对制备led用pcb基板的清洗工艺的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种对PCB线路板的预处理工艺，具体涉及一种对制备LED用PCB基 板的清洗工艺。
【背景技术】
[0002] 现有技术中，在装配LED时，对PCB基板的预处理过于简单，通常是通过目测来判 断表面是否有灰尘或杂质，或者仅是通过简单的气体进行吹扫，对表面的清洗十分粗略。但 其实PCB线路板表面的整洁对装配电子元器件有着重要的影响，它虽然不会对产品的能否 使用带来多严重的影响，但是装配工艺效果的好坏从长期看来会影响产品的使用寿命或是 产品在极端状态的运行稳定性。因此，尽可能地除尽PCB基板表面的杂质，保证PCB板表面 的洁净度对整个装配工艺而言是非常有意义的。
【发明内容】
[0003] 针对现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种对制备LED用PCB基板的 清洗工艺，其能够对PCB板表面可能携带的杂质进行有效洗除，并能够在不伤害PCB板表面 原有线路结构的基础上，有效保证线路板的洁净度。
[0004] 本发明的技术方案概述如下：
[0005] -种对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其依次包括以下步骤：1)盐液洗涤；2)酸 液洗涤；3)碱液洗涤；4)去离子水水洗；5)紫外烧灼；6)热风烘干；7)冷风冷却；其中，
[0006] 所述盐液包括以下重量份的材料：
[0007] 氯化锂 5~10重量份； 硝酸钾 5~10重量份； 硫酸铜 2~3重量份； 水 100重量份；
[0008] 所述酸液包括以下重量份的材料：
[0009] 梓檬酸 3~5重量份； 肉桂酸 3~5重量份； 磷酸 2~3重量份； 水 100重量份；
[0010] 所述碱液包括以下重量份的材料：
[0011] 碳酸氢钠 3~5重量份； 环己胺 3~5重量份； 吡啶 2~3重量份； 四氢呋喃 100重量份。
[0012] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，步骤5)中所述紫外烧 灼包括强紫外烧灼和弱紫外烧灼，其中，所述强紫外烧灼时的紫外强度多45W，所述弱紫外 烧灼时的紫外强度< 15W。
[0013] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，所述强紫外烧灼的时 间< 2分钟，所述弱紫外烧灼的时间为3~8分钟。
[0014] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，所述强紫外烧灼的时 间< 1分钟，所述弱紫外烧灼的时间为4~6分钟。
[0015] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，所述强紫外烧灼的时 间为0. 5分钟，所述弱紫外烧灼的时间为5分钟。
[0016] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，所述盐液中还包括 2~3重量份的水溶性树脂。
[0017] 优选的是，所述的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其中，所述水溶性树脂的数 均分子量不超过1500g/mol。
[0018] 本发明的有益效果是：本案通过采用全新的洗液配方来对未经预处理的PCB基板 进行清洗，通过盐洗、酸洗、碱洗和紫外烧灼来实现对表面杂质的全面清洗，本案涉及的清 洗工艺能够在不伤害PCB板表面原有线路结构的基础上，有效保证线路板的洁净度。
【具体实施方式】
[0019] 下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书 文字能够据以实施。
[0020] 本案提出一实施例的对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其依次包括以下步骤：1) 盐液洗涤；2)酸液洗涤；3)碱液洗涤；4)去离子水水洗；5)紫外烧灼；6)热风烘干；7)冷风 冷却；其中，
[0021 ] 盐液包括以下重量份的材料：
[0022] 氯化锂 5~10重量份； 硝酸钾 5~10重量份； 硫酸铜 2~3重量份； 水 IQQ重量份:；
[0023] 盐液主要用于去除一些盐溶性杂质，但盐液的配方应被限定，因为不合适的盐液 本身也会对PCB板表面已刻蚀好的线路造成腐蚀。盐洗的时间不受限制，优选为3~10分 钟。
[0024] 酸液包括以下重量份的材料：
[0025] 柠檬酸 3~5重量份； 肉桂酸 3~5重量份； 磷酸 2~3重量份； 水 100重量份；
[0026] 酸液主要用于去除一些金属、金属氧化物和酸溶性杂质，酸液的配方尤其需要被 限定，因为酸对PCB板表面的侵蚀影响较大，若酸的强度拿捏不好，将直接导致线路板表面 线路结构被破坏，因此，酸液强度的选择应使得既能洗去杂质，又不能侵蚀PCB表面线路。 酸洗的时间不受限制，优选为3~10分钟。
[0027] 碱液包括以下重量份的材料：
[0028] 碳酸氢钠 3~5重量份； 环己胺 3~5重量份； 批陡 2~3重量份； 四氢呋喃 100重量份。
[0029] 碱液主要用于洗去一些碱溶性杂质及残留的酸液，碱液的配方也应被限定，碱液 碱性的强度应选择为既不能腐蚀PCB表面的线路，又不能溶解掉表面的有用的有机物质。 碱洗的时间不受限制，优选为3~10分钟。
[0030] 作为本案另一实施例，其中，步骤5)中紫外烧灼包括强紫外烧灼和弱紫外烧灼， 并且，强紫外烧灼时的紫外强度多45W，弱紫外烧灼时的紫外强度< 15W。紫外照射烧灼的 目的是除去一些能够被紫外线除去的杂质，如一些细菌性或具有生物活性的杂质，这些杂 质在一定程度上会造成线路板的腐蚀。而且，紫外烧灼的强度应被限定，且应该采用强弱搭 配的组合方式进行，因为不合适的紫外强度也会对线路板上的金属造成侵蚀。
[0031 ] 作为本案另一实施例，其中，强紫外烧灼的时间< 2分钟，弱紫外烧灼的时间为 3~8分钟。烧灼时间的大小对紫外烧灼的效果有很大的影响，强紫外烧灼的时间不应过 长，弱紫外烧灼的时间也应被限制。
[0032] 作为本案另一实施例，其中，强紫外烧灼的时间< 1分钟，弱紫外烧灼的时间为 4~6分钟。
[0033] 作为本案另一实施例，其中，强紫外烧灼的时间为0. 5分钟，弱紫外烧灼的时间为 5分钟。
[0034] 作为本案另一实施例，其中，盐液中还包括2~3重量份的水溶性树脂。水溶性树 脂可以提高盐液的洗涤效果，它通过夹带的方式可以带走部分杂质。
[0035] 作为本案另一实施例，其中，作为更优选的方案是水溶性树脂的数均分子量不超 过1500g/mol，因为综合考虑树脂的水溶效果，和分子量对其清洗能力的影响，最终得出它 的数均分子量不应超过1500g/mol。
[0036] 采用本案提供的清洗工艺，可实现对PCB基板的有效清洗，能够除去绝大多数在 PCB制造时所带来的工业杂质，同时，也能有效除去因存贮、运输不当或生产时也携带来的 具有生物活性的杂质。经清洗后的PCB基板具有很高的洁净度，可以用于开始装配LED，该 清洗工艺有助于提高LED装配的良品率、使用寿命及运行时的稳定性。
[0037] 尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列 运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地 实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限 于特定的细节和这里示出的实施例。
【主权项】
1. 一种对制备LED用PCB基板的清洗工艺，其依次包括W下步骤：1)盐液洗涂；2)酸 液洗涂；3)碱液洗涂；4)去离子水水洗；5)紫外烧灼；6)热风烘干；7)冷风冷却；其中， 所述盐液包括W下重量份的材料： 氯化裡. S~10重量份； 碟酸辭 5~10重量份;； 硫酸铜 2~3重量份； 水 1蛾董量儉;： 所述酸液包括W下重量份的材料： 巧樣酸 3~5重量份； 肉桂酸 3~5重量份； 磯酸 2~3重量份； 恭 1腑重量份； 所述碱液包括W下重量份的材料： 碳酸氨納 3~5重量份； 环己胺 3~5重量份； 化惦 2~3重量份； 四氨娛喃 100重量份。2. 根据权利要求1所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，步骤5)中 所述紫外烧灼包括强紫外烧灼和弱紫外烧灼，其中，所述强紫外烧灼时的紫外强度>45W， 所述弱紫外烧灼时的紫外强度《15W。3. 根据权利要求2所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，所述强紫外 烧灼的时间《2分钟，所述弱紫外烧灼的时间为3~8分钟。4. 根据权利要求3所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，所述强紫外 烧灼的时间《1分钟，所述弱紫外烧灼的时间为4~6分钟。5. 根据权利要求4所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，所述强紫外 烧灼的时间为0. 5分钟，所述弱紫外烧灼的时间为5分钟。6. 根据权利要求1所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，所述盐液中 还包括2~3重量份的水溶性树脂。7. 根据权利要求6所述的对制备L邸用PCB基板的清洗工艺，其特征在于，所述水溶性 树脂的数均分子量不超过1500g/mol。
【专利摘要】本案涉及对制备LED用PCB基板的清洗工艺，包括：盐液洗涤；酸液洗涤；碱液洗涤；去离子水水洗；紫外烧灼；热风烘干；冷风冷却；盐液包括：氯化锂5～10重量份；硝酸钾5～10重量份；硫酸铜2～3重量份；水100重量份；酸液包括：柠檬酸3～5重量份；肉桂酸3～5重量份；磷酸2～3重量份；水100重量份；碱液包括：碳酸氢钠3～5重量份；环己胺3～5重量份；吡啶2～3重量份；四氢呋喃100重量份。本案通过采用全新的洗液配方来对未经预处理的PCB基板进行清洗，通过盐洗、酸洗、碱洗和紫外烧灼来实现对表面杂质的全面清洗，本案涉及的清洗工艺能够在不伤害PCB板表面原有线路结构的基础上，有效保证线路板的洁净度。
【IPC分类】H05K3/26
【公开号】CN105208785
【申请号】CN201510478161
【发明人】董佳瑜, 董春保
【申请人】苏州晶雷光电照明科技有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月7日