121b,下文参看图3更详细地描述。在基板121与蒸发源100之间提供第一掩膜132a和第二掩膜132b。通过各自的掩膜夹持组件(例如,第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b)夹持第一掩膜132a和第二掩膜132b,下文参看图4A至图4E更详细地描述。如图1A至图1D所示,从分配管106中蒸发有机材料以在基板上沉积一层。第一掩膜132a和第二掩膜132b在层沉积期间遮罩基板。这通过元件符号10指示。
[0020]在图1A中,蒸发源100被示出处于第一位置中,其中第一基板载体150a和第二基板载体处于启动状态。如图1B所示,第一基板载体150a具有夹持于适当位置中的第一基板121a。通过第一掩膜夹持组件151a将图示定位于第一基板121a上方的第一掩膜132a夹持至第一基板121a的适宜部分上方的适当位置中。在第一掩膜132a处于适当位置中的情况下,通过蒸发源的平移运动(如箭头101B所指示)使真空腔室110中的第一基板121a沉积有一有机材料层。在透过第一掩膜132a使第一基板121a沉积有所述有机材料层的同时,可交换第二基板121b (例如,图1A至图1D中右侧的基板)。图1B示出用于第二基板121b的第二传送轨道124b。由于在图1B中第二基板121b并未处于适当位置中,未启动第二基板载体150b和第二掩膜夹持组件151b用于夹持。在使第一基板121a已沉积有有机材料层后,如图1C中的箭头101C所指示旋转蒸发源100的分配管106。
[0021]在第一基板121a上沉积有机材料期间,随后将第二基板121b夹持至第二基板载体150b。关于第二基板定位和对齐第二掩膜132b,继之以在第二基板121b上方将第二掩膜132b夹持至第二掩膜夹持组件151b。因此,在图1C中所示的旋转之后,可透过第二掩膜132b使第二基板121b涂覆有一有机材料层,如箭头101D所指示。在使第二基板121b涂覆有有机材料的同时,可从第一掩膜夹持组件151a上卸除第一掩膜132a。在第一掩膜132a为卸除的情况下,可随后从腔室中移除第一基板121a,以便从第一基板载体150a卸除。图1D示出第一基板121a的位置中的第一传送轨道124a。
[0022]根据本文描述的实施方式,在大体垂直位置中使第一基板121a和第二基板121b涂覆有有机材料。也就是说,图1A至图1D所示的视图是包括蒸发源100的设备的俯视图。分配管可以是蒸汽分配淋喷头,具体而言是直线蒸汽分配淋喷头。因此,分配管提供基本上垂直延伸的线源。根据可与本文描述的其他实施方式组合的本文描述的实施方式,当提及基板定向时,将基本上垂直特定理解为允许与垂直方向10°或以下的偏差。可提供这个偏差,因为与垂直定向具有一些偏差的基板载体可能产生更稳定的基板位置。然而,有机材料沉积期间的基板定向被认为是基本上垂直的,这被认为是与水平基板定向不同。因此,通过对应于一个基板维度的一个方向上延伸的线源和沿对应于另一基板维度的另一方向的平移运动涂覆基板表面。此外,虽然参看示例性垂直工艺腔室的垂直位置进行描述,但是这种配置和/或腔室并非意在限制。本文描述的
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