用于衬底处理腔室的气体供应系统及其方法
【专利摘要】本发明提供用于衬底处理腔室的气体供应系统及其方法，以及用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统，该成组的处理气体是可用于衬底处理腔室的多种处理气体的子集。气体供应子系统具有的多种气体质量流量控制器的数量少于可用处理气体的数量，其中多种处理气体在一个或多个多种气体质量流量控制器的入口处复用。泵清洗可用来提高用于多种气体的质量流量控制器的气体转换速度。
【专利说明】用于衬底处理腔室的气体供应系统及其方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于处理半导体衬底(例如，晶片、平板显示器等等)的方法和装置。尤其是，本发明涉及用于向配置为处理衬底的衬底处理腔室中供应处理气体的方法和装置。
【背景技术】
[0002]衬底处理包括，在其他处理步骤中，选择性的沉积和从衬底表面去除材料。很多沉积和蚀刻处理利用处理源气体来执行前述的沉积和蚀刻。等离子体增强蚀刻是一种示例性的沉积处理工艺，其在一个或多个处理步骤中利用了多种处理气体。
[0003]在下文中，等离子体增强蚀刻和等离子体增强蚀刻腔室被用来描述不同的概念和实现实施例。然而，应该理解的是，此处所讨论的概念和实施方式可以应用到在衬底的处理中采用一个或多个处理气体的任何处理系统或技术中。
[0004]在典型的等离子体处理腔室中，多种源气体对腔室是可用的。将可用的源气体提供给与等离子体处理腔室相关联的气体输送系统。根据配方的要求，在任何给定的处理步骤期间可用气体的子集可通过气体输送系统提供到腔室中。
[0005]例如，在给定的配方步骤期间，配方可要求使用20sCCm(标准立方厘米)的N2,60sccm的CHF3,以及30sccm的Ar被输送到腔室中。为了控制(S卩，打开/关闭和/或测量)所需气体的流量，将特定气体从气体供给源运送到腔室的每一个馈线上可安装质量流量控制器(MFC:mass flow controller)。
[0006]这样的话，具有16种可用处理气体的腔室可安装采用16个MFC的气体供应系统，其中每一个MFC打开/关闭以及测量16种可用气体中的一种。在特定的处理步骤期间流动的各个组成气体(例如前面提到的N2、CHF3以及Ar)可以在输送到腔室之前在混合歧管中混合。
[0007]图1显示了现有技术中气体供应装置100的示例，其中16个MFC(102A_102P)与16个气体供应管线耦合(104A-104P，分别的)。每一个MFC可以控制到与其耦合的供应管线的处理气体的流量。通过打开/关闭MFC和/或使用MFC来测量流量，可将处理气体从处理步骤中排除或者以处理配方指定的流量速率来将处理气体提供给腔室。
[0008]尽管这样的设计已经证明了在过去的有用性，但是仍然有可以改进的地方。参考前面提到的实施例，使用16个MFC来控制16种供应气体指定了气体供应系统及其外壳110必须具有一定的尺寸来容纳至少16个MFC。16个MFC的使用也指定了混合歧管112必须足够长以能够耦合到16个MFC的出口。
[0009]此外，16个MFC以及大的混合歧管增加了气体供应系统的占地面积并且增加了气体供应外壳的内部容量(volume)。由于环境整治要求通常需要清洗存在于气体供应系统外壳内的任何气态物质或者从气体供应系统的外壳的内部空间中耗尽任何气态物质，因此，更大的内部容量将使得需要清洗的更大容量的气态物质的成本增加。
[0010]此外，更大的气体供应系统的外壳需要气体供应系统安装在远离腔室的位置(例如，相对于较小的气体供应系统来说)。因此，则需要更长的将腔室与混合歧管连接起来的腔室气体供应管线。
[0011]再进一步，某些配方需要供应气体的脉冲发生(pulsing)。例如，配方可需要在气体混合物I和气体混合物2之间的交替脉冲发生。在脉冲发生应用中，更长的混合歧管和更长的腔室气体供应管线增加了气体的停留时间，从而使得快速地从一种气体混合物切换到另一种气体混合物是不切实际的。
[0012]至少基于这些原因，需要用于衬底处理腔室的改进的气体供应装置及其方法。
【发明内容】
[0013]在一种实施方式中，本发明涉及用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统，该成组的处理气体是能用于衬底处理腔室的多种处理气体的子集。包括多个处理气体导管来提供多种处理气体。在一种实施方式中，本发明也包括多个质量流量控制器，所述多个质量流量控制器具有与所述多种处理气体中的处理气体的总数量相比较少数量的质量流量控制器；其中所述多种处理气体中的至少第一处理气体通过所述多个质量流量控制器中的至少两个质量流量控制器而处于选择性气体流量控制之下，并且其中所述至少两个质量流量控制器中的至少第一质量流量控制器还提供了对所述多种处理气体中的第二处理气体的选择性的气体流量控制。
[0014]在另一种实施方式中，本发明涉及向衬底处理腔室提供成组的处理气体的方法，该成组的处理气体是可用于衬底处理腔室的多个处理气体的子集。该方法包括向质量流量控制器提供多种处理气体中的第一处理气体，据此该质量流量控制器控制到衬底处理腔室的第一处理气体的流量。该方法也包括之后打开至真空的上流阀以从质量流量控制器冲洗第一处理气体的至少一部分，该上流真空阀与质量流量控制器的入口气体连通(gaseouscommunication)。该方法也包括之后向质量流量控制器提供多种处理气体中的第二处理气体，据此该质量流量控制器控制到衬底处理腔室的第二处理气体的流量。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]将在附图中以示例而并非以限制为目的对本发明进行解释，其中相同的附图标记表示相同的元件。
[0016]图1显示了示例性的现有技术的气体供应装置，其中16个MFC(102A_102P)与16个气体供应管线耦合(分别，104A-104P)；
[0017]图2显示了根据本发明的实施方式的等离子体处理系统的简化表现形式，包括等离子体处理腔室和气体供应系统；
[0018]图3显示了示例性的MFC，其耦合以接收两种可能的气体供应X和Y，以利于在本发明可选的泵清洗(pump-purge)方面的讨论；
[0019]图4显示了根据本发明的实施方式，执行可选的泵清洗(pump-purge)的步骤的简化流程图。
【具体实施方式】
[0020]下面将参照附图所示的若干实施方式来详细描述本发明。在下文中，为了全面的理解本发明，阐述了很多特定的细节。然而，对本领域技术人员来说，很显然本发明可以在不具有这些细节的部分或全部的环境之下实现。在其他示例中，则未详细描述公知的工艺步骤和/或结构以免不必要地使本发明难以理解。
[0021]下文中描述了多种实施方式，包括方法和技术。应该了解的是，本发明可能还包括制造的制品，该制品包括存储在其上实施本发明的实施方式的计算机可读指令的计算机可读介质。举例来说，计算机可读介质包括，用于存储计算机可读代码的半导体的、磁性的、光磁性的、光学的或其他形式的计算机可读介质。此外，本发明也包括实现本发明实施方式的装置。这样的装置可包括专用和/或可编程的电路以执行关于本发明实施方式中的任务。这样的装置的实施例包括通用目的计算机和/或适当编程的专用计算装置，并且还包括用于实现本发明的实施方式的不同任务的计算机/计算装置和专用的/可编程的电路的组
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[0022]本发明的实施方式涉及用于向配置为处理衬底的衬底处理腔室提供成组的处理气体的方法和装置。本文中发明人意识到，尽管许多处理气体对典型的处理腔室是可用的，但是极为罕见的，如果有的话，存在处理配方(例如或者用于沉积或者用于蚀刻的配方)可能需要多于对衬底处理系统是可用的处理气体的子集(通常是小的子集)。这是因为有一些处理气体的组合是不兼容的或者只是简单地不能一同应用于衬底处理。
[0023]相应地，人们意识到，如果用于控制(即，打开/关闭和/或测量)气体流量的质量流量控制器可以耦合使得质量流量控制器(MFC)可以为多于一种处理气体执行选择性的流量控制的话，则MFC的总数量则会减少。如果MFC可在任何给定的时间内耦合到多种处理气体中的任何一种处理气体并且可控制(即，打开/关闭和/或测量)其当前正在接收的处理气体，则此处所使用的术语MFC是用来为多种处理气体执行选择性流量控制的。
[0024]在一种或多种实施方式中，提出了一种新型的装置，由此提供给腔室的处理气体所需要的MFC的数量会小于腔室可用的处理气体的总数量。此处所用的术语，“可用处理气体”表示所有可供应给腔室的可能的处理气体，尽管给定的配方可能仅利用可用处理气体的子集。
[0025]为了减少MFC的数量，这样的话就会有比可用处理气体总数量更少的MFC，其中至少一个，或者一些，或者全部的MFC的每一个将稱合来接收以及控制超过一种处理气体。在一种或多种实施方式中，可将给定的处理气体提供给多于一个MFC，这样的话，提供该气体的MFC中的任意一个可用来控制该处理气体的流量。
[0026]在一种或多种实施方式中，可用的处理气体或可用的处理气体的子集可以在给定的MFC入口处复用(multiplex),这样的话,虽然一种以上的处理气体对给定的MFC是可用的，但是在任何给定的时间内只有一种(或者没有)处理气体被MFC控制。
[0027]此外，本发明的实施方式提出了成组的锁定(lock-out)的组合，这样的话，某些处理气体组合在给定MFC的入口侧不能被复用。这种锁定能力对防止在MFC内部的不兼容气体之间/之中有害的或破坏的无意的反应尤其地有效。
[0028]在一种或多种实施方式中，提出了利用泵清洗(pump-purge)过程来缩短利用给定的MFC来将一种处理气体转换为另一种处理气体所需的时间。在实施方式中，上游阀耦合到MFC的入口。可以打开该上游阀来通向真空，这样的话，在气体转换之前，先前流过MFC的处理气体可被抽真空。这种真空处理减少了任何之前气体的残留。此后，在第二处理气体流向MFC的入口之前、同时或不久之后，可关闭通向真空的上游阀。在一种或多种实施方式中，在将之前的处理气体转换为随后的处理气体之前，清洗气体(例如，与之前处理气体或随后的处理气体相对无反应的惰性气体或处理兼容气体)可用来清洗MFC和/或与其耦合的导管。
[0029]由于采用了更少的MFC，则耦合到MFC的出口的混合歧管将会缩短。此外，由于需要较少的MFC，因此气体供应系统的占地面积也将减少。该更小的气体供应系统将会位于离腔室更近的位置，由此减少混合歧管到腔室的气体供应管线的长度。当一个或两个混合歧管以及混合歧管到腔室的气体供应管线被缩短时，气体的停留时间则减少并且可能会有更快的气体交换。在实施方式中，将气体交换进行地足够快从而使得各种气体混合物之间的气体脉冲发生可以适合于使用该种气体脉冲发生的处理配方。
[0030]尽管在MFC的入口处的可用处理气体(或处理气体的子集)的复用需要额外的阀和导管，但本文的发明人意识到，由于在上游侧没有气体脉冲发生或气体转换，因此在MFC的上游侧导管的长度和占地面积的限制则不那么关键。所采用的MFC数量的减少，混合歧管的长度的减少和/或混合歧管到腔室气体供应管线长度的减少代表了有利的折衷。
[0031 ] 将在下文中参考附图来更好的理解本发明的实施方式的特点和优点。
[0032]图2显示了根据本发明的实施方式的等离子体处理系统200的一部分的简化示意图，包括等离子体处理腔室202和气体供应系统204。气体供应系统204包括4个示例的MFC206A、206B、206C和206D，这些MFC的出口与混合歧管208耦合。可用的供应气体210A-210H表示8种示例的可用供应气体，这些供应气体的不同组合对腔室202是可用的。尽管图中仅显示了 4个MFC和8种可用供应气体，但应该了解的是，气体供应系统可以有任意数量的MFC并且能够处理任意数量的可用供应气体。
[0033]在图2的实施例中，假定已经确定(为了解释当前的实施例)在腔室202中执行的配方在任何给定的时间内最多使用4种处理气体。相应地，只提供了 4个MFC以减少MFC的数量并且缩短混合歧管208的长度，同时缩短混合歧管到腔室的气体供应管线260的长度(由于气体供应系统的占地面积被减少)。
[0034]如图所示，MFC206A与气体供应管线210A、210B、210C和210D耦合(分别通过气体导管段214A、214B、214C、214D)来执行通过气体供应管线210A、210B、210C和210D提供的处理气体的选择性流量控制。主阀230A被设置在气体管道段214A上来至少打开/关闭通过气体供应管线210A和气体管道段214A提供到MFC206A的气体流量。类似的主阀230B、230C和230D可分别设置在气体管道段214B、214C和214D上。主阀230A-230D或者关闭所有输入到MFC206A中的气体，或者复用来自气体供应管线210A、210B、210C和210D到MFC206A的入口的最多一种处理气体。
[0035]如图2所示，主阀230A、230B、230C和230D与通用MFC入口歧管240耦合，通用MFC入口歧管240与MFC206A的入口侧是气体连通的。在一种或多种实施方式中，可选地设置上游阀242来打开MFC206A和通用MFC入口歧管242的内部到真空的连通(图2中所示的238)以更快地排出MFC206A和通用MFC入口歧管242中存在的任何气体，由此通过MFC206A提供更快速的气体转换。如果需要的话，上游阀242也需要执行额外的切断阀的功能。应该理解的是，如果实现泵清洗功能的话，那么上游阀和类似的真空清洗能力可通过MFC206B.206C和206D来提供。这个可选的泵清洗能力将在本文中稍后讨论。[0036]通过相似配置的气体导管段和主阀，MFC206B与气体供应管线210E、210F、210G和210H耦合。通过相似配置的气体导管段和主阀，MFC206C与气体供应管线210A、210C和210G耦合。通过相似配置的气体导管段和主阀，MFC206D与气体供应管线210A、210B、210C、210D、210E、210F、210G和210H耦合。如图2所示，在入口侧的复用模式下，给定的MFC可以耦合来接收可用气体的任意子集或接收所有的可用供应气体。如上所述，与每一个MFC的入口侧耦合的通用入口歧管上也可以配置可选的上游阀。
[0037]在一种或多种实施方式中，也可在MFC206A的出口侧提供可选的下游阀250。可选的下游阀250可执行与上游阀242有关的相同的方式切断阀和/或真空净化阀的功能。如果需要的话，可以向每一个MFC206A、206B、206C和206D提供下游阀。
[0038]从图2中可以看出，虽然存在8种可用气体，由于已经确定在腔室202中执行的配方最多只利用4种处理气体，因此只需要4个MFC(206A、206B、206C和206D)。由于需要较少的MFC，因此，混合歧管208的长度可以缩短。更短的混合歧管208具有更小的容量，由此，减少了气体停留时间，使得通过MFC206A和气体供应系统204可以进行更快的气体转换。
[0039]此外，由于采用了较少的MFC，因此气体供应系统204的占地面积也会减少。更小的气体供应系统204可以放置在离腔室202更近的位置，由此，缩短了混合歧管到腔室气体管线260的长度。更短的混合歧管到腔室的管线260具有更小的容量，由此减少了气体停留时间从而使得通过气体供应系统204可以进行更快的气体转换。
[0040]此外，由于给定的处理气体(例如，通过气体管线210G供应的处理气体)可以通过多于一个MFC所控制(例如，通过图2的示例的MFC206B和206C)，如果上述MFC中的一个(举例来说，例如是MFC206B)需要离线的维护，那么处理可以继续进行，因为经由气体管线210G所供应的处理气体可继续被测量并且经由MFC206C被供应到腔室中。
[0041 ] 如前所述，通过实现可选的泵清洗过程从而实现通过MFC或通过气体供应系统来提高气体交换速度。图3显示了示例性耦合的MFC314以经由主阀304A和304B来分别接收两种可用的气体X和Y。上游阀308可被配置为将MFC314，MFC314的入口导管312以及通用入口歧管316通气(vent)到真空310中。替代地，上游阀308可被打开以使气体从通用入口歧管316流向入口导管312或者切断从通用入口歧管316流出到入口导管312或者真空310的气体。
[0042]假定处理的给定步骤需要气体X流过MFC314(通过打开主阀304A和关闭主阀304B)。在这种情况下，上游阀308打开以允许气体从通用入口歧管316流过到入口导管312。因此，在该设置下MFC314执行气体X的选择流量控制。
[0043]如果随后的处理步骤(或者当前处理步骤的随后子步骤)需要气体Y的选择流量控制(即，从气体X到气体Y的脉冲发生)，主阀304A可被关闭从而首先切断气体X到MFC314的供应。随后，上游阀308可通风到真空310中，这样允许气体X残留在MFC314，入口导管312和/或通用入口歧管316中以被排出到真空310中。
[0044]如果需要的话，主阀304B可被打开以允许气体Y用气体Y冲洗(flush)通用入口歧管316。这样的话，上游阀308可被转换为流量穿过模式以允许通用入口歧管316与入口导管312气体连通。如果主阀304B已经被打开的话，则气体Y将被提供给MFC314。替代地，主阀304B可保持关闭直到下游阀308从真空清洗模式切换到流量穿过模式之后。由于残留在MFC314、入口导管312和/或通用入口歧管316中的气体X已经被排出到真空310中，因此从气体X到气体Y的气体交换时间被缩短，任何意外或不期望的气体X和Y的混合则被最小化。
[0045]图3也显示了可选的下游阀330，其耦合在MFC314的出口和混合歧管332之间。真空清洗可通过下游阀330进行以疏散(evacuate)在耦合到MFC314的输出侧的输出管道中的气体X残留物或者从混合歧管332中疏散气体X残留物。如果上游阀308和下游阀330 二者都在气体X转换到气体Y之前排出到真空的话，实质上在经由主阀304B使气体Y流动之前，所有的气体X残留物可以从通用的入口歧管316、入口导管312、MFC314、输出导管340以及混合歧管332中排出。
[0046]图4显示了根据本发明的实施方式的用于执行可选泵清洗的步骤的简化流程图。在该实施例中，执行从气体X到气体Y的转换。在步骤402中，气体X流过MFC。在步骤404中，气体X的流被切断(例如，经由控制气体X到MFC的流的主阀)。在步骤406中，通过打开通向真空的上游阀，执行真空清洗以将气体X残留物从MFC和MFC入口侧导管中移除。
[0047]在步骤408中，通过打开通向真空的下游阀，可选的执行真空清洗以从MFC和从MFC出口侧导管和/或从混合歧管中移除气体X残留物。
[0048]在步骤410中，通过打开控制气体Y向MFC流动的主阀来使气体Y流向MFC。上游阀处于流量穿过模式从而允许气体Y被从通用入口歧管供应到MFC。下游阀(如果有的话)也处于流量穿过模式以允许气体Y离开MFC到混合歧管。控制气体Y的流的主阀可在上游阀和/或下游阀转换到流量穿过模式(从真空清洗模式)之后，稍微提前，或者同时，或者稍微延后打开。
[0049]如上所述，本发明的实施方式实际上通过减少MFC的数量到少于可用的供应气体的数量来减少气体供应系统的占地面积。随着气体供应系统中更少的MFC，混合歧管的长度可被减少，由此降低了混合歧管的容量及其中气体停留的时间从而改善气体交换的时间。
[0050]此外，更小的气体供应系统的占地面积使得气体供应系统可以位于离腔室更近的位置，由此减少混合歧管到腔室的气体管线的长度(例如图2中气体管线260)。更短的混合歧管到腔室的气体管线的长度也减少了其中的容量，由此减少在其中的气体停留时间并改善了气体交换时间。如此快的气体交换时间使得执行气体脉冲发生配方变得可能，其中供应气体可以在多秒或次秒(sub-seconds)的范围内进行切换。
[0051]由于给定的处理气体通过一个以上的MFC而处于选择气体流量控制之下，因此系统的可靠性可以提升。如果对给定的MFC进行离线维护的话，则该处理气体可被控制并经由另一个MFC被供应到腔室中，由此使得处理得以继续进行。这与图1中的现有技术的情况不相同，其中每一种处理气体由其自己的MFC控制并且MFC的不可用将使得用于处理目的的对处理气体的流量控制不可用。
[0052]尽管已经通过多个实施方式来描述本发明，其依然有落入本发明的保护范围之内的变形方案、置换方案以及等效方案。如果本文中使用术语“设定”，那么这样的术语意图具有其自身通用的能够理解的数学含义，其涵盖零个、一个或者多个一个成员。本发明应该被理解为涵盖了这些变形方案、置换方案以及等效方案。还应该注意的是，有许多实现本发明的方法和装置的替代方式。尽管本文中已经提供了不同的实施例，但其目的是这些实施例是说明性的而并不是对本发明的限制。
【权利要求】
1.一种用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统，所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集，该子系统包括: 多个处理气体导管，其提供多种处理气体；以及 多个质量流量控制器，每个质量流量控制器都具有与所述多个处理气体导管中的选择性的导管实现气体连通的输入，所述多个质量流量控制器具有比所述多种处理气体中的处理气体的总数量少的质量流量控制器， 其中所述多个处理气体中的至少第一处理气体通过所述多个质量流量控制器中的至少两个质量流量控制器而处于选择性气体流量控制之下，并且其中所述至少两个质量流量控制器中的至少第一质量流量控制器还提供了对所述多种处理气体中的第二处理气体的选择性的气体流量控制。
2.如权利要求1所述的气体供应子系统，其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也提供对所述多个处理气体中的所述第二处理气体的选择性气体流量控制。
3.如权利要求1所述的气体供应子系统，其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也提供对所述多个处理气体的第三处理气体的选择性气体流量控制。
4.如权利要求1所述的气体供应子系统，其进一步包括: 第一上游阀，其与所述第一质量流量控制器的入口耦合，所述第一上游阀选择性地将所述入口耦合到真空或者耦合到提供所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的导管上。
5.如权利要求1所述的气体供应子系统，其中所述第一处理气体代表蚀刻源气体。
6.如权利要求6所述的气体供应子系统，其中所述衬底处理腔室代表等离子体处理腔室。
7.如权利要求1所述的气体供应子系统，其中所述第一处理气体代表沉积源气体。
8.—种向衬底处理腔室提供成组的处理气体的方法，所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集，该方法包括: 向质量流量控制器提供所述多种处理气体中的第一处理气体，由此所述质量流量控制器控制到所述衬底处理腔室的所述第一处理气体的流量； 随后打开通向真空的上游阀以从所述质量流量控制器中冲洗所述第一气体的至少一部分，其中所述上游阀与所述质量流量控制器的入口是气体连通的；以及 随后向所述质量流量控制器提供所述多种处理气体中的第二处理气体，由此所述质量流量控制器控制到所述衬底处理腔室的所述第二处理气体的流量。
9.如权利要求8所述的方法，其进一步包括: 在向所述质量流量控制器提供所述第二处理气体的持续时间的至少一部分期间，保持所述上游阀打开通向所述真空。
10.如权利要求9所述的方法，其进一步包括: 在所述打开通向所述真空的所述上游阀之后但是在提供所述第二气体之前，利用第三气体来清洗所述质量流量控制器。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一处理气体代表蚀刻源气体。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述衬底处理腔室代表等离子体处理腔室。
13.如权利要求8所述的方法，其中所述第一处理气体代表沉积源气体。
14.一种用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统，所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集，该系统包括: 多个质量流量控制器，其具有比所述多种处理气体中的处理气体的总数量少的质量流量控制器；以及 多个气体输入复用器，所述多个气体输入复用器中的每一个分别与所述多个质量流量控制器中的一个耦合，所述多个气体输入复用器中的每一个接收所述多种处理气体中的能用的多个处理气体并提供所述多个处理气体中的一个至所述多个质量流量控制器中的相应的一个， 其中所述多种处理气体中的至少第一处理气体通过所述多个质量流量控制器中的至少两个质量流量控制器而处于选择性气体流量控制之下，并且其中所述至少两个质量流量控制器中的至少第一质量流量控制器还提供了对所述多种处理气体中的第二处理气体的选择性气体流量控制。
15.如权利要求14所述的气体供应子系统，其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也对所述多种处理气体中的所述第二处理气体提供选择性气体流量控制。
16.如权利要求14所述的气体供应子系统，其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也对所述多种处理气体的第三处理气体提供选择性气体流量控制。
17.如权利要求1 4所述的气体处理子系统，其进一步包括: 第一上游阀，其与所述第一质量流量控制器的入口耦合，所述第一上游阀选择性地将所述入口耦合到真空或者耦合到提供所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的导管上。
18.如权利要求14所述的气体供应子系统，其中所述第一处理气体代表蚀刻源气体。
19.如权利要求18所述的气体供应子系统，其中所述衬底处理腔室代表等离子体处理腔室。
20.如权利要求14所述的气体供应子系统，其中所述第一处理气体代表沉积源气体。
【文档编号】H01L21/3065GK103972010SQ201310754016
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2012年12月31日
【发明者】伊克巴尔·谢里夫, 马克·塔斯卡尔, 埃万盖洛斯·斯皮罗普洛斯 申请人:朗姆研究公司