干法刻蚀机夹具座的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种干法刻蚀机夹具座。其技术方案是：包括酸槽、左下支架、第一聚偏氟乙烯管、右下支架、左上支架、第二聚偏氟乙烯管、右上支架，所述的酸槽的中部安设有左下支架、右下支架、左上支架、右上支架，所述的左下支架和右下支架上固定第一聚偏氟乙烯管，所述的左上支架、右上支架上固定第二聚偏氟乙烯管；所述的第一聚偏氟乙烯管和第二聚偏氟乙烯管组成刻蚀平面。有益效果是：通过夹具座的改造，硅片在放置的过程中整齐的程度得到了保障，从而保障了硅片在干刻过程中刻蚀边缘的宽度，极大程度了降低了过刻片的产生降低了硅片的返工率和失效、低效片的产生。
【专利说明】干法刻蚀机夹具座
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种硅片生产设备，特别涉及一种干法刻蚀机夹具座。
【背景技术】
[0002]刻蚀是半导体、微电子及LED制造过程中的一个重要工序，刻蚀是利用化学或物理方法有选择性地从硅片或者蓝宝石衬底表面去除不需要的材料的过程。随着半导体器件的集成度提高，半导体器件的线宽越来越小，关键尺寸的控制也越来越重要，对刻蚀工艺的要求也越来越高。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。干法刻蚀即等离子体刻蚀，通常在等离子体处理装置中通入刻蚀气体，并电离刻蚀气体成等离子体，利用所述等离子体对待刻蚀的晶圆进行刻蚀。现有的等离子体刻蚀方法通常在待刻蚀表面形成光刻胶图形，以该光刻胶图形为掩膜对待刻蚀层进行刻蚀。干法刻蚀由于各项异性好，选择比高，可控性好，灵活性高，重复形好，易实现自动化，洁净度高的优点成为当今最常用的刻蚀工艺之一。但是目前仍然存在的问题是:在生产156硅片时，夹具底座在底座中放置不稳定且硅片与夹具座接触板接触的面积过小，导致装片时硅片抹不齐，出现过刻现象。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的就是针对现有技术存在的上述缺陷，提供一种干法刻蚀机夹具座，降低了过刻片的产生降低了硅片的返工率和失效、低效片的产生。
[0004]其技术方案是:包括酸槽、左下支架、第一聚偏氟乙烯管、右下支架、左上支架、第二聚偏氟乙烯管、右上支架，所述的酸槽的中部安设有左下支架、右下支架、左上支架、右上支架，所述的左下支架和右下支架上固定第一聚偏氟乙烯管，所述的左上支架、右上支架上固定第二聚偏氟乙烯管；所述的第一聚偏氟乙烯管和第二聚偏氟乙烯管组成刻蚀平面。
[0005]上述的酸槽为长方形结构。
[0006]本实用新型的有益效果是:通过夹具座的改造，硅片在放置的过程中整齐的程度得到了保障，从而保障了硅片在干刻过程中刻蚀边缘的宽度，极大程度了降低了过刻片的产生降低了硅片的返工率和失效、低效片的产生。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]附图1是本实用新型的结构示意图；
[0008]上图中:酸槽1、左下支架2、第一聚偏氟乙烯管3、右下支架4、左上支架5、第一聚偏氟乙烯管6、右上支架7。
【具体实施方式】
[0009]结合附图1，对本实用新型作进一步的描述:
[0010]本实用新型包括酸槽1、左下支架2、第一聚偏氟乙烯管3、右下支架4、左上支架5、第二聚偏氟乙烯管6、右上支架7，所述的酸槽I的中部安设有左下支架2、右下支架4、左上支架5、右上支架7，所述的左下支架2和右下支架4上固定第一聚偏氟乙烯管3，所述的左上支架5、右上支架7上固定第二聚偏氟乙烯管6 ;所述的第一聚偏氟乙烯管3和第二聚偏氟乙烯管6组成刻蚀平面，上述的酸槽I为长方形结构。
[0011]用铣床把聚偏氟乙烯管材切割成215*75*12大小，在上面打上螺丝孔，从而固定在支架上。
[0012]通过夹具座的改造，由第一聚偏氟乙烯管3和第二聚偏氟乙烯管6组成刻蚀平面，代替两块原有的平面板，使硅片在放置的过程中整齐的程度得到了保障，从而保障了硅片在干刻过程中刻蚀边缘的宽度，极大程度了降低了过刻片的产生降低了硅片的返工率和失效、低效片的产生。
【权利要求】
1.一种干法刻蚀机夹具座，其特征是:包括酸槽(I)、左下支架(2)、第一聚偏氟乙烯管(3)、右下支架(4)、左上支架(5)、第二聚偏氟乙烯管(6)、右上支架(7)，所述的酸槽(I)的中部安设有左下支架(2)、右下支架(4)、左上支架(5)、右上支架(7)，所述的左下支架(2)和右下支架(4)上固定第一聚偏氟乙烯管(3)，所述的左上支架(5)、右上支架(7)上固定第二聚偏氟乙烯管(6);所述的第一聚偏氟乙烯管(3)和第二聚偏氟乙烯管(6)组成刻蚀平面。
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀机夹具座，其特征是:所述的酸槽(I)为长方形结构。
【文档编号】H01L21/67GK203760434SQ201320884238
【公开日】2014年8月6日 申请日期:2013年12月31日 优先权日:2013年12月31日
【发明者】宋道新, 万福旺, 张振兴 申请人:山东天信光伏新能源有限公司