柔性oled面板的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，该方法简单，通过在第一基板上设置支撑层上并在支撑层上蚀刻凹槽以及在凹槽内涂布UV胶，将第一基板与柔性材料层固定，得到平坦、可操作、不易发生形变的柔性材料层，而在完成OLED器件的制成后，再将凹槽限定的区域外的部分切除，使第一基板与柔性材料层分离，进而制成柔性OLED面板，该方法可实现自动化，且不会破坏元件。
【专利说明】柔性OLED面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及平面显示领域，尤其涉及一种柔性OLED面板的制作方法。
【背景技术】
[0002]平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(IXD, Liquid Crystal Display)及有机发光显示装置(OLED, Organic Light Emitting Display)。
[0003]有机发光显示装置具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示装置，被广泛应用于手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等电子产品上。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。
[0004]OLED显示技术的发展使柔性OLED显示技术成为面板行业的新秀。但是柔性基板由于易发生形变，在生产过程中，尤其是在对位、TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶体管)或OLED成膜过程中难以操作。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于提供一种OLED面板的制作方法，方法简单，可实现自动化，且不会破坏元件，有效解决由于柔性基板易发生形变而使生产过程难以操作的问题。
[0006]为实现上述目的，本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，包括以下步骤:
[0007]步骤1、提供一第一基板,在该第一基板上形成一支撑层；
[0008]步骤2、在所述支撑层的四周边缘位置蚀刻形成凹槽，并在该凹槽内涂布UV胶；
[0009]步骤3、提供一第二基板及柔性材料，将所述柔性材料平铺并真空吸附于所述第二基板上，以形成一柔性材料层；
[0010]步骤4、在真空条件下，将所述第一基板与第二基板进行对位贴合，所述第二基板上的柔性材料层朝向第一基板上的支撑层，并通过紫外线照射固化UV胶，使所述柔性材料层固定于所述支撑层上，并移除第二基板；
[0011]步骤5、对应所述凹槽的内侧边围成的区域内，在所述柔性材料层上依次形成TFT元件及OLED元件，并在该OLED元件上形成封装层，以对该OLED元件进行封装；
[0012]步骤6、将所述凹槽的内侧边围成的区域外的部分切割掉，进而将所述第一基板及支撑层与所述柔性材料层、TFT元件、OLED元件及封装层分离，进而制得柔性OLED面板。
[0013]所述第一基板为玻璃基板。
[0014]所述支撑层由氮化硅或二氧化硅制成。
[0015]所述UV胶的厚度大于所述凹槽的深度。
[0016]所述步骤2中，所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。
[0017]所述第二基板为玻璃基板。[0018]所述步骤3中，所述柔性材料通过滚轴滚压平铺并真空吸附于所述第二基板上。
[0019]所述OLED元件包括阳极、形成于阳极上的有机材料层、及形成于有机材料层上的阴极。
[0020]本发明的有益效果:本发明柔性OLED面板的制作方法，方法简单，通过在第一基板上设置支撑层上并在支撑层上蚀刻凹槽以及在凹槽内涂布UV胶，将第一基板与柔性材料层固定，得到平坦、可操作、不易发生形变的柔性材料层，而在完成OLED器件的制成后，再将凹槽限定的区域外的部分切除，使第一基板与柔性材料层分离，进而制成柔性OLED面板，该方法可实现自动化，且不会破坏元件。
[0021]为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0023]附图中，
[0024]图1为本发明柔性OLED面板的制作方法的流程图；
[0025]图2至图9B为本发明柔性OLED面板的制作方法的制程示意图。
【具体实施方式】
[0026]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0027]请参阅图1至图9B，本发明提供一种柔性OLED面板的制作方法，包括以下步骤:
[0028]步骤1、提供一第一基板20，在该第一基板20上形成一支撑层22。
[0029]所述第一基板20可以为玻璃基板或塑料基板，本实施例中，第一基板20优选为玻璃基板。所述支撑层22由氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
[0030]步骤2、在所述支撑层22的四周边缘位置蚀刻形成凹槽24，并在该凹槽24内涂布UV 胶 26。
[0031]所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。所述UV胶26的厚度略大于所述凹槽24的深度，如图3A及图3B所示，其中图3B为图3A的俯视图。
[0032]步骤3、提供一第二基板28及柔性材料，将所述柔性材料平铺并真空吸附于所述第二基板28上，以形成一柔性材料层30。
[0033]该步骤中，所述柔性材料通过滚轴滚压平铺并真空吸附于所述第二基板28上(如图4A所示)。
[0034]步骤4、在真空条件下，将所述第一基板20与第二基板28进行对位贴合，所述第二基板28上的柔性材料层30朝向第一基板20上的支撑层22，并通过紫外线照射固化UV胶26，使所述柔性材料层30固定于所述支撑层22上，并移除第二基板28。
[0035]通过该步骤得到的柔性材料层30即为柔性基板，因该柔性基板已通过UV胶固定于所述第一基板20上的支撑层22上方，故该柔性基板平坦且不易发生形变，在生产过程中可操作。[0036]步骤5、对应所述凹槽24的内侧边A形成的区域，在所述柔性材料层30上依次形成TFT元件32及OLED元件34，并在该OLED元件34上形成封装层36，以对该OLED元件34进行封装。
[0037]所述OLED元件34包括阳极、形成于阳极上的有机材料层、及形成于有机材料层上的阴极。
[0038]所述封装层36为一层薄膜。步骤6、将所述凹槽24的内侧边A形成的区域外的部分切割掉，进而将所述第一基板20及支撑层22与所述柔性材料层30、TFT元件32、0LED元件34及封装层36分离，进而制得柔性OLED面板。
[0039]所分离出来的部分即为柔性OLED面板，如图9B所示。
[0040]综上所述，本发明柔性OLED面板的制作方法，方法简单，通过在第一基板上设置支撑层上并在支撑层上蚀刻凹槽以及在凹槽内涂布UV胶，将第一基板与柔性材料层固定，得到平坦、可操作、不易发生形变的柔性材料层，而在完成OLED器件的制成后，再将凹槽限定的区域外的部分切除，使第一基板与柔性材料层分离，进而制成柔性OLED面板，该方法可实现自动化，且不会破坏元件。
[0041]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、提供一第一基板(20 )，在该第一基板(20 )上形成一支撑层(22 ); 步骤2、在所述支撑层(22)的四周边缘位置蚀刻形成凹槽(24)，并在该凹槽(24)内涂布 UV 胶(26)； 步骤3、提供一第二基板(28)及柔性材料，将所述柔性材料平铺并真空吸附于所述第二基板(28)上，以形成一柔性材料层(30)； 步骤4、在真空条件下，将所述第一基板(20)与第二基板(28)进行对位贴合，所述第二基板(28)上的柔性材料层(30)朝向第一基板(20)上的支撑层(22)，并通过紫外线照射固化UV胶(26 )，使所述柔性材料层(30 )固定于所述支撑层(22 )上，并移除第二基板(28 ); 步骤5、对应所述凹槽(24)的内侧边(A)围成的区域，在所述柔性材料层(30)上依次形成TFT元件(32)及OLED元件(34)，并在该OLED元件(34)上形成封装层(36)，以对该OLED元件进行封装； 步骤6、将所述凹槽(24)的内侧边(A)围成的区域外的部分切割掉，进而将所述第一基板(20 )及支撑层(22 )与所述柔性材料层(30 )、TFT元件(32 )、OLED元件(34 )及封装层(36)分离，进而制得柔性OLED面板。
2.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第一基板(20)为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述支撑层(22)由氮化硅或二氧化硅制成。
4.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述UV胶(26)的厚度大于所述凹槽(24)的深度(此处略字会导致权利要求不清楚)。
5.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述蚀刻制程为酸蚀刻制程或干蚀刻制程。
6.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述第二基板(28)为玻璃基板。
7.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述柔性材料通过滚轴滚压平铺并真空吸附于所述第二基板(28)上。
8.如权利要求1所述的柔性OLED面板的制作方法，其特征在于，所述OLED元件(34)包括阳极、形成于阳极上的有机材料层、及形成于有机材料层上的阴极。
【文档编号】H01L21/77GK103745953SQ201310754010
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】曾维静, 刘至哲 申请人:深圳市华星光电技术有限公司