小轮廓图像传感器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及小轮廓图像传感器。一种传感器封装包括具有相对的第一和第二表面的主衬底、贯穿该主衬底的开孔、电路层、以及第一接触垫。至少部分地在开孔中的第二衬底具有相对的第一和第二表面，多个光电探测器，在第二衬底第一表面处并且电耦合至光电探测器的第二接触垫，以及形成到第二衬底第一表面中的沟槽，从第二接触垫延伸并且延伸到沟槽中的导电迹线。第三衬底具有安装至第二衬底第一表面的第一表面。第三衬底包括形成在其第一表面中并且位于光电探测器之上的空腔。电连接器将第一接触垫与导电迹线连接。透镜模块被安装至主衬底以用于聚焦光穿过第三衬底并且聚焦到光电探测器上。
【专利说明】小轮廓图像传感器
[0001]相关申请
[0002]本申请要求2013年3月12日提交的美国临时申请号61/778267的权益，并且通过引用将其结合到本文中。
【技术领域】
[0003]本发明涉及一种微电子器件的封装，并且更具体地涉及一种光学半导体器件的封装。
【背景技术】
[0004]半导体器件的趋势是封装在更小封装(其保护芯片，同时提供了离片信令连通性)中的更小的集成电路(IC)器件(也称作芯片)。一个示例是图像传感器，其是包括了将入射光转变成电信号(其以良好的空间分辨率精确地反映了入射光的强度和色彩信息)的光电探测器的IC器件。
[0005]在用于图像传感器的晶片级封装解决方案的研发背后存在不同的驱动力。例如，减小的形状因子(即，为了实现最高能力/体积比而增加的密度)克服了空间限制并且能够实现更小的照相机模块解决方案。增加的电学性能可以利用更短的互连长度来实现，这提高了电学性能并且因此提高了器件速度，并且这强烈降低了芯片功耗。
[0006]当前，板上芯片(C0B-其中裸芯片被直接安装在印刷电路板上)和壳箱(Shellcase)晶片级CSP(其中晶片被层叠在两个玻璃薄片之间)是用于构建图像传感器模块的主要封装和组装工艺(例如用于移动设备照相机、光学鼠标等等)。然而，在使用更高像素的图像传感器时，由于对于封装8英寸和12英寸图像传感器晶片的组装限制、尺寸限制(对于更小轮廓器件的要求)、产量问题和前期资本投资，COB和壳箱WLCSP组装变得越来越困难。此外，标准的WLP封装是扇入式封装，其中芯片面积等于封装面积，因此限制了I/O连接的数目。
[0007]需要改进的封装和封装技术，其提供了是成本有效的并使用简化结构的小轮廓封装解决方案。
【发明内容】
[0008]一种图像传感器封装，包括主衬底组件和安装至主衬底组件的传感器芯片。主衬底组件包括具有相对的第一和第二表面的第一衬底、在第一和第二表面之间贯穿第一衬底的开孔、一个或多个电路层、以及电耦合至一个或多个电路层的多个第一接触垫。传感器芯片至少部分地布置在开孔中，并且包括具有相对的第一和第二表面的第二衬底、形成在第二衬底之上或之中的多个光电探测器、形成在第二衬底的第一表面处的电耦合至光电探测器的多个第二接触垫、形成到第二衬底的第一表面中的一个或多个沟槽、每一个都从第二接触垫中的一个延伸并且延伸到一个或多个沟槽中的多个导电迹线、以及具有安装至第二衬底第一表面的第一表面的第三衬底，其中第三衬底包括形成到第三衬底的第一表面中的位于光电探测器之上的空腔。电连接器的每一个都将第一接触垫中的一个与多个导电迹线中的一个电连接。透镜模块被安装至主衬底组件，其中透镜模块包括布置用于聚焦光穿过第三衬底并且聚焦到光电探测器上的一个或多个透镜。
[0009]在另一方面中，一种图像传感器封装包括主衬底组件和安装至主衬底组件的传感器芯片。主衬底组件包括具有相对的第一和第二表面的第一衬底，在第一和第二表面之间贯穿第一衬底的开孔，一个或多个电路层，以及电耦合至一个或多个电路层的多个第一接触垫。传感器芯片至少部分地布置在开孔中，并且包括具有相对的第一和第二表面的第二衬底、形成在第二衬底之上或之中的多个光电探测器、形成在第二衬底的第二表面处的电耦合至光电探测器的多个第二接触垫、形成到第二衬底的第一表面中并且暴露第二接触垫的一个或多个沟槽、以及具有安装至第二衬底第一表面的第一表面的第三衬底，其中第三衬底包括形成到第三衬底的第一表面中的位于光电探测器之上的空腔。第四衬底包括相对的第一和第二表面，其中第四衬底的第一表面被安装至第二衬底的第二表面，并且其中第四衬底包括形成到第四衬底的第一表面中的一个或多个沟槽。多个导电迹线每一个都从第二接触垫中的一个延伸并且延伸到第四衬底的一个或多个沟槽中。电连接器的每一个都将第一接触垫中的一个与多个导电迹线中的一个电连接。透镜模块被安装至主衬底组件，其中透镜模块包括布置用于聚焦光穿过第三衬底并且聚焦到光电探测器上的一个或多个透镜。
[0010]通过回顾说明书、权利要求书和附图，本发明的其他目的和特征将变得清楚。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1A至图1L是按顺序示出了形成图像传感器组件中的步骤的横截面侧视图。
[0012]图2A至图2H是按顺序示出了形成图像传感器组件的替代实施例中的步骤的横截面侧视图。
[0013]图3A至图3C是按顺序示出了形成图像传感器组件的第二替代实施例中的步骤的横截面侧视图。
[0014]图4是示出了图像传感器组件的第三替代实施例的横截面侧视图。
【具体实施方式】
[0015]本发明是小轮廓、芯片级传感器模块(例如供照相机使用)，其结合了晶片级封装的图像传感器、具有成像窗口的主衬底、以及光学/照相机透镜模块，这些部分被直接组装至主衬底。
[0016]图1A至图1M图示出了封装的图像传感器的形成。该形成开始于包含了形成于其上的多个图像传感器12的晶片10 (硅衬底)，如图1A所图示的。每个图像传感器12包括多个光电探测器14、支持电路16、以及接触垫18。光电探测器14被配置为探测和测量入射光。接触垫18被电连接至光电探测器14和/或它们的支持电路16以用于提供离片信令。每个光电探测器14将光能转换为电压信号。可以包括额外的电路以放大电压，和/或将其转换为数字数据。色彩滤光器和/或微透镜20可以被安装在光电探测器14之上。优选地，诸如二氧化硅(氧化硅)或氮化硅的钝化层22被形成在衬底10的顶表面之上。钝化层22被形成为使得其至少对于传感器将被用来探测的光的波长是透明的。该类型的传感器是本领域中熟知的，并且在此不进一步描述。
[0017]由安装至衬底10的上表面的保护性和光学透明的衬底24来密封每个传感器12的有效区域(即包含光电探测器14和滤光器/透镜20的那些区域)。将多个空腔26形成到衬底24的底表面中并且与每个传感器12的有效区域对准。每个空腔26足够大以覆盖传感器12中的一个的整个有效区域，但是并未覆盖传感器的接触垫18。通过环氧树脂、聚合物、树脂或任何其他合适的一种或多种接合粘合剂和方法来将保护性衬底24接合在衬底10的有效侧上。光学透明的衬底24可以是聚合物、玻璃、玻璃和聚合物的合成物或任何其他一种或多种光学透明材料。优选地，衬底是玻璃。衬底24的优选非限制性示例可以具有50至1000 μ m的厚度，并且空腔空间的优选高度可以是5至500 μ m。可以通过机械研磨、化学机械抛光(CMP)、湿法蚀刻、大气下游等离子(ADP)、干法化学蚀刻(DCE)、和/或前述工艺的组合或任何其他合适的一种或多种硅薄化方法来薄化硅衬底10。被薄化的硅衬底10的优选厚度是50至300 μ m。得到的结构在图1B中被示出。
[0018]可以使用激光切割设备、机械锯切、前述工艺的组合、和/或任何其他合适一种或多种玻璃切割方法来移除在传感器12的有效区域之间的保护性衬底24的部分。激光切割是优选的方法。该工艺分离了形成空腔26的衬底24的部分(其最终被单切成单独的管芯)，因此实现了保护性空腔单切。得到的结构在图1C中被示出。优选地，每个保护性衬底24形成了与衬底10的密封以保护在光电探测器14和微透镜/滤光片20之上的衬底10的部分(即，密封了空腔26)。
[0019]在结构之上沉积一层光致抗蚀剂28。光致抗蚀剂沉积方法可以是喷涂或任何其他合适的一种或多种沉积方法。使用本领域中熟知的合适的光刻工艺来曝光并且蚀刻光致抗蚀剂28，其中在传感器12之间的衬底10的区域中移除光致抗蚀剂，因此暴露了钝化层。移除被暴露的钝化层22 (例如通过等离子蚀刻)，因此暴露了衬底10。如果钝化是二氧化硅或氮化硅，则蚀刻剂可以是CF4、SF6或任何其他合适的蚀刻剂。随后执行硅蚀刻以将沟槽30形成到衬底10的被暴露部分中。硅蚀刻可以是使用CF4、SF6或任何其他合适的蚀刻剂的各向异性干法蚀刻。沟槽30的优选深度处于25至150 μ m的范围内，取决于衬底10的最终厚度。得到的结构在图1D中被示出。
[0020]使用丙酮或本领域熟知的任何其他一种或多种化学或等离子(例如02等离子)光致抗蚀剂剥离方法来剥离光致抗蚀剂28。钝化层32 (例如二氧化硅)被沉积在结构之上，优选地具有等于或大于0.5μπι的厚度。可以通过物理气相沉积(PVD)或任何其他合适的一种或多种沉积方法来执行二氧化硅沉积。在结构之上沉积一层光致抗蚀剂34(例如通过喷涂或任何其他合适的一种或多种沉积方法)。使用本领域熟知的合适的光刻工艺来曝光并且蚀刻光致抗蚀剂34，由此从保护性衬底24和接触垫18之上的部分移除了光致抗蚀剂34，在那些区域中暴露了钝化层32的部分。执行蚀刻来移除钝化层32的被暴露部分(在保护性衬底24上和在接触垫18之上)。得到的结果在图1E中被示出。
[0021]剥离光致抗蚀剂34 (例如使用氧等离子工艺或丙酮化学剥离方法或本领域熟知的任何其他光致抗蚀剂剥离方法)。在结构上沉积导电层36。导电层36可以是铜、铝、导电聚合物或任何其他合适的一种或多种导电材料，并且可以通过物理气相沉积PVD、化学气相沉积、电镀或任何其他合适的一种或多种沉积方法来沉积。优选地，导电层36是铝并且通过PVD来沉积。在结构之上沉积一层光致抗蚀剂38，并且使用本领域熟知的合适的光刻工艺来对其进行曝光和蚀刻以移除保护性衬底24上的光致抗蚀剂38以及沟槽30底部处的中心部分。得到的结构在图1F中被示出。
[0022]执行湿法或干法蚀刻来移除导电层36的被暴露部分，留下了形成引线的导电层36的多个分立迹线，引线每一个都从接触垫18的一个沿着沟槽30的侧壁延伸，并且延伸到达沟槽30的底部。用于湿法蚀刻的蚀刻剂可以是磷酸(H3P04)，醋酸，硝酸(HN03)或任何其他合适的一种或多种蚀刻剂。用于干法蚀刻的蚀刻剂可以是C12、CC14、SiC14、BC13或任何其他合适的一种或多种蚀刻剂。湿法蚀刻是用于引线形成的优选方法。随后移除光致抗蚀剂38，得到图1G中所示的结构。可以对引线36执行可选的镀覆工艺(例如Ni/Pd/Au)。应该注意的是，替代地，光致抗蚀剂38可以可选地被留在保护性衬底24的侧壁上，在那里导电层36可以保留在保护性衬底24的侧壁上，在此情况下其也可以充当光遮蔽层。
[0023]在结构之上沉积可选的密封剂层40。密封剂层40可以是聚酰亚胺、陶瓷、聚合物、聚合物合成物、聚对二甲苯、二氧化硅、环氧树脂、硅树脂、瓷料、氮化物、玻璃、离子晶体、树月旨、前述材料的组合、或任何其他合适的一种或多种介电材料。密封剂层40优选地在厚度上为0.5至20 μ m,并且优选的材料是液态光刻聚合物，诸如是可以通过喷涂沉积的焊料掩模。将光可成像的(photoimagabIe)密封剂层40显影并且选择性地从保护性衬底24和引线36的接触部分36a移除。如果需要的话，密封材料40可以可选地保留在保护性衬底24的侧壁上以充当光遮蔽层。得到的结构在图1H中被示出。
[0024]可以在接触部分36a上形成互连42。替代地，互连42可以被形成在主衬底或将与接触部分36a进行接触的其他构件上。互连42可以是BGA、柱头凸块、镀覆凸块、粘合剂凸块、聚合物凸块、铜柱、微柱或任何其他合适的一种或多种互连方法。优选地，利用由一种或多种导电材料和一种或多种粘性材料所组成的粘合剂凸块来构成互连42。一种或多种导电材料可以是银、铜、铝、金、石墨、前述材料的组合、或任何其他合适的一种或多种导电材料。一种或多种粘合剂材料可以是清漆、树脂、前述材料的组合或任何其他合适的一种或多种粘合剂材料。优选地，通过气动分配枪或任何其他合适的一种或多种分配方法来在接触部分36a上沉积导电粘合剂，并且随后通过加热、UV或任何其他合适的一种或多种固化方法来对其进行固化，由此形成凸块42。在安装时，导电粘合剂的附加层可以被分配至凸块42上或者分配至主衬底的接触垫上。得到的结构在图1I中被示出。
[0025]随后沿着遍及沟槽的划线将衬底10单切成多个管芯，得到图1J的结构。可以利用机械刀片切片设备、激光切割或任何其他合适的工艺来完成部件的晶片级切片/单切。单切的封装传感器管芯可以随后经由互连42而被安装至主衬底44，该主衬底44具有接触垫46、电路层48和开孔50，传感器管芯穿过该开孔50而突出，如图1K中所示。主衬底44可以是有机柔性PCB、硅(刚性)、玻璃、陶瓷、或可适用的任何其他类型的衬底。主衬底44的厚度优选地足够小以使得主衬底44的上表面在衬底10的上表面以下。可以通过使用由丝网印刷沉积在主衬底的接触垫46上的导电粘合剂层，并随后通过固化工艺来促进安装。
[0026]透镜模块52可以被安装在传感器12之上，如图1L中所图示的。示例性的透镜模块52可以包括接合至主衬底44的外壳54，其中外壳在传感器12之上支撑了一个或多个透镜。沟槽30可以是环形的、开放侧边的沟槽，由此其底表面是连续的环形肩部，在此情况下开孔50可以效仿沟槽30的形状。替代地，可以有多个分立的、开放侧边的沟槽30，由此每个沟槽底表面形成了分立的肩部，在此情况下开孔50将具有适应这种沟槽配置的形状。
[0027]图2A至图2H图示出了封装图像传感器的替代实施例的形成。该形成开始于如图1A所图示的相同结构，除了接触垫18位于光入射于其上的衬底10的相对表面上之外。此配置可以包括背侧照明的传感器器件(BSI)，其中光电探测器14被形成为与衬底的相对表面相邻，因为接触垫18或光电探测器被配置为探测经由该表面进入衬底10的光。使用合适的粘合剂62来将衬底10安装至支撑衬底60，如图2A中所图示的。由保护性衬底24、以及通过关于图1B和图1C在以上所描述的相同的技术所薄化的支撑衬底60来密封传感器，以得到图2B中所示的结构。
[0028]如关于图1D以上所描述的来处理衬底以将沟槽64形成到衬底10中，除了沟槽64 一直贯穿衬底10以暴露粘合剂62并且部分地暴露了接触垫18之外，如图2C中所图示的。随后例如通过使用等离子蚀刻工艺来移除被暴露的粘合剂62。随后移除光致抗蚀剂28。在结构之上施加光致抗蚀剂66，之后是光刻蚀刻，以移除沟槽64底部处的衬底60上的光致抗蚀剂66 (并暴露衬底60)。随后执行硅蚀刻来蚀刻衬底60的被暴露部分，以将沟槽64延伸到衬底60中，如图2D中所图示的。
[0029]移除光致抗蚀剂66，并且如关于图1E以上所描述的在沟槽64中形成钝化层32，如图2E中所示。移除光致抗蚀剂34，并且如关于图1F和图1G以上所描述的形成导电迹线/引线36，其从接触垫18向下延伸到沟槽64中，如图2F中所示。对于此实施例，迹线/引线沿着由衬底60所限定的沟槽64的下侧壁延伸，并且并未沿着由衬底10所限定的沟槽64的上侧壁延伸。
[0030]如关于图1H和图1I以上所描述的形成密封剂40和互连42，如图2G中所示。随后单切衬底10，将其安装至主衬底44，并且如关于图1J至图1L以上所描述的将其与透镜模块52装配，如图2H中所示。
[0031]图3A至图3C图示出了封装图像传感器的第二替代实施例的形成。该形成开始于图2G的结构(在单切之前)。将两个这种结构背对背相互附着，如图3A中所图示的，优选地使用粘合剂。随后将背对背的衬底60单切成各个模块70，每一个都具有背对背定向的上部传感器12a和下部传感器12b，如图3B中所示。上部传感器12a被安装至主衬底44，并且如关于图U至图1L以上所描述的将其与透镜模块52装配，如图3C中所示。下部传感器12b通过引线接合72而被电连接至主衬底的接触垫46。引线接合72可以连接至互连42或者直接连接至下部传感器12b的接触垫18。
[0032]如关于图3A至图3C以上所描述的形成背对背传感器的类似工艺可以类似地应用于图1A至图1L的实施例，如图4中所图示的。
[0033]要理解的是，本发明不限于以上所描述和本文所说明的一个或多个实施例，而是涵盖落入所附权利要求的范围内的任何以及所有变形。例如，本文中对本发明的参考并非意在限制任何权利要求或权利要求术语的范围，而是替代地仅仅参照可以由一个或多个权利要求所覆盖的一个或多个特征。如上所描述的材料、工艺和多个示例仅仅是示意性的，并且不应被视作限制权利要求。此外，如从权利要求和说明书显而易见的是，并非所有方法步骤都需要按照所说明或所请求保护的精确顺序来执行，而是按照允许正确地形成图像传感器的任何顺序来执行。最后，材料的单层可以被形成为这种或类似材料的多层，反之亦然。
[0034]应该注意的是，如本文使用的，术语“在......之上”和“在......上”均包含地包括“直接在......上”(两者之间没有布置中间材料、元件或间隔)以及“间接在......上”(两者之间布置了中间材料、元件或间隔)。同样地，术语“与......相邻”
包括“与......直接相邻”(两者之间没有布置中间材料、元件或间隔)和“与......间接相邻”(两者之间布置了中间材料、元件或间隔)，“安装至......”包括“直接安装至......”(两者之间没有布置中间材料、元件或间隔)和“间接安装至......”(两者之间布置了中间材料、元件或间隔)，以及“电耦合”包括“直接电耦合至......”(两者之间没有中间材料或元件将元件电连接在一起)和“间接电耦合至......”(两者之间有中间材料或元件将元件电连接在一起)。例如，“在衬底之上”形成元件可以包括直接在衬底上形成元件，其中两者之间没有中间材料/元件，以及间接在衬底上形成元件，其中两者之间具有一个或多个中间材料/元件。
【权利要求】
1.一种图像传感器封装，包括: 主衬底组件，其包括: 第一衬底，其具有相对的第一和第二表面， 开孔，其在所述第一和第二表面之间贯穿所述第一衬底， 一个或多个电路层， 多个第一接触垫，其被电耦合至所述一个或多个电路层； 传感器芯片，其被安装至所述主衬底组件并且至少部分地布置在所述开孔中，其中所述传感器芯片包括: 第二衬底，其具有相对的第一和第二表面， 多个光电探测器，其被形成在所述第二衬底之上或之中， 多个第二接触垫，其被形成在所述第二衬底的第一表面处，被电耦合至所述光电探测器； 一个或多个沟槽，其被形成到所述第二衬底的第一表面中， 多个导电迹线，每一个都从所述第二接触垫中的一个延伸并且延伸到所述一个或多个沟槽中，以及 第三衬底，其具有安装至所述第二衬底第一表面的第一表面，其中所述第三衬底包括形成到所述第三衬底的第一表面中的位于所述光电探测器之上的空腔； 电连接器，每一个都将所述第一接触垫中的一个与所述多个导电迹线中的一个电连接；以及 透镜模块，其被安装至所述主衬底组件，其中所述透镜模块包括布置用于聚焦光穿过所述第三衬底并且聚焦到所述光电探测器上的一个或多个透镜。
2.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中，所述电连接器是导电凸块，其每一个都将所述第一接触垫中的一个电连接至所述多个导电迹线中的一个。
3.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中，所述一个或多个沟槽是单个开放侧边的沟槽，其包括形状为环形肩部的底表面。
4.根据权利要求1所述的图像传感器封装，其中，所述一个或多个沟槽是多个开放侧边的沟槽，其包括形状为分立肩部的底表面。
5.根据权利要求1所述的图像传感器封装，进一步包括: 第二传感器芯片，其包括: 第四衬底，其具有相对的第一和第二表面， 多个第二光电探测器，其被形成在所述第四衬底之上或之中， 多个第三接触垫，其被形成在所述第四衬底的第一表面处，被电耦合至所述第二光电探测器， 一个或多个沟槽，其被形成到所述第四衬底的第一表面中， 第五衬底，其具有安装至所述第四衬底第一表面的第一表面，其中所述第五衬底包括形成到所述第五衬底的第一表面中的位于所述第二光电探测器之上的空腔，以及 多个第二导电迹线，每一个都从所述第三接触垫中的一个延伸并且延伸到所述第四衬底的一个或多个沟槽中； 其中，所述第一衬底进一步包括耦合至所述一个或多个电路层的第四接触垫；第二电连接器，每一个都将所述第四接触垫中的一个与所述多个第二导电迹线中的一个电连接；以及 第二透镜模块，其被安装至所述主衬底组件，其中所述第二透镜模块包括布置用于聚焦光穿过所述第五衬底并且聚焦到所述第二光电探测器上的一个或多个透镜； 其中，所述第四衬底的第二表面被安装至所述第二衬底的第二表面。
6.根据权利要求5所述的图像传感器封装，其中，所述第二电连接器是引线接合。
7.根据权利要求5所述的图像传感器封装，其中，所述第二和第四衬底中的每一个是半导体衬底。
8.一种图像传感器封装，包括: 主衬底组件，其包括: 第一衬底，其具有相对的第一和第二表面， 开孔，其在所述第一和第二表面之间贯穿所述第一衬底， 一个或多个电路层， 多个第一接触垫，其被电耦合至所述一个或多个电路层； 传感器芯片，其被安装至所述主衬底组件并且至少部分地布置在所述开孔中，其中所述传感器芯片包括: 第二衬底，其具有相对的第一和第二表面， 多个光电探测器，其被形成在所述第二衬底之上或之中， 多个第二接触垫，其被形成在所述第二衬底的第二表面处，被电耦合至所述光电探测器， 一个或多个沟槽，其被形成到所述第二衬底的第一表面中并且暴露所述第二接触垫，以及 第三衬底，其具有安装至所述第二衬底第一表面的第一表面，其中所述第三衬底包括形成到所述第三衬底的第一表面中的位于所述光电探测器之上的空腔； 第四衬底，其具有相对的第一和第二表面，其中所述第四衬底的第一表面被安装至所述第二衬底的第二表面，并且其中所述第四衬底包括形成到所述第四衬底的第一表面中的一个或多个沟槽； 多个导电迹线，每一个都从所述第二接触垫中的一个延伸并且延伸到所述第四衬底的一个或多个沟槽中； 电连接器，每一个都将所述第一接触垫中的一个与所述多个导电迹线中的一个电连接；以及 透镜模块，其被安装至所述主衬底组件，其中所述透镜模块包括布置用于聚焦光穿过所述第三衬底并且聚焦到所述光电探测器上的一个或多个透镜。
9.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中，所述电连接器是导电凸块，其每一个都将所述第一接触垫中的一个电连接至所述多个导电迹线中的一个。
10.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中，所述第四衬底的一个或多个沟槽是单个开放侧边的沟槽，其包括形状为环形肩部的底表面。
11.根据权利要求8所述的图像传感器封装，其中，所述第四衬底的一个或多个沟槽是多个开放侧边的沟槽，其包括形状为分立肩部的底表面。
12.根据权利要求8所述的图像传感器封装，进一步包括: 第二传感器芯片，其包括: 第五衬底，其具有相对的第一和第二表面， 多个第二光电探测器，其被形成在所述第五衬底之上或之中， 多个第三接触垫，其被形成在所述第五衬底的第二表面处，被电耦合至所述第二光电探测器， 一个或多个沟槽，其被形成到所述第五衬底的第一表面中并且暴露所述第三接触垫，以及 第六衬底，其具有安装至所述第五衬底第一表面的第一表面，其中所述第六衬底包括形成在所述第六衬底的第一表面中的位于所述第二光电探测器之上的空腔； 第七衬底，其具有相对的第一和第二表面，其中所述第七衬底的第一表面被安装至所述第五衬底的第二表面，以及其中所述第七衬底包括形成到所述第七衬底的第一表面中的一个或多个沟槽； 多个第二导电迹线，每一个都从所述第三接触垫中的一个延伸并且延伸到所述第七衬底的一个或多个沟槽中； 其中，所述第一衬底 进一步包括耦合至所述一个或多个电路层的第四接触垫； 第二电连接器，每一个都将所述第四接触垫中的一个与所述多个第二导电迹线中的一个电连接；以及 第二透镜模块，其被安装至所述主衬底组件，其中所述第二透镜模块包括布置用于聚焦光穿过所述第六衬底并且聚焦到所述第二光电探测器上的一个或多个透镜； 其中，所述第四衬底的第二表面被安装至所述第七衬底的第二表面。
13.根据权利要求12所述的图像传感器封装，其中，所述第二电连接器是引线接合。
14.根据权利要求12所述的图像传感器封装，其中，所述第二、第四、第五和第七衬底中的每一个是半导体衬底。
【文档编号】H01L27/146GK104051489SQ201410160097
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年3月12日 优先权日:2013年3月12日
【发明者】V·奥加涅相, Z·卢 申请人:奥普蒂兹公司