专利名称：制备硅太阳能双玻组件(bipv)工艺的改进的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种制备硅太阳能双玻组件(BIPV)工艺的改进，具体是改善太阳能双玻组件生产中出现的气泡及电池串位移问题，尤其是对气泡问题能很好的解决。
背景技术：
在制作太阳能双玻组件过程当中，组件中经常会出现气泡，而且气泡大多出现在电池串之间与玻璃边缘地带，不仅如此，电池串整体还会出现位移，这样的组件不仅寿命缩短，而且外观质量大打折扣。引起组件当中出现气泡的因素很多，常见的比如:层压参数、设备的性能以及制作工艺方面；那么在设备性能和层压参数都无法改变的情况下，制作工艺的改进就显得非常的灵活。电池串位移是由于在抽真空过程当中EVA融化具有流动性导致本身不牢固的电池串发生位移，在这里有一种办法可以将电池串固定住，增加它位移的阻力。三、发明的内容本发明的目的是针对现有技术的不足之处，提供一种制备硅太阳能双玻组件(BIPV)工艺的改进，本发明拟解决的问题是:硅太阳能双玻组件(BIPV)当中出现的气泡和电池串位移问题。 本发明能很好的解决组件当中出现的气泡和电池串位移问题，使得组件的使用寿命增加，外观更加的美观。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:设计一种用于消除晶硅太阳能双玻组件中气泡的工艺；设计一种减少太阳能双玻组件电池串位移的工艺。用于消除晶硅太阳能双玻组件中气泡的工艺步骤如下:(I)、先按照现有工艺铺设好底层EVA和电池串；(2)、将宽度为1cm，长为160cm的EVA小条铺设在两电池串的中间即容易出现气泡的地方，将其上层玻璃铺上，并用高温胶带封住组件的四周；(3)、将其所做组件按照现有的工艺进行层压。经过层压出的组件，要求没有肉眼可见的气泡。减少太阳能双玻组件电池串位移的工艺如下:(1)、先按照现有的工艺铺设好底层EVA和电池串；(2)、用高温胶带将相邻的两个电池串固定住；(3)、将所做组件按照现有的工艺进行层压。经过层压出的组件，要求没有明显的位移，误差范围为正负1_。本发明生产的双玻组件，与现有工艺相比，具有以下优点:1、本发明可以使电池串间的气泡问题和电池串的位移问题基本解决。2、组件外观更加美观，透光率提高。3、可以更好的防止雨水进入组件，提高了组件的使用寿命。本发明能很好的解决组件当中出现的气泡和电池串位移问题，使得组件的使用寿命增加，外观更加的美观。
五具体实施例方式下面结合具体实施例对本发明做进一步说明。实例1:步骤一:做6X 10双玻组件，按照现有的工艺铺设好下层EVA和电池片，裁宽度为lcm，长度为160cm的EVA 5条分别铺设在两串电池串的中间，铺设上层EVA和玻璃，并用绿色高温胶带封住组件的四周。步骤二:将步骤一所做组件按照现有工艺参数进行层压，温度:147°C，抽真空:12min,升压:1.5min,保压:17min。效果分析:利用此工艺层压出的双玻组件，不论是组件边缘还是电池串中间的气泡都较之前明显减少。实例2:步骤一:做6X 10双玻组件，按照现有工艺铺设好下层EVA和电池片，用高温透明胶带将行数为1、4、7、10的相邻电池串固定，相邻两电池串之间的距离为1cm，铺设好上层EVA和玻璃。 步骤二:将步骤一所做组件按照现有工艺参数进行层压，温度:147°C，抽真空:12min,升压:1.5min,保压:17min。效果分析:利用此工艺层压出的双玻组件，电池串位移明显改善，约为0.1cm,比原有工艺减少0.2-0.3cm。
权利要求
1.一种制备硅太阳能双玻组件(BIPV)工艺的改进，其特征在于:其一种用于消除晶硅太阳能双玻组件中气泡的工艺；另一种减少太阳能双玻组件电池串位移的工艺， 所述的用于消除晶硅太阳能双玻组件中气泡的工艺，其工艺步骤如下: (1)、先按照现有工艺铺设好底层EVA和电池串； (2)、将宽度为1cm，长为160cm的EVA小条铺设在两电池串的中间即容易出现气泡的地方，将其上层玻璃铺上，并用高温胶带封住组件的四周； (3)、将其所做组件按照现有的工艺进行层压； 所述的减少太阳能双玻组件电池串位移的工艺，其工艺步骤如下: (1)、先按照现有的工艺铺设好底层EVA和电池串； (2)、用高温胶带将相邻的两个电池串固定住； (3)、将所做组件按照现 有的工艺进行层压。
全文摘要
本发明涉及一种制备硅太阳能双玻组件(BIPV)工艺的改进，具体是改善太阳能双玻组件生产中出现的气泡及电池串位移问题，尤其是对气泡问题能很好的解决。本发明解决其技术问题所采用的技术方案是设计一种用于消除晶硅太阳能双玻组件中气泡的工艺；设计一种减少太阳能双玻组件电池串位移的工艺。本发明生产的双玻组件，具有以下优点1、本发明可以使电池串间的气泡问题和电池串的位移问题基本解决。2、组件外观更加美观，透光率提高。3、可以更好的防止雨水进入组件，提高了组件的使用寿命。
文档编号H01L31/18GK103219417SQ20131009763
公开日2013年7月24日 申请日期2013年3月11日 优先权日2013年3月11日
发明者屈伟, 王冰, 张毅, 李翔, 席宁 申请人:陕西天宏硅材料有限责任公司