一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法

一种带金属围坝的dpc陶瓷基板制备方法
【专利摘要】本发明公开一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤：（1）制作好陶瓷基板和围坝；（2）在陶瓷基板上镀上熔点为240℃?400℃合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240℃?400℃合金材料而形成第二焊接层；（3）在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品；（4）将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240℃?400℃之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起；（5）取出冷却即可形成成品。本发明方法可在240℃?400℃的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产。
【专利说明】
一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及LED支架领域技术，尤其是指一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法。
【背景技术】
[0002]对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在DPC陶瓷基板上设置有围坝，利用围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。现有技术中，通常是采用金属围坝并利用焊料直接焊接在镀铜的DPC陶瓷基板上，这种方式虽然能够实现围坝与DPC陶瓷基板的焊接连接，然而，由于铜的熔点较高，往往这种封装需要800°C以上的高温才能将围坝焊接在DPC陶瓷基板上，这种高温对于DPC陶瓷基板来说是一个很大的考验，严重影响产品的品质，并且这种高温的焊接方式既耗能，又不利于量化生产。

【发明内容】

[0003]有鉴于此，本发明针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其能有效解决现有之采用高温方式将围坝焊接在DPC陶瓷基板上容易导致产品品质下降并且耗能不利于量化生产的问题。
[0004]为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案:
一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤:
(1)制作好陶瓷基板和围坝；
(2)在陶瓷基板上镀上熔点为240°C-400°C合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240 0C -400 0C合金材料而形成第二焊接层；
(3)在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品；
(4)将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240°C-400°C之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起；
(5)取出冷却即可形成成品。
[0005]作为一种优选方案，所述陶瓷基板包括有底板、上镀铜层和下镀铜层，该上镀铜层和下镀铜层分别设置于底板的上下表面，该底板上设置有导通孔，该导通孔导通连接于上镀铜层和下镀铜层之间，前述第一焊接层设置于上镀铜层的表面上。
[0006]本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知:
通过预先在陶瓷基板和围坝上镀上熔点为240°C-400°C合金材料而形成第一焊接层和第二焊接层，并配合将助焊剂或焊料置于第一焊接层和第二焊接层之间，然后过回流焊，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起，本发明方法可在240 °C -400 °C的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产，本发明方法可用于金属管壳、IC、LED等气密封装和芯片封装，有广阔的应用前景，尤其是对目前发展看涨的UV LED是一种实现量产化的有效方法。
[0007]为更清楚地阐述本发明的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本发明进行详细说明。
【附图说明】
[0008]图1是本发明之较佳实施例完成制作过程的立体示意图；
图2是本发明之较佳实施例完成制作过程的截面图。
[0009]附图标识说明:
10、陶瓷基板11、底板
12、上镀铜层13、下镀铜层
101、导通孔20、围坝
30、第一焊接层40、第二焊接层
50、连接层。
【具体实施方式】
[0010]请参照图1和图2所示，其显示出了本发明之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷基板10和围坝20。
[0011]该陶瓷基板10上设置有第一焊接层30，围坝20的外表面设置有第二焊接层40，第二焊接层40叠设于第一焊接层30上，且第一焊接层30与第二焊接层40之间夹设有连接层50，该连接层50为助焊剂或焊料，
在本实施例中，所述陶瓷基板10包括有底板11、上镀铜层12和下镀铜层13，该上镀铜层12和下镀铜层13分别设置于底板11的上下表面，该底板11上设置有导通孔101，该导通孔101导通连接于上镀铜层12和下镀铜层13之间，前述第一焊接层30设置于上镀铜层12的表面上。
[0012]本发明还揭示一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，包括有以下步骤:
(I)制作好陶瓷基板10和围坝20。
[0013](2)在陶瓷基板10上镀上熔点为240°C-400°C合金材料而形成第一焊接层30，并在围坝20的外表面镀上熔点为240°C-400 °C合金材料而形成第二焊接层40; 240 °C-400 °C合金材料最好米用金锡合金、镍金合金或镍钯金合金等含金合金，金含量为75-90%之间，性能稳定，不会黄化。
[0014](3)在第一焊接层30的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层50，将围坝20置于陶瓷基板10上，使得第二焊接层40叠于连接层50的表面，从而形成半成品，焊料为合金材料，其熔点为240°C-400°C。
[0015](4)将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240°C-400°C之间，使得第一焊接层30和第二焊接层40熔接在一起；
(5)取出冷却即可形成成品。
[0016]本发明的设计重点在于:通过预先在陶瓷基板和围坝上镀上熔点为240°C-40(TC合金材料而形成第一焊接层和第二焊接层，并配合将助焊剂或焊料置于第一焊接层和第二焊接层之间，然后过回流焊，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起，本发明方法可在240°C-40(TC的低温环境下进行，有效避免了高温对产品品质的影响，工艺简单，既节能，又便于批量化生产，本发明方法可用于金属管壳、IC、LED等气密封装和芯片封装，有广阔的应用前景，尤其是对目前发展看涨的UV LED是一种实现量产化的有效方法。
[0017]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明的技术范围作任何限制，故凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
【主权项】
1.一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于:包括有以下步骤: (1)制作好陶瓷基板和围坝； (2)在陶瓷基板上镀上熔点为240°C-400°C合金材料而形成第一焊接层，并在围坝的外表面镀上熔点为240 0C -400 0C合金材料而形成第二焊接层； (3)在第一焊接层的表面覆盖一层助焊剂或焊料而形成连接层，将围坝置于陶瓷基板上，使得第二焊接层叠于连接层的表面，从而形成半成品； (4)将半成品过回流焊，并在惰性气体的保护下，温度控制在240°C-400°C之间，使得第一焊接层和第二焊接层熔接在一起； (5)取出冷却即可形成成品。2.根据权利要求1所述的一种带金属围坝的DPC陶瓷基板制备方法，其特征在于:所述陶瓷基板包括有底板、上镀铜层和下镀铜层，该上镀铜层和下镀铜层分别设置于底板的上下表面，该底板上设置有导通孔，该导通孔导通连接于上镀铜层和下镀铜层之间，前述第一焊接层设置于上镀铜层的表面上。
【文档编号】H01L33/62GK105826458SQ201610262791
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年4月26日
【发明人】章军, 吴朝晖, 康为, 罗素扑, 唐莉萍
【申请人】东莞市凯昶德电子科技股份有限公司