功率容量为100瓦的1dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种功率容量为100瓦的1dB衰减片，其包括一8.9*5.7*1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻的面积根据吸收功率的不同大小不一，所述5个黑色电阻采用两次丝网印刷而成，所述背导层和所述银浆导线采用端接地浆料导通。该衰减片在设计思路上考虑了衰减片从输入到输出衰减各个电阻对功率的吸收，定义了各个电阻的面积，同时优化了银浆导线的走向，改善了电路的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该功率容量为100瓦的1dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。
【专利说明】 功率容量为100瓦的IdB哀减片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种功率衰减片，特别涉及一种功率容量为100瓦的IdB衰减片。
【背景技术】
[0002]目前大多数通讯基站都是应用大功率陶瓷负载片来吸收通信部件中反向输入功率，大功率陶瓷负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而无法对基站的工作状况做实时的监控，当基站工作发生故障时无法及时地做出判断，对设备没有保护作用。而衰减片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向输入的功率，而且能够抽取通信部件中部分信号，对基站进行实时监控，从而对设备形成有效保护。
[0003]衰减片作为一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说其应与两端电路都是匹配的。目前国内10W-1dB的氮化铝陶瓷衰减片，其衰减精度不仅大多只能做到IG频率以内，少数能做到2G，且衰减精度和设备配备的VSWR较难控制，输出端得到的信号不符合实际要求。特别是在衰减片使用频段高于2G时，其衰减精度往往达不到要求，回波损耗变大，满足不了 2G以上的频段应用要求。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足436.3±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为1±0.5dB，驻波要求在3G频段内满足1.20:1max，能够满足目前4G网络的应用要求的功率容量为100瓦的IdB衰减片。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
[0006]其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻的面积根据吸收功率的不同大小不一，所述5个黑色电阻采用两次丝网印刷而成，所述背导层和所述银浆导线采用端接地浆料导通优选的，所述端接地所用浆料为低温烘烤银浆。
[0007]优选的，氮化铝陶瓷基板采用低热膨胀系数氮化铝陶瓷基板。
[0008]上述技术方案具有如下有益效果:该衰减片以8.9*5.7*1MM的氮化铝基板作为基准，在设计思路上充分考虑了各个电阻对功率的吸收状况，根据吸收功率的不同设计了不同的电阻面积，最大程度地优化了产品的功率容量，同时改善了电路结构，改善了电路的驻波，并且通过电阻值的精确修改，得到了高精度的衰减值。同时该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值436.3±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为l±0.5dB，驻波要求在3G频段内满足1.20: lmax,能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。
[0009]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0012]如图1所示，该功率容量为100瓦的IdB衰减片包括一氮化铝基板I，氮化铝基板I的背面印刷有导体层，导体层由印刷银浆印刷而成。氮化铝基板I的正面印刷有电阻R1、R2、R3、R4、R5及银浆导线2，银浆导线2将电阻Rl、R2、R3、R4、R5连接起来形成衰减电路，电阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有高温透明保护膜3，高温透明保护膜3用于保护电阻R1、R2、R3、R4、R5。在整个电路即银浆导线2及高温透明保护膜3的上表面还印刷有一层保护膜4，保护膜4上再印刷有一层保护膜5，这样可对整个电路进行包括，保护膜5上还可印刷品牌和型号。
[0013]该衰减片输入端和接地的阻值为436.3±3% Ω，输出端和接地端的阻值为436.3±3% Ω。信号从输入端进入衰减片，从输出端经过1?1、1?2、1?5、1?3、1?4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0014]该衰减片以8.9*5.7*1丽的氮化铝基板作为基准，在设计思路上充分考虑了各个电阻对功率的吸收状况，根据吸收功率的不同设计了不同的电阻面积，最大程度地优化了产品的功率容量，同时改善了电路结构，改善了电路的驻波，并且通过电阻值的精确修改，得到了高精度的衰减值。同时该衰减片在上述氮化铝基板的尺寸规格下可到达阻值436.3±3% Ω，在3G频段以内衰减精度为1±0.5dB，驻波要求在3G频段内满足
1.20: lmax,能够满足目前4G网络的应用要求且能够承受100瓦的功率的技术要求，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于4G的网络。
[0015]以上对本发明实施例所提供的一种功率容量为100瓦的IdB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种功率容量为100瓦的IdB衰减片，其特征在于:其包括一 8.9*5.7*1MM的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成衰减电路，所述5个黑色电阻的面积根据吸收功率的不同大小不一，所述5个黑色电阻采用两次丝网印刷而成，所述背导层和所述银浆导线采用端接地浆料导通。
2.根据权利要求1所述的功率容量为100瓦的IdB衰减片，其特征在于:所述端接地所用浆料为低温烘烤银浆。
3.根据权利要求1所述的功率容量为100瓦的IdB衰减片，其特征在于:氮化铝陶瓷基板采用低热膨胀系数氮化铝陶瓷基板。
【文档编号】H01P1/22GK104241789SQ201410235855
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司