面，如图4A中所描绘。
[0047]在一个实施方式中，夹盘主体408由绝缘材料制成，如介电材料或陶瓷材料。陶瓷材料或介电材料的适宜实例包括聚合物(即，聚酰亚胺)、氧化硅(如石英或玻璃)、氧化铝(A1203)、氮化铝(A1N)、含钇材料、氧化钇(Y203)、钇-铝-石榴石(YAG)、氧化钛(Ti。)、氮化钛(TiN)、碳化硅(SiC)等。视情况，夹盘主体408可以是金属或金属性主体。夹盘主体408可以是铁磁性、铁磁性或非磁性主体。
[0048]永磁体406a_406 j可由铁磁材料组成，所述铁磁材料如铝_镍-钴(铝镍钴)、陶瓷、稀土、铁-铬-钴或上述的组合。在一个实施方式中，永磁体由铝镍钴组成。可定位永磁体406a-406 j以使得极性从一个磁体到下一磁体交变。此处所示，永磁体406a、406c、406e、406g和406i的北极与永磁体406b、406d、406f、406h和406j的南极被引导朝向基板载体402。
[0049]在操作中，可使用上文描述的电磁力将基板420夹持至基板载体402。将掩膜430定位于基板420上方，并且与基板420对齐。随后使得永磁掩膜夹盘404与掩膜430形成磁性连接。在永磁掩膜夹盘404与工艺腔室整合的实施方式中，可关于工艺腔室重新定位永磁掩膜夹盘404，并且位于基板载体402附近。在永磁掩膜夹盘404与基板载体402整合的实施方式中，可在夹盘主体408中重新定位永磁掩膜夹盘404的磁体。在任一实施方式中，接近掩膜430的磁体位置允许磁场从磁体到掩膜430传递。将磁性连接描述为磁场影响所描述材料(例如，掩膜430)的位置。来自永磁掩膜夹盘404中的永磁体406a-406j的磁力使得掩膜430的至少一部分位于基板420上方的适当位置中或与基板420接触。随后透过掩膜430在基板420上沉积一层(未示出)。一旦沉积了所述层，定位永磁掩膜夹盘404，以使得磁场不再影响掩膜430的位置。
[0050]此处将永磁掩膜夹盘404描绘为长方形。然而，永磁掩膜夹盘404可具有任何形状以使得所述永磁掩膜夹盘可将永磁体406a-406j的磁场传递至掩膜430。
[0051]图4B至图4E描绘根据本文描述的实施方式可与夹持组件一起使用的永磁掩膜夹盘的进一步实施方式。传递给物体的磁场强度是基于磁场强度，并且与那个物体之间距离的大约三次方成反比。因此，在下文实施方式中，应用磁体位置、磁体尺寸和上述的组合来控制施加到掩膜430不同部分的磁场强度。
[0052]图4B描绘根据一实施方式具有歪斜磁体位置的永磁掩膜夹盘440。永磁掩膜夹盘440具有夹盘主体442。夹盘主体442可由与参看图4A描述的材料类似的材料组成。定位于夹盘主体442中的是多个永磁体，此处图示为永磁体444a-444j。定位永磁体444a_444j，以使得第一磁体(例如，永磁体444a)与第一边缘446间隔第一距离。远离第一边缘446和更接近第二边缘448定位每个后续磁体(例如，永磁体444b-444j)。
[0053]在操作中，将掩膜430定位于基板420上方，并且与基板420对齐，如参看图4A所描述。随后使得永磁掩膜夹盘440与掩膜430形成磁性连接。当与工艺腔室整合时或当与基板载体402整合时，可重新定位永磁掩膜夹盘440，如参看图4A所描述。来自永磁掩膜夹盘440中的永磁体444a-444j的磁力相继使得掩膜430的至少一部分位于基板420上方的适当位置中或与基板420接触。此处使用的相继是关于最接近掩膜430的磁体(永磁体444a)和每个后续磁体依次排列。虽然示出与第一边缘446的特定距离和次序，但是永磁体444a-444j的这种距离和次序并非必需。永磁体444a_444j可以是任何次序，与第一边缘446间隔的任何距离，包括永磁体的其他定向和量。
[0054]这种设计被认为对基板420具有保护作用，减小与掩膜430的接触力。由于磁场强度是磁体与掩膜430距离的函数，定位永磁体444a-444j以从第一侧到第二侧相继施加磁场。因此，永磁体444a将在掩膜430上施加比每个后续永磁体更大的磁场强度，从而允许更加逐步的总体连接。
[0055]图4C描绘根据一实施方式具有中心歪斜磁体位置的永磁掩膜夹盘450。永磁掩膜夹盘450具有夹盘主体452。夹盘主体452可由与参看图4A描述的材料类似的材料组成。定位于夹盘主体452中的是多个永磁体，此处图示为永磁体454a-454j。
[0056]定位永磁体454a_454j，以使得第一层中央磁体(例如，永磁体454e_454f)与第一边缘456间隔第一距离。随后使永磁体454a-454j向外层叠，以使得从第一层开始的每个后续层(例如，分别是永磁体454d与454g、永磁体454c与454h、永磁体454b与454i和永磁体454a与454 j)被定位远离第一边缘446和更接近第二边缘458。
[0057]在操作中，将掩膜430定位于基板420上方，并且与基板420对齐，如参看图4A所描述。随后使得永磁掩膜夹盘450与掩膜430形成磁性连接。当与工艺腔室整合时或当与基板载体402整合时，可重新定位永磁掩膜夹盘450，如参看图4A所描述。来自永磁掩膜夹盘450中的永磁体454a-454j的磁力使得掩膜430的至少一部分位于基板420上方的适当位置中或与基板420接触。掩膜430以从中心向外的相继方式进入永磁体454a-454j的磁场。
[0058]这种设计被认为对基板420具有保护作用，在更大面积上展布与掩膜430的接触力。如上所述，磁场强度是磁体与掩膜430距离的函数，定位永磁体454a-454j以从中心向外相继施加磁场。因此，施加到掩膜430的磁场强度将随着永磁体454a-454j相继进入向所述掩膜施加磁场的范围而逐渐增加。这种磁场展布将允许更加逐步的总体连接。
[0059]图4D描绘根据一实施方式具有逐渐减小的磁体尺寸的永磁掩膜夹盘460。永磁掩膜夹盘460具有夹盘主体462。夹盘主体462可由与参看图4A描述的材料类似的材料组成。定位于夹盘主体462中的是多个永磁体，此处图示为永磁体464a-464j。
[0060]定位永磁体464a_464j，以使得第一层中央磁体(例如，永磁体464e_464f)是第一尺寸。随后使永磁体464a-464j向外层叠，以使得从第一层开始的每个后续层(例如，分别是永磁体464d与464g、永磁体464c与464h、永磁体464b与464i和永磁体464a与464j)在尺寸和磁场产生能力方面减小。
[0061]在操作中，将掩膜430定位于基板420上方，并且与基板420对齐，如参看图4A所描述。随后使得永磁掩膜夹盘460与掩膜430形成磁性连接。当与工艺腔室整合时或当与基板载体402整合时，可重新定位永磁掩膜夹盘460，如参看图4A所描述。来自永磁掩膜夹盘460中的永磁体464a-464j的磁力使得掩膜430的至少一部分位于基板420上方的适当位置中或与基板420接触。掩膜430与外部磁体同时进入永磁体464a-464j的磁场，所述外部磁体产生比内部磁体弱的磁场。
[0062]这种设计被认为对基板420具有保护作用，在更大面积上展布与掩膜430的接触力。如上所述，磁场强度是磁体与掩膜430距离的函数。永磁体464a-464j按大小排列以从中心向外相继施加磁场。因此，施加到掩膜430的磁场强度将随着永磁体464a-464j相继进入向掩膜430施加磁场的范围而逐渐增加。这种磁场展布将允许更加逐步的总体连接。
[0063]图4E描绘根据一实施方式具有内部可调节磁体的永磁掩膜夹盘460。永磁掩膜夹盘470具有夹盘主体472。夹盘主体472可由与参看图4A描述的材料类似的材料组成。定位于夹盘主体472中的是多个永磁体，此处图示为永磁体474a-474j。夹盘主体472具有内部空间480。内部空间480足够大，以至少含有永磁体474a-474j。使用多个分隔物478将内部空间480细分以产生永磁体474a-474j的个别空间。将多个致动器476a_476j与永磁体474a-474j连接。
[0064]可在各种位置中定位永磁体474a_474j，以使得可以任何期望次序传递磁场。此夕卜，可实时改变永磁体474a-474j的定位。因此，可在操作期间或操作后重新定位永磁体474a-474j以帮助夹持和卸除掩膜430。
[0065]在操作中，将掩膜430定位于基板420上方，并且与基板420对齐，如参看图4A所描述。随后可使得永磁掩膜夹盘470与掩膜430形成磁性连接。当与工艺腔室整合时或当与基板载体402整合时，可重新定位永磁掩膜夹盘4