专利名称：有源矩阵有机电致发光装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光装置，并且更具体地，涉及一种包括具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件的有源矩阵有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术：
通常，有机电致发光装置(ELD)通过向发射层注射来自阴极的电子和来自阳极的空穴，将这些电子和空穴复合，产生激发性电子-空穴对，并且将激发性电子-空穴对从激发态转换为基态从而实现发光。与液晶显示(LCD)装置相反，由于激发性电子-空穴对在两种状态之间的转换导致发光，对于有机ELD不需要额外的光源用来发光，因此能够减小有机ELD的体积和重量。有机ELD具有例如低功耗、高亮度和响应时间短等其他突出的特征。由于这些特征，有机ELD被认为是下一代电子消费产品例如便携式电话、汽车导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、便携式摄像机和掌上电脑等的最有前途的显示器。另外，由于制造有机ELD是只需要几个制造步骤的简单工艺，因此制造有机ELD比LCD装置更便宜。
有机ELD有两种不同类型无源矩阵型和有源矩阵型。虽然无源矩阵型有机ELD和有源矩阵型有机ELD都具有简单的结构并且可以通过简单的制造工艺形成，但无源矩阵型有机ELD需要相对较高的功率操作，而且，无源矩阵型有机ELD的显示尺寸受到其结构的限制。另外，随着导线数量的增加，无源矩阵型有机ELD的孔径比减小。与之相比，有源矩阵型有机ELD具有高效率并且能够以相对低的功耗为大尺寸显示提供高质量的图像。
图1是根据现有技术的有机ELD的剖面图。在图1中，包括薄膜晶体管(TFT)“T”的阵列元件14形成在第一基板12上。第一电极16、有机电致发光层18和第二电极20形成在阵列元件14上。有机电致发光层18相对于每个像素区域分别显示红色、绿色和蓝色。第二基板28正对着第一基板12并且与第一基板12隔开。
利用密封剂26将第一基板12和第二基板28彼此接合。有机ELD通过第一基板12接合到第二基板上密封而成。第二基板28包括潮气吸收材料22，用来除去有可能穿透有机电致发光层18密封的潮气和氧气。在蚀刻部分第二基板28之后，利用潮气吸收材料22填充蚀刻部分，并且通过保持元件25固定填充进来的潮气吸收材料。
图2是根据现有技术的有机电致发光装置的等效电路图。在图2中，栅极线36横穿数据线49，并且开关元件“TS”与栅极线36和数据线49在栅极线36与数据线49的交叉点处连接。驱动元件“TD”电连接开关元件“TS”和有机电致发光二极管“DEL”。存储电容“CST”形成在驱动元件“TD”的驱动栅极34和驱动漏极52之间，由于驱动元件“TD”是正极类型的晶体管。有机电致发光二极管“DEL”与电源线22连接，并且驱动漏极与有机电致发光二极管“DEL”的阳极连接。
当栅极线36的扫描信号施加给开关元件“TS”的开关型栅极18时，数据线49的图像信号通过开关元件“TS”施加给驱动元件“TD”的驱动栅极34。通过施加给驱动栅极34的图像信号调整驱动元件“TD”的电流密度。结果，有机电致发光二极管“DEL”能够显示具有灰度等级的图像。另外，由于存储在存储电容“CST”中的图像信号施加给驱动栅极34，即使开关元件“TS”关闭时，流入到有机电致发光二极管“DEL”中的电流密度也能够保持均匀直到施加下一个图像信号。开关元件“TS”和驱动元件“TD”可以由多晶硅TFT或非晶硅TFT形成。非晶硅TFT的制造工艺比多晶硅TFT的工艺更简单。
图3是表示根据现有技术的有机电致发光装置的一个像素区域的开关元件和包括非晶硅TFT的驱动元件的剖面图。在图3中，栅极线36以第一方向形成在基板30上，数据线49以第二方向与栅极线36交叉，并且电源线62设置成与数据线49平行并且与栅极线36交叉。由栅极线36、数据线49和电源线62限定一个像素区域“P”。与像素区域“P”相邻的开关元件“TS”与栅极线36和数据线49连接。驱动元件“TD”与开关元件“TS”连接。另外，开关元件“TS”包括开关栅极32、开关有源层56a、开关源极48和开关漏极50。驱动元件“TD”包括驱动栅极34、驱动有源层58a、驱动源极52和驱动漏极54。特别是，驱动栅极34与开关漏极50连接，驱动源极52与电源线62连接，以及驱动漏极54与有机电致发光二极管“DEL”(图2中的)连接。开关有源层56a和驱动有源层58a可以由非晶硅形成。
为了驱动(图2中的)有机电致发光二极管“DEL”，非晶硅驱动TFT应当具有大的宽度/长度比(W/L比)。在这种情况中，驱动元件“TD”的尺寸远远大于开关元件“TS”的尺寸。
图4A和4B分别是沿着图3中的直线“IVa-IVa”和“IVb-IVb”的剖面图。
在图4A和4B中，开关栅极32和与开关栅极32连接的驱动栅极34形成在基板30上。尽管图4A和4B中没有显示，栅极线32以第一方向形成在基板30上并且与开关栅极32连接。栅极绝缘层38形成在包括开关栅极32和驱动栅极34的基板30上。开关半导体层56和驱动半导体层58分别形成在开关栅极32和驱动栅极34上。开关半导体层56具有孤立的岛状形状并且包括开关有源层56a和开关欧姆接触层56b。另外，驱动半导体层58也具有孤立的岛状形状并且包括驱动有源层58a和驱动欧姆接触层58b。
开关源极48和开关漏极50以及驱动源极52和驱动漏极54分别形成开关半导体层56和驱动半导体层58上。特别是，开关源极48和开关漏极50以及驱动源极52和驱动漏极54分别与开关欧姆接触层56b和驱动欧姆接触层58b接触。另外，驱动栅极34与开关漏极50连接。第一钝化层60形成在包括开关源极48和开关漏极50以及驱动源极52和驱动漏极54的基板30上。电源线62形成在第一钝化层60上并且与驱动源极52连接。第二钝化层64形成在包括电源线62的基板30上，并且第一电极66形成在像素区域“P”中的第二钝化层64上并且与驱动漏极54连接。
为了向有机电致发光二极管提供足够的电流，根据现有技术的有机电致发光装置的驱动有源层58a具有大的宽度/长度比(W/L比)，这反而影响了孔径比。另外，由于电流压力随着电流密度的增大而增大，可能会发生驱动TFT的热化。另外，由于直流(DC)偏压不变地施加到驱动元件上，驱动元件的工作特性发生变化。因此，具有这种非晶硅TFT的有源矩阵有机电致发光装置具有较差的图像质量例如残留图象，并且驱动元件的较差的工作特性导致有源矩阵有机ELD中的点缺陷(point defect)。
与此同时，当TFT的阵列元件层和有机EL二极管共同形成在一个基板上时，通过阵列元件的产率与有机EL二极管的产率的乘积确定有机ELD的产品产率。由于有机EL二极管的产率相对较低，有机ELD的产品产率受到有机EL二极管的产率的限制。例如，即使当TFT很好地制造时，由于大约1000厚度的薄膜的有机发光层的缺陷，一个有机ELD可能被确定为是有缺陷的，这导致材料的损失和很高的生产成本。
有机ELD根据有机EL二极管的第一和第二电极的透明度划分成底发射型和顶发射型。底发射型ELD由于封装而具有例如高的图像稳定性和多种制造工艺的优点。但是，底发射型有机ELD由于在孔径比方面的限制对于要求高清晰度的装置来说是不够的。另一方面，由于顶发射型有机ELD在基板的向上方向中直接发射，光线发射不会受到位于有机EL层下面的阵列元件层的干扰。因此，包括TFT的阵列层的整体设计可以简化。另外，能够增大孔径比，从而增大有机ELD的工作寿命周期。但是，由于顶发射型有机ELD具有通常形成在有机EL层之上的阴极，材料的选择受到限制使得光透射效率降低。当形成薄膜形状的钝化层来防止光透射率的降低时，这种薄膜形状的钝化层不能阻止外部空气渗透到装置中。
发明内容
因此，本发明的目的在于提出一种有机电致发光装置及其制造方法，其基本上解决了由于现有技术的局限和缺点而存在的一个或多个问题。
本发明的一个优点在于提供一种有机电致发光装置及其制造方法，其中的多个薄膜晶体管相互并联连接。
本发明的另一个优点在于提供一种具有高显示质量的有源矩阵有机电致发光装置及其制造方法。
本发明的另一个优点在于增大驱动元件的宽度/长度比(W/L比)而不会牺牲孔径比，从而稳定驱动元件。
下面的说明书中将会提出本发明的其他特征和优点，并且一部分会在本说明书中清楚，或者可以通过本发明的实践学习到。通过在书面的说明书、权利要求书以及所附附图中具体指出的结构将会实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如具体和概括描述的一种有机电致发光装置，包括位于基板上的栅极线和数据线，数据线穿过栅极线；与栅极线和数据线连接的开关元件；具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件，该驱动元件与开关元件连接；与驱动元件连接的有机电致发光二极管，其中驱动元件包括第一和第二栅极，位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
另一方面，一种有机电致发光装置，包括彼此正对并且相互隔开的第一和第二基板；位于第一基板上的栅极线和数据线，数据线穿过栅极线；与栅极线和数据线连接的开关元件；具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件，该驱动元件与开关元件连接；位于第二基板上的有机电致发光二极管；和将第一基板与第二基板电连接的连接电极，其中驱动元件包括第一和第二栅极，位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
另一方面，一种制造有机电致发光装置的方法，包括以下步骤在基板上形成栅极线；形成与栅极线连接的开关元件；形成与该开关元件连接的驱动元件，驱动元件具有多个相互并联连接的薄膜晶体管；形成数据线，该数据线横穿栅极线并且与开关元件连接；和形成与驱动元件连接的有机电致发光二极管，其中形成具有多个薄膜晶体管的驱动元件包括形成第一和第二栅极；在第一和第二栅极之上形成有源层；在第一和第二栅极之间形成漏极；和形成基本上围绕漏极的源极。
更进一步，另一方面，一种有机电致发光装置的驱动系统，包括彼此正对并且相互隔开的第一和第二栅极；位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
应当理解的是，下面概括的描述和详细的描述都是示例性的和解释性的，是为要求保护的本发明来做进一步解释的。
结合所附附图解释本发明的实施例，并且与说明书一起来解释本发明的原理，这些附图进一步地理解发明并且合并在其中构成本说明书的一部分。
在这些附图中图1是根据现有技术的有机ELD的剖面图；图2是根据现有技术的有机电致发光装置的等价电路图；
图3是表示根据现有技术的有机电致发光装置的一个像素区域的开关元件和包括无定形TFT的驱动元件的剖面图；图4A和4B分别是沿着图3中的直线“IVa-IVa”和“IVb-IVb”的剖面图；图5是根据本发明的一个实施例的双平板类型的有机电致发光装置的剖面图；图6是根据本发明的一个实施例的双平板类型的有机电致发光装置的平面图；图7A和7B分别是沿着图6中的直线“VIIa-VIIa”和“VIIb-VIIb”的剖面图；图8至12是表示根据本发明的实施例的具有多个相互并联连接的驱动TFT的驱动元件的平面图；和图13A至13F和图14A至14F分别是沿着图6中的直线“VIIa-VIIa”和“VIIb-VIIb”的剖面图，表示根据本发明的一个实施例的有机电致发光装置的TFT阵列部分的制造工艺。
具体实施例方式
现在将对本发明的图解的实施例给予详细的解释，结合所附附解其中的一个例子。可能的情况下，在所有附图中使用同样的附图标记表示相同或类似的部分。
图5是根据本发明的一个实施例的双平板类型的有机电致发光装置的剖面图。在图5中，在第一和第二基板100和200中限定多个像素区域“P”，其中第一和第二基板彼此正对并且相互隔开。多个阵列元件层“AL”和多个薄膜晶体管(TFT)“T”形成在第一基板100的内表面上。每个阵列元件层“AL”和TFT“T”位于每个像素区域“P”中。尽管图5中没有显示出来，每个TFT“T”包括开关TFT“TS”和驱动元件“TD”。特别是，驱动元件“TD”包括相互并联连接的多个驱动TFT(图中没有示出)。
第一电极202形成在第二基板200的内表面上。多个电致发光层208和多个第二电极210依次形成在像素区域“P”中的第一电极202上。电致发光层208可以分别为每个像素区域“P”显示红色、绿色和蓝色。当第一电极202起到阳极的作用时，第一电极202由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或者类似物制成。当第二电极210起到阴极的作用时，第二电极210可以由不透明(no-transparent)的导电材料例如铝(Al)、钙(Ga)、镁(Mg)、氟化锂/铝(LiF/Al)或者类似物制成。另外，电致发光层208可以包括多个空穴传输层208a、多个发射层208b和多个电子传输层208c。特别是，空穴传输层208a向发射层208b提供来自阳极的空穴；电子传输层208c向发射层208b提供来自阴极的电子。
与此同时，连接电极400将第一基板100与第二基板200电连接并且位于每个像素区域“P”中。特别是，第二电极210和驱动元件“TD”通过连接电极400相互连接。另外，第一基板100和第二基板200通过密封剂300彼此相互接合。
图6是根据本发明的一个实施例的双平板类型的有机电致发光装置的平面图。图7A和7B分别是沿着图6中的直线“VIIa-VIIa”和“VIIb-VIIb”的剖面图。
参照图6、7A和7B，栅极线104以第一方向形成在基板100上，数据线119以第二方向与栅极线104交叉，和通过栅极线104和数据线119限定一个像素区域“P”。与栅极线104和数据线119的交叉点相邻的开关TFT“TS”与栅极线102和数据线119连接。驱动元件“TD”与开关TFT“TS”连接并且包括相互并联连接的第一至第六驱动TFT“Td1至Td6”。另外，电源线132以第二方向形成并且与驱动元件“TD”连接。
开关栅极102形成在第一基板100上，并且栅极绝缘层108形成在包括开关栅极102的第一基板100之上。另外，开关有源层110形成在开关栅极102之上，开关源极120a和开关漏极120b形成在开关有源层110上并且彼此分开。因此，开关TFT“TS”包括开关栅极102、开关有源层110、开关源极120a和开关漏极120b。开关有源层110可以由非晶硅材料制成。
仍然参照图6、图7A和7B，驱动第一和第二栅极106a和106b作为一个整体形成在第一基板100上并且彼此相互分开。驱动第一和第二栅极106a和106b与开关漏极120b连接。驱动有源层114形成在驱动第一和第二栅极106a和106b上方，并且栅极绝缘层108夹在驱动第一和第二栅极106a和106b与驱动有源层114之间。另外，驱动漏极122b形成在驱动第一和第二栅极106a和106b之间，驱动源极122a围绕驱动漏极122b并且与之分开。因此，驱动元件“TD”包括驱动第一和第二栅极106a和106b、驱动有源层114、驱动源极122a和驱动漏极122b。驱动源极122a和驱动漏极122b具有不均匀的部分，突出部分“X”和凹入部分“V”，如图6中所示。突出部分“X”与驱动第一和第二栅极106a和106b重叠，而凹入部分“V”与驱动第一和第二栅极106a和106b不重叠。
图8至12是表示根据本发明的另一个实施例的具有多个相互并联连接的驱动TFT的驱动元件的平面图。
驱动第一和第二栅极106a和106b作为一个整体形成在第一基板100(图6中)上并且彼此相互分开。驱动漏极122b在一个平面图中形成在驱动第一和第二栅极106a和106b之间。驱动漏极122b的一部分与驱动第一和第二栅极106a和106b的边缘部分相互重叠。驱动源极122a围绕驱动漏极122b并且与驱动漏极122b分开。尽管图8至12中没有显示，(图6中的)驱动有源层114形成在驱动第一和第二栅极106a和106b之上。另外，驱动元件“TD”包括多个驱动TFT“Td”。
在图8中，驱动源极122a具有凹凸不平的部分，突出部分“X”和凹入部分“V”。突出部分“X”与驱动第一和第二栅极106a和106b重叠，而凹入部分“V”与驱动第一和第二栅极106a和106b不重叠。另外，在图8中驱动元件“TD”包括第一至第六驱动TFT“Td1至Td6”。
在图9中，驱动漏极122b具有凹凸不平的部分，突出部分“X”和凹入部分“V”。突出部分“X”与驱动第一和第二栅极106a和106b重叠，而凹入部分“V”与驱动第一和第二栅极106a和106b不重叠。另外，在图9中驱动元件“TD”包括第一至第六驱动TFT“Td1至Td6”。在图8至图9中，驱动第一和第二栅极106a和106b具有端部区域“EP”。
在图10中，驱动源极122a和驱动漏极122b具有第一和第二凹凸不平部分。驱动源极122b的第一凹凸不平部分具有第一突出部分“X1”和第一凹入部分“V1”，并且驱动漏极122a的第二凹凸不平部分具有第二突出部分“X2”和第二凹入部分“V2”。第一和第二突出部分“X1”和“X2”与驱动第一和第二栅极106a和106b重叠，而第一和第二凹入部分“V1”和“V2”与驱动第一和第二栅极106a和106b不重叠。驱动第一和第二栅极106a和106b具有圆环形状。驱动第一和第二栅极106a和106b包括连接区域“M”。因此，有源沟道区域“ch”的面积变得增大而不需要额外的驱动TFT。另外，在图10中驱动元件“TD”包括第一至第五驱动TFT“Td1”和“Td5”。
在图11中，驱动元件“TD”还包括位于驱动漏极122a和驱动源极122b的另一个对面区域中的第三凹凸不平部分“VS”，并且第三凹凸不平部分“VS”具有第三突出部分“X3”和第三凹入部分“V3”。第三突出部分“X3”与驱动第一和第二栅极106a和106b重叠，而第三凹入部分“V3”的一部分与驱动第一和第二栅极106a和106b不重叠。在图11中，位于第三突出部分“X3”之间的是另一个有源沟道区域“ch1”。另外，在图11中驱动元件“TD”包括第一至第七驱动TFT“Td1”和“Td7”。
在图12中，驱动元件“TD”包括第一至第五驱动TFT“Td1”和“Td5”。驱动漏极122a和驱动源极122b具有不凹凸不平的部分，突出部分“X”和凹入部分“V”，如图12中所示。通过延伸相应的突出部分“X”，驱动元件“TD”例如第四驱动TFT“Td4”的沟道宽度“W”增大。
尽管图8至12中没有显示，驱动漏极122a和驱动源极122b可以相互交换。也就是说，附图标记122a可以是漏极而附图标记122b可以是源极。具体地，当薄膜晶体管是n型并且漏极的电压值是大于源极的电压值时，源极和漏极从图8至12中所示的位置彼此相互交换。但是，在这种情况中，可能在漏极的交换后的区域中发生修剪现象，并且它可以起到沟道的电阻元件的作用。这是因为应当在饱和状态区域中驱动有机电致发光装置的TFT。突出部分“X”和凹入部分“V”的数量决定了并联的TFT的数量。
图13A至13F和图14A至14F分别是沿着图6中的直线“VIIa-VIIa”和“VIIb-VIIb”的剖面图，表示根据本发明的一个实施例的有机电致发光装置的TFT阵列部分的制造工艺。
在第一基板100中限定像素区域“P”、开关区域“S”和驱动区域“D”。开关区域“S”和驱动区域“D”分别包括开关TFT(图中没有示出)和驱动元件(图中没有示出)。通过沉积金属层例如铝(Al)、Al合金、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或类似物并且对其构图，在第一基板100上形成开关栅极102和驱动栅极106。尽管图13A和14A中没有显示，开关栅极102与以第一方向形成在第一基板100上的栅极线连接。驱动栅极106包括位于驱动区域“D”中的驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b。驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b具有端部区域。应当理解驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b可以一起具有环状，如图10至12中所示。
在图13B和14B中，栅极绝缘层108形成在具有驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b的第一基板100之上。通过沉积无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)形成栅极绝缘层108。通过依次沉积纯净的非晶硅和掺杂质的非晶硅并对其构图，将开关半导体层111和驱动半导体层115分别形成开关栅极102和驱动栅极106之上。因此，栅极绝缘层108形成在半导体层111和115与栅极102和106之间。开关半导体层111包括开关有源层110和开关欧姆接触层112，并且驱动半导体层115包括驱动有源层114和驱动欧姆接触层116。另外，栅极绝缘层108具有将驱动栅极106的一部分暴露出来的栅接触孔118。
在图13C和14C中，通过沉积金属层并对其构图，开关源极和漏极120a和120b和驱动源极和漏极122a和122b分别形成在开关半导体层111和驱动半导体层115上。特别是，开关源极和漏极120a和120b与开关欧姆接触层112接触，并且驱动源极和漏极122a和122b与驱动欧姆接触层116接触。在平面图中驱动漏极122b位于驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b之间。驱动源极122a和驱动漏极122b彼此分开并且围绕驱动漏极122b。另外，驱动栅极106通过栅接触孔118与开关漏极120b连接。
尽管在图13C和14C中没有显示，为了提供具有多个彼此并联连接的驱动TFT的驱动元件“TD”，驱动源极和漏极122a和122b中的至少一个具有凹凸不平部分。该凹凸不平部分包括与驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b重叠的突出部分和与驱动第一栅极106a和驱动第二栅极106b不重叠的凹入部分。通过蚀刻开关欧姆接触层112和驱动欧姆接触层116，分别使得开关有源层110的位于开关源极和漏极120a和120b之间的部分以及驱动有源层114的位于驱动源极和漏极122a和122b之间的部分曝光。
在图13D和14D中，第一钝化层124形成在包括开关源极和漏极120a和120b以及驱动源极和漏极122a和122b的第一基板100之上。第一钝化层124具有使得驱动源极122a的边缘部分曝光的第一接触孔。
在图13E和14E中，通过沉积导电层并对其构图，形成电源线132并且与驱动源极122a连接。尽管图13E和14E中没有显示，电源线132可以与栅极106同时形成。
在图13F和14F中，通过沉积无机绝缘材料例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)或者通过涂布有极绝缘材料例如三氯甲苯(BCB)或丙烯酸树脂，形成第二钝化层134。尽管图13F和14F中没有显示，第二钝化层134可以具有第二接触孔，驱动漏极122b通过该接触孔与连接电极(图6中)连接。
根据本发明的有机ELD具有几个优点。第一，因为该有机ELD是顶发射型，所以能够获得高的孔径比。第二，因为具有薄膜晶体管的阵列元件层和有机EL发光二极管形成在它们各自的基板上，所以能够防止由于有机EL发光二极管的制造工艺而带来的意外的影响，从而提高了整体的成品率。第三，由于在有机电致发光装置中使用的多个薄膜晶体管彼此并联连接，所以电流压力可以分布在整个薄膜晶体管上。因此，电流压力不会对驱动元件的功率负面影响，从而提供高的图像质量。
对于本领域技术人员来讲，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，本发明的有机电致发光装置及其制造方法可以做出各种变形和改进。因此，本发明要求覆盖本发明的这些改进和变形，只要它们位于所附权利要求及其等价物的范围内。
权利要求
1.一种有机电致发光装置，包括位于基板上的栅极线和数据线，数据线穿过栅极线；与栅极线和数据线连接的开关元件；具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件，该驱动元件与开关元件连接；和与驱动元件连接的有机电致发光二极管，其中驱动元件包括第一和第二栅极，位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
2.根据权利要求1的装置，其特征在于，源极具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，使得突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
3.根据权利要求1的装置，其特征在于，第一和第二栅极彼此连接。
4.根据权利要求3的装置，其特征在于，每个第一和第二栅极都具有端部区域。
5.根据权利要求3的装置，其特征在于，第一和第二栅极具有环状。
6.根据权利要求1的装置，其特征在于，漏极具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
7.根据权利要求1的装置，其特征在于，漏极和源极具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
8.根据权利要求7的装置，其特征在于，进一步具有第三凹凸不平部分，该第三凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
9.根据权利要求2的装置，其特征在于，通过延伸相应的突出部分增大每个薄膜晶体管的沟道宽度。
10.根据权利要求1的装置，其特征在于，进一步包括与驱动元件连接的电源线。
11.根据权利要求1的装置，其特征在于，驱动元件包括非晶硅薄膜晶体管。
12.根据权利要求1的装置，其特征在于，每个驱动元件包括n型薄膜晶体管。
13.根据权利要求12的装置，其特征在于，漏极的电压值大于源极的电压值。
14.一种有机电致发光装置，包括彼此正对并且相互隔开的第一和第二基板；位于第一基板上的栅极线和数据线，数据线穿过栅极线；与栅极线和数据线连接的开关元件；具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件，该驱动元件与开关元件连接；位于第二基板上的有机电致发光二极管；和将第一基板与第二基板电连接的连接电极，其中驱动元件包括第一和第二栅极，位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
15.根据权利要求14的装置，其特征在于，有机电致发光二极管包括位于第二基板上的第一电极，位于第一电极上的电致发光层和位于电致发光层上的第二电极。
16.根据权利要求14的装置，其特征在于，第一电极起到阳极的作用，第二电极起到阴极的作用。
17.根据权利要求16的装置，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。
18.根据权利要求16的装置，其特征在于，第二电极包括铝(Al)、钙(Ga)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)。
19.根据权利要求14的装置，其特征在于，连接电极将驱动元件与第二电极连接。
20.一种制造有机电致发光装置的方法，包括以下步骤在基板上形成栅极线；形成与栅极线连接的开关元件；形成与该开关元件连接的驱动元件，驱动元件具有多个相互并联连接的薄膜晶体管；形成数据线，该数据线横穿栅极线并且与开关元件连接；和形成与驱动元件连接的有机电致发光二极管，其中形成具有多个薄膜晶体管的驱动元件包括形成第一和第二栅极；在第一和第二栅极之上形成有源层；在第一和第二栅极之间形成漏极；和形成基本上围绕漏极的源极。
21.根据权利要求20的方法，其特征在于，源极在位于面对漏极的部分中具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
22.根据权利要求20的方法，其特征在于，第一和第二栅极彼此连接。
23.根据权利要求22的方法，其特征在于，每个第一和第二栅极都具有端部区域。
24.根据权利要求22的方法，其特征在于，第一和第二栅极具有环状。
25.根据权利要求20的方法，其特征在于，漏极具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
26.根据权利要求20的方法，其特征在于，漏极和源极具有凹凸不平部分，该凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
27.根据权利要求26的方法，其特征在于，进一步具有第三凹凸不平部分，该第三凹凸不平部分包括突出部分和凹入部分，使得突出部分与第一和第二栅极重叠而凹入部分与第一和第二栅极不重叠。
28.根据权利要求21的方法，其特征在于，通过延伸相应的突出部分增大每个薄膜晶体管的沟道宽度。
29.根据权利要求20的方法，其特征在于，进一步包括与驱动元件连接的电源线。
30.根据权利要求20的方法，其特征在于，多个薄膜晶体管是非晶硅薄膜晶体管。
31.根据权利要求20的方法，其特征在于，驱动元件包括n型薄膜晶体管。
32.根据权利要求31的方法，其特征在于，漏极的电压值大于源极的电压值。
33.一种有机电致发光装置的驱动系统，包括彼此正对并且相互间隔的第一和第二栅极；位于第一和第二栅极之上的有源层；位于第一和第二栅极之间的漏极；和基本上围绕漏极的源极。
全文摘要
一种有机电致发光装置，包括位于基板上的栅极线和数据线，数据线穿过栅极线；与栅极线和数据线连接的开关元件；具有多个相互并联连接的薄膜晶体管的驱动元件，该驱动元件与开关元件连接；与驱动元件连接的有机电致发光二极管，其中驱动元件包括第一和第二栅极，位于第一和第二栅极之上的有源层，位于第一和第二栅极之间的漏极，和基本上围绕漏极的源极。
文档编号H05B33/00GK1638550SQ20041005944
公开日2005年7月13日 申请日期2004年6月28日 优先权日2003年12月30日
发明者朴宰用 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社