实施方式同等适用于水平腔室或可处理更多或更少基板的腔室。
[0023]本文描述的实施方式具体而言涉及有机材料的沉积，例如用于0LED显示器制造和在大面积基板上。根据一些实施方式，大面积基板或支撑一或更多个基板的载体(即，大面积载体)可具有至少0.174m2的尺寸。载体尺寸可为约1.4m2至约8m2，如约2m2至约9m2或甚至高达12m2。支撑基板的长方形面积可以是具有本文描述的大面积基板尺寸的载体，针对所述长方形面积提供根据本文描述的实施方式的固持排列、设备和方法。例如，将对应于单个大面积基板面积的大面积载体可以是对应于约1.4m2基板(1.lmX 1.3m)的GEN
5、对应于约 4.29m2基板(1.95mX2.2m)的 GEN 7.5、对应于约 5.7m2基板(2.2mX 2.5m)的GEN 8.5或甚至对应于约8.7m2基板(2.85mX 3.05m)的GEN 10。可类似地实施甚至更大的一代(如GEN 11和GEN 12)和相应基板面积。根据可与本文描述的其他实施方式组合的典型实施方式，基板厚度可为0.1至1.8mm，并且固持排列且具体而言是固持装置可适用于这些基板厚度。然而，具体而言，基板厚度可为约0.9mm或以下(如0.5mm或0.3mm)，并且固持排列且具体而言是固持装置适用于这些基板厚度。基板可由任何适合于材料沉积的材料制成。例如，基板可由一材料制成，所述材料选自由玻璃(例如，钠I丐玻璃、硼娃酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、化合物材料、碳纤维材料或可通过沉积工艺涂覆的任何其他材料或材料组合组成的群组。
[0024]根据本文描述的实施方式，第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b采用永磁体，以允许独立夹持和卸除掩膜(例如，第一掩膜132a和第二掩膜132b)，而不影响夹持各自的基板(第一基板121a和第二基板121b)。此外，根据本文描述的实施方式的掩膜夹持组件可最小化和减小0LED显示器制造期间基板与掩膜之间的接触力。可将第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b整合至工艺腔室中或与基板载体整合。可整合至工艺腔室中的实施方式包括参看图4A至图4D描述的实施方式。可与基板载体整合的实施方式包括参看图4E描述的实施方式。
[0025]图2示出根据一个实施方式用于在真空腔室240中沉积有机材料的沉积设备200的实施方式，所述真空腔室包括第一基板载体150a、第二基板载体150b、第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b。在真空腔室240中的轨道或直线导向装置224上提供蒸发源230。直线导向装置224被配置用于蒸发源230的平移运动。因此，根据可与本文描述的其他实施方式组合的不同实施方式，可在蒸发源230中、在轨道或直线导向装置224处、在真空腔室240内或上述的组合中提供用于平移运动的驱动器。图2示出阀205，例如栅阀。阀205允许与相邻真空腔室(图2中未示出)的真空密封。可打开阀以便将多个基板(此处图示为基板121a和121b)或多个基板的一或更多个掩膜(此处图示为掩膜132a和132b)传送至真空腔室240中或从真空腔室240中传送出来。
[0026]根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，与真空腔室240相邻提供另一真空腔室(如维护真空腔室210)。因此，真空腔室240与维护真空腔室210与阀207连接。阀207被配置用于打开和关闭真空腔室240与维护真空腔室210之间的真空密封。在阀207处于打开状态下时，可将蒸发源230移送至维护真空腔室210。此后，可关闭阀，以提供真空腔室240与维护真空腔室210之间的真空密封。如果关闭阀207，那么可使维护真空腔室210通气并打开，以便维护蒸发源230而无需破坏真空腔室240中的真空。
[0027]可在真空腔室240内的各自传送轨道上支撑两个基板121a和121b。此外，可提供用于提供掩膜132a和132b的两个轨道。因此，可通过各自的掩膜132a和132b遮罩基板121a和121b的涂层。根据典型实施方式，在掩膜框架131a和131b中提供掩膜132a和132b，以将掩膜132a和132b固持在预定位置中。使用第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b将掩膜132a和132b夹持至基板121a和121b上方的适当位置中。第一基板载体150a、第二基板载体150b、第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b可独立操作，以夹持基板121a和121b以及掩膜132a和132b，以使得可在基板121a和121b上方定位掩膜132a和132b，而不影响基板121a和121b的定位，并且对掩膜132a和132b没有机械控制。
[0028]根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，可通过第一基板载体150a和第二基板载体150b支撑基板121a和121b，这些基板载体被连接至各自的对齐单元212a和212b。对齐单元212a和212b可调整基板121a和121b相对于掩膜132a和132b的位置。图2示出将第一基板载体150a和第二基板载体150b连接至对齐单元212a和212b的实施方式。因此，相对于掩膜132a和132b移动基板121a和121b，以便在有机材料沉积期间提供基板121a和121b与掩膜132a和132b之间的适当对齐。根据可与本文描述的其他实施方式组合的另一实施方式，替代地或另外，可将掩膜132a和132b和/或固持掩膜132a和132b的掩膜框架131a和131b连接至对齐单元212a和212b。因此，可相对于基板121a和121b定位掩膜132a和132b，或者掩膜132a和132b与基板121a和121b可都相对于彼此定位。被配置用于相对于彼此调整基板121a和121b与掩膜132a和132b之间的相对位置的对齐单元212a和212b允许在沉积工艺期间掩膜的适当对齐，这种适当对齐有益于高质量或LED显示器制造。
[0029]掩膜与基板相对于彼此对齐的实例包括对齐单元，所述对齐单元允许限定一平面的至少两个方向上的相对对齐，所述平面基本上平行于基板平面和掩膜平面。例如，至少可在X方向和y方向(即，限定上述平行面的两个笛卡尔方向)上进行对齐。掩膜和基板可基本上平行于彼此。具体而言，可在基本上垂直于基板平面和掩膜平面的方向上进一步进行对齐。因此，对齐单元被配置至少用于X-Y对齐，并且具体而言用于掩膜与基板相对于彼此的X-Y-Z对齐。可与本文描述的其他实施方式组合的一个具体实例将在X方向、y方向和z方向上对齐基板与掩膜，所述掩膜可被静态固持于真空腔室240中。
[0030]如图2所示，直线导向装置224提供蒸发源230的平移运动的方向。在蒸发源230的两侧上提供掩膜132a和132b。因此，掩膜132a和132b可基本上平行于平移运动的方向延伸。此外，蒸发源230相对侧上的基板121a和121b也可基本上平行于平移运动的方向延伸。根据典型实施方式，可通过阀205将基板121a和121b移动至真空腔室240中和从真空腔室240中移出。因此，沉积设备200可包括用于传送每个基板121a和121b的各自传送轨道。例如，传送轨道可平行于图2所示的基板位置延伸，并进出真空腔室240。
[0031]通常，提供另外的轨道用于支撑掩膜框架131a和131b，并且因此支撑掩膜132a和132b。因此，可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式可在真空腔室240内包括四个轨道。为了从腔室中移出掩膜132a和132b中的一个，例如以便清洁掩膜，可将掩膜框架131a和131b且因此掩膜移动至基板121a和121b的传送轨道上。各自的掩膜框架可随后在基板的传送轨道上退出或进入真空腔室240。尽管本可能为掩膜框架131a和131b提供进出真空腔室240的独立传送轨道，但是如果仅两个轨道(S卩，基板的传送轨道)延伸进出真空腔室240，并且另外可通过适宜致动器或机器人将掩膜框架131a和131b移动至基板的传送轨道中的相应者上，那么可减少沉积设备200的所有权成本。
[0032]一旦掩膜132a和132b与基板121a和121b彼此对齐定位，第一掩膜夹持组件151a和第二掩膜夹持组件151b可使得掩膜132a和132b靠近基板121a和121b。在沉积工艺期间，正在基板121a和121b处推进来自蒸发源230的有机材料。透过掩膜132a和132b中的构成将这种有机材料沉积在基板121a和121b中。所述构成提供基板121a和121b上的沉积材料的后续形状。如果定位掩膜132a和132b距离基板121a和121b太远，那么透过掩膜132a和132b中的构成将不精密地沉积有机材料，从而导致最终产品的低分辨率或故障。如果掩膜132a和132b与