一种基板的导通工艺方法
【专利摘要】本发明公开了一种基板的导通工艺方法，该方法首先提供具有第一及第二表面的绝缘基板，并于该绝缘基板的第二表面上形成绝缘胶膜，接着，形成贯穿该绝缘基板及绝缘胶膜的通孔，并于该绝缘胶膜上形成覆盖该通孔的导电箔片，最后，于该导电箔片及该第二表面上形成遮蔽材料，并借由该导电箔片于该通孔中进行电化学沉积，以于该通孔中填满导电材质。本发明的基板的导通工艺方法，可避免在通孔的导电材质中产生孔隙，并可有效降低金属线路层的热阻，提高其面积利用率。
【专利说明】一种基板的导通工艺方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种基板的导通工艺方法，尤其涉及一种于基板的通孔中填入导电材质的导通工艺方法。
【背景技术】
[0002]要于基板的通孔中形成导电结构，通常使用电镀填孔技术，如中国台湾第540279号专利说明书所示，先在基板上形成通孔，并以溅镀的方式于基板整体表面上形成导电层，接着，再于基板的通孔及表面实施电镀工艺，并贴上干膜以进行微影工艺，然后，再以电镀步骤将导电材质充填于通孔中，该电镀步骤同时于基板表面形成所需的金属线路层，最后，再进行去膜、蚀刻、及完成封装等步骤。
[0003]然而，该些现有的电镀填孔技术主要是于通孔中，从通孔的侧壁向着通孔的中心填满导电材质，并不易将通孔完整地填满，因此，通孔中的导电材质会具有一定数量的孔隙，而该些孔隙会造成整体的电阻值上升，降低电讯号的传导效率。更甚者，于高温环境中，孔隙中的空气会膨胀，因而产生爆孔等严重缺陷。
[0004]此外，现行实施的电镀工艺中，在基板的表面与通孔的周围部份，也会同步沉积有导电材质，并借此形成金属线路层，但为了尽量降低前述孔隙的产生，表面的金属线路层常常过厚，使产品的整体厚度超过预定的规格，因此在垂直基板方向上也增加了热阻。
[0005]另外，基板表面的金属线路层也存在平整度不足的缺陷，基板表面于通孔处或靠近通孔处的金属线路层中会产生凹穴，而凹穴会成为后续固晶程序的障碍。现行的解决方案是采用避开凹穴的方式进行固晶，但是，此方案也减少了基板表面的有效面积利用率，也对产能及成本造成影响。
[0006]因此，提出一种可解决上述现有方法所产生问题的基板的导通工艺，成为本领域技术人员的主要课题。
【发明内容】
[0007]本发明的主要目的之一在于提供一种基板的导通工艺方法，以避免现有技术在通孔的导电材质中产生孔隙的缺陷。
[0008]为了达到上述目的及其它目的，本发明提供一种基板的导通工艺方法，包括:提供一具有一第一表面及相对的一第二表面的绝缘基板，并于该绝缘基板的该第二表面上形成一绝缘胶膜；形成一贯穿该绝缘基板及该绝缘胶膜的通孔，并于该绝缘基板上形成一覆盖该通孔的导电箔片；于该导电箔片及该第二表面上形成一遮蔽材料，并借由该导电箔片于该通孔中进行电化学沉积，以于该通孔中朝该第一表面的方向填满一导电材质。
[0009]其中，该方法包括依序移除该遮蔽材料、该导电箔片及该绝缘胶膜，并于该第一及第二表面进行平坦化处理，以使该导电材质与该第一及第二表面齐平的步骤。
[0010]其中，该方法包括于该第一及第二表面上形成与该导电材质电性连接的金属线路层的步骤。[0011]其中，于该通孔中填满导电材质的步骤，是指于该通孔中，以该导电箔片为起点并朝向该第一表面的方向等向而均勻地沉积该导电材质。
[0012]其中，该绝缘基板为氮化铝基板或氧化铝基板。
[0013]其中，该绝缘胶膜为抗酸的压克力热固胶膜。
[0014]其中，该导电箔片为导电铜片。
[0015]其中，该遮蔽材料为抗镀胶带或垫圈。
[0016]其中，该导电材质为铜质材料。
[0017]其中，该通孔的孔径大于300um。
[0018]相较于现有技术，本发明所提供的工艺能借由形成于绝缘胶膜并覆盖通孔的导电箔片而于基板的通孔中进行电化学沉积，进而于该通孔中纵向地填满导电材质，所以，不会产生现有工艺中的孔隙缺陷。此外，由于本发明能于填满导电材质后再进行平坦化处理，以形成与通孔中的导电材质电性连接的金属线路层，所以，该金属线路层也不会过厚或具有凹穴，可有效降低热阻及提高面积利用率。
[0019]以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1A至图1K用于绘示本发明的基板的导通工艺方法的步骤流程图。
[0021]其中，附图标记:
[0022]1:绝缘基板 10:第一表面
[0023]11:第二表面 2绝缘胶 膜
[0024]3:通孔4:导电箔片
[0025]5:遮蔽材料 6:导电材质
[0026]7:金属线路层 8:金属线路层。
【具体实施方式】
[0027]以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可借由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。而本发明也可借由其它不同的具体实施例加以施行或应用。
[0028]请依序参考图1A至图1K，以了解本发明提供的基板的导通工艺方法。
[0029]如图1A及图1B所示，提供具有第一表面10及第二表面11的绝缘基板1，并于第二表面11上形成绝缘胶膜2，其中，绝缘基板I可为氮化铝基板或氧化铝基板。
[0030]如图1C及图1D所示，形成贯穿绝缘基板I及绝缘胶膜2的单一个或多个通孔3，并于绝缘胶膜2上形成覆盖住通孔3的导电箔片4，其中，绝缘胶膜2可为抗酸的压克力热固胶膜，导电箔片4可为导电铜片，而通孔3的孔径可大于300um。
[0031]如图1E及图1F所不，于导电箔片4及第二表面11上形成遮蔽材料5,并借由导电箔片4于通孔3中进行电化学沉积，以于通孔3中朝第一表面10的方向(纵向)填满导电材质6，其中，遮蔽材料5可为抗镀胶带或垫圈，导电材质6可为铜质材料。上述于通孔3中填满导电材质6的步骤，是指于通孔3中，以导电箔片4为起点朝向第一表面10等向而均匀地沉积上导电材质6，以使导电材质6填满通孔3。[0032]具体言之，于通孔3中进行填孔时，导电材质6以“第二表面11至第一表面10”的方向，等向且均匀地予以沉积，故通孔3内的导电材质6可形成为致密而扎实的结构，以能有效且完整地填满通孔3，因此不会产生现有技术中的孔隙缺陷，进而能避免产生现有技术的电阻值过高及爆孔等严重问题。
[0033]此外，本发明还可于完成前述填孔作业后，选择性地依序进行如图1G至图1K的工艺。
[0034]如图1G至图1J所示，先后移除遮蔽材料5、导电箔片4及绝缘胶膜2，并于第一表面10及第二表面11分别或同时进行平坦化处理，以去除导电材质6突出于通孔3的部份，并与第一表面10及第二表面11齐平，同时，也可对第一表面10及第二表面11进行平整化。本发明可借由刷磨处理或喷沙处理以完成平整化，以将超出第一表面10及第二表面11的平面的多余的导电材质6去除。
[0035]如图1K所不,可于第一表面10及第二表面11分别形成与通孔3中的导电材质6的两端电性连接的金属线路层7、8，其中，可运用现有的相关技术来完成，例如运用微影技术形成特定的模造图案，或运用电化学技术以形成金属线路层，为简化说明，将不再赘述。
[0036]由此可知，本发明可在于通孔中填满了导电材质后，才继续于基板的表面进行线路层的制作，借由将填孔工艺与表面的金属线路层分开制作，可进一步避免整体厚度超过预定的需求，进而减少热阻。同时，因基板的表面及导电材质已一并完成平整化，所以金属线路层中也不致形成凹穴，从而能用以固晶的面积也能有效增加。
[0037]此外，由于本发明可提供孔径大于300um的通孔3，故于通孔3中填满导电材质6后，能形成大面积的导通孔，相较于现有技术中孔径至多为150um的导通孔，按面积换算阻值后，本发明的导通孔能等同于四个现有的导通孔，在使用设计上，激光加工的工时会因此缩减，进一步降低基板的制作成本。
[0038]另外，由于本发明可制作大孔径的导通孔，且金属线路层并没有产生凹穴，所以还能另外适用于导通孔中制作散热通孔(Thermal Via)的技术。
[0039]当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种基板的导通工艺方法，其特征在于，包括: 提供一具有一第一表面及相对的一第二表面的绝缘基板，并于该绝缘基板的该第二表面上形成一绝缘胶膜； 形成一贯穿该绝缘基板及该绝缘胶膜的通孔，并于该绝缘胶膜上形成一覆盖该通孔的导电箔片；以及 于该导电箔片及该第二表面上形成一遮蔽材料，并借由该导电箔片于该通孔中进行电化学沉积，以于该通孔中朝该第一表面的方向填满一导电材质。
2.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该方法还包括移除该遮蔽材料、该导电箔片及该绝缘胶膜，并于该第一及第二表面进行平坦化处理以使该导电材质与该第一及第二表面齐平的步骤。
3.根据权利要求2所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该方法还包括于该第一及第二表面上形成与该导电材质电性连接的金属线路层的步骤。
4.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，于该通孔中填满该导电材质的步骤，是指于该通孔中，以该导电箔片为起点并朝向该第一表面的方向等向而均匀地沉积该导电材质。
5.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该绝缘基板为氮化铝基板或氧化铝基板。
6.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该绝缘胶膜为抗酸的压克力热固胶膜。
7.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该导电箔片为导电铜片。
8.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该遮蔽材料为抗镀胶带或垫圈。
9.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该导电材质为铜质材料。
10.根据权利要求1所述的基板的导通工艺方法，其特征在于，该通孔的孔径大于300umo
【文档编号】H05K3/42GK103429011SQ201210247916
【公开日】2013年12月4日 申请日期:2012年7月17日 优先权日:2012年5月24日
【发明者】魏石龙, 萧胜利, 何键宏, 林源强, 郭振胜 申请人:光颉科技股份有限公司