用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构，包括芯片和连接于该芯片上的多块基板，其中，该基板呈“之”字形结构，其上平面连接该芯片、下平面连接焊接点。本实用新型使得焊接点的高度和体积都得到了降低，可以有效地保护芯片，使得电性能提升，寄生电感与电容变小，特别是对高频产品。
【专利说明】用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半导体封装技术，特别涉及一种用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]随着半导体封装技术的迅速发展，各类芯片都通过了封装技术来
[0003]达到保护芯片和避免芯片受潮的目的，并为实现引导芯片与印刷电路板的导通连接创造条件。而封装结构又因为连接工艺的不同存在着区别，用于倒装工艺封装的封装结构就是其中比较典型的一种。
[0004]目前的用于倒装工艺封装的封装结构如图1所示，该结构的多块基板1连接于芯片2上，焊接点(也就是焊球3)连接于基板1上。现有的这种结构的缺点在于，由于基板1的安装位置高于芯片2，造成焊球3的直径变大，从而就导致了其体积的增加，这样在进行导通连接后，就会造成电路板上空间的缩小，可能引起短路的出现。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的就是针对上述问题，提供一种可以有效缩小焊接点的体积，从而可以保护芯片的用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构。
[0006]为了实现上述目的，本实用新型提供了以下技术方案:用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构，包括芯片和连接于该芯片上的多块基板，其中，该基板呈“之”字形结构，其上平面连接该芯片、下平面连接焊接点。
[0007]优选地，上述的基板包括软板和保护层，该软板覆盖于该保护层上。
[0008]优选地，上述的上平面、下平面分别与其连接段形成直角过渡。
[0009]优选地，上述的下平面低于上述芯片0-50 9 III。
[0010]优选地，上述的芯片下设置有第二保护层。
[0011]采用以上技术方案的有益效果在于:本实用新型的芯片封装结构采用了呈“之”字形结构的基板与芯片进行封装，基板的(即“之”字形结构)的上平面连接芯片、下平面则连接焊接点，由于“之”字形结构的特殊构造，因此使得安装焊接点的平台(即下平面)降低，去除掉原先的基板和芯片的那一段高度差，这样焊接点的高度和体积都得到了降低，可以有效地保护芯片。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是现有技术中用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构的结构示意图。
[0013]图2是本实用新型所涉及的用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构的结构示意图。
[0014]其中，1.基板2.芯片3.焊球4.基板41.软板42.保护层43.上平面44.下平面45.连接段5.芯片6.焊接点7.第二保护层。【具体实施方式】
[0015]下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施方式。
[0016]如图2所示，本实用新型的第一种实施方式中，该芯片封装结构包括芯片和连接于该芯片5上的多炔基板4，该基板4呈“之”字形结构，其上平面43连接该芯片5、下平面44连接焊接点6。其中，基板4的数量可以根据选择多少，本实施例中以两块进行说明，但是数量并不局限于两块；焊接点6可以为各种形状，球形的焊接点6只是具体应用中比较典型的一种，因此本实施例也以球形进行说明，但是可以获知的，焊接点6是可以根据需要被加工成各种形状的，也可以为pad等。该芯片封装结构采用了呈“之”字形结构的基板4与芯片5进行封装，基板4的（即“之”字形结构）的上平面43连接芯片5、下平面44则连接焊接点，由于“之”字形结构的特殊构造，因此使得安装焊接点的平台（即下平面44)降低，去除掉原先的基板和芯片的那一段高度差，这样焊接点的高度和体积都得到了降低，可以有效地保护芯片。
[0017]为了使得本芯片封装结构的基板获得更低的制造成本和更好的对芯片的保护作用，如图2所示，本实用新型的第二种实施方式中，上述的基板4可以为两层结构，其包括软板41和保护层42，该软板41覆盖于该保护层42上，其中，软板41可以为FPC、PET、PEN等较软的材料，保护层42可以为由陶瓷片、玻璃片和金属片等制成，软板41和保护层42则可以通过粘接、焊接等已知方式进行连接。金属片又可以选择钢片和铜片等，在实施时都可以作为选择。由于现有技术中的基板都是BP基板，由于BP料成本相较于上述的材料成本较高，因此该基板相较于现有技术首先在制造成本上得到了降低，其次软板41和保护层42的结合，相较于偏塑料材质的BP基板，可以获得更好的涨缩值，因此更能适应一些特别是大尺寸的芯片，为其提供更好的保护作用，并且软板41和保护层42的结合还可以便于“之”字形结构的加工。
[0018]为了使得本芯片封装结构获得更好的保护芯片的效果，如图2所示，本实用新型的第三种实施方式中，上述的上`平面43、下平面44分别与其连接段45形成直角过渡，这样在保证连接稳固性的同时，使得焊球相较于芯片5的横向距离也可以得到最优的距离，使得焊接点6在纵向和横向的长度都可以降低，保证体积的缩小。当然，除了直角过渡，钝角过渡或者锐角过渡都是可以被采用的，当为钝角时，其最好是小于120°的。
[0019]为了使得本芯片封装结构获得更好的效果，如图2所示，本实用新型的第四种实施方式中，上述的下平面44与低于芯片5，具体为低0-50 μ m,即大于Oym小于50 μ m，由于安装过程中，难免会产生几微米的误差，但是不应该超过50 μ m,以保证更好的效果。
[0020]如图2所示，本实用新型的第五种实施方式中，上述的芯片5下设置有第二保护层7，第二保护层7可以是金属片、玻璃、陶瓷和非金属材料等，其可以通过粘接、焊接等已知方式进行连接芯片5，第二保护层7可以使得第二保护层7的cte值与芯片5的cte值一致，保护芯片5。
[0021]以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.用于倒装工艺封装的新型芯片封装结构，包括芯片和连接于所述芯片上的多块基板，其特征在于:所述基板呈“之”字形结构，其上平面连接所述芯片、下平面连接焊接点。
2.根据权利要求1所述的新型芯片封装结构，其特征在于:所述基板包括软板和保护层，所述软板覆盖于所述保护层上。
3.根据权利要求1或2所述的新型芯片封装结构，其特征在于:所述上平面、下平面分别与其连接段形成直角过渡。
4.根据权利要求1或2所述的新型芯片封装结构，其特征在于:所述下平面低于所述芯片 0-50 9 III。
5.根据权利要求1所述的新型芯片封装结构，其特征在于:所述芯片下设置有第二保护层。
【文档编号】H01L23/14GK203631528SQ201320749303
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2013年11月25日 优先权日:2013年11月25日
【发明者】吴勇军 申请人:吴勇军