有机el装置和电子设备的制作方法

有机el装置和电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供降低了因功能层的膜厚变动引起的亮度不均的有机EL装置及电子设备。该有机EL装置具备：包含基板的基底层；隔壁部，形成在基底层上，相互地划分相邻的第1膜形成区域(7a)和第2膜形成区域(7b)；有机EL元件(20G)，形成在基底层上俯视下与第1膜形成区域重合的位置；有机EL元件(20B)，形成在基底层上俯视下与第2膜形成区域重合的位置；第1驱动电路部，形成在基底层，对有机EL元件(20G)的驱动进行控制；和第2驱动电路部，形成在基底层，对有机EL元件(20B)的驱动进行控制；第1驱动电路部的至少一部分及第2驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与第1膜形成区域重合。
【专利说明】有机EL装置和电子设备
[0001]本申请是 申请人:为“精工爱普生株式会社”、发明名称为“有机EL装置、有机EL装置的制造方法、电子设备”、申请日为“2009年10月13日”、申请号为“200910175778.5”这一母案申请的分案申请。

【技术领域】
[0002]本发明涉及具有发光元件的有机EL装置、有机EL装置的制造方法、电子设备。

【背景技术】
[0003]作为上述有机EL装置，已知有一种下述的发光装置:在由隔壁划分的近似矩形状的开口区域具有包含发光层的功能层，在开口区域中，长边部之间的宽度被缩窄而形成的狭窄部，设置在长边部的长度方向的中央部(专利文献I)。
[0004]另外，作为其他的有机EL装置，已知有下述的发光装置:具有将不同发光色的像素之间划分的第I隔壁、和将同一发光色的像素间部分地分隔的第2隔壁，同一发光色的邻接的像素中形成的有机功能层彼此通过第2隔壁的非形成区域而连接(专利文献2)。
[0005]上述专利文献I及上述专利文献2的发光装置都在隔壁的形状与配置上下进行了研究，可降低在由隔壁划分的区域中形成的有机功能层的膜厚的偏差。另外，有机功能层中包含的发光层，通过由液滴喷出法(喷墨法)将包含发光层形成材料的液状组成物向由上述隔壁划分的区域喷出、使其固化而形成。
[0006][专利文献I]特开2OO7- 103032号公报
[0007][专利文献2]特开2007- 227127号公报
[0008]上述专利文献I及上述专利文献2所公开的发光装置是有源驱动型的发光装置，基板上层叠形成有在驱动电路上具有有机功能层的发光元件。驱动电路至少由两个薄膜晶体管、保持电容、和与它们连接的布线构成。
[0009]因此，由于在基板上配置有这些电气构成要素，所以由隔壁划分的区域的表面并不一定平坦，会产生阶梯差。因而，尤其在使用液滴喷出法(喷墨法)形成有机功能层时，喷出的液状组成物容易集中在阶梯差最低的部分，在干燥后有可能不一定得到均匀的膜厚。


【发明内容】

[0010]本发明为了解决上述课题的至少一部分而提出，可作为以下的方式或应用例而实现。而且，在以下的方式或应用例中，“上”表示从基板观察，配置了有机EL元件的方向，表示记载为“在〇〇上”的情况、与〇〇的上方相接配置的情况、或隔着其他构成物配置在〇〇的上方的情况、或者一部分与〇〇的上方相接配置而一部分隔着其他构成物配置的情况。
[0011][应用例I]本应用例的有机EL装置，其特征在于，具有:包含基板的基底层；隔壁部，形成在前述基底层上，相互地划分相邻的第I膜形成区域和第2膜形成区域；第I有机EL元件，形成在前述基底层上俯视下与前述第I膜形成区域重合的位置；第2有机EL元件，形成在前述基底层上俯视下与前述第2膜形成区域重合的位置；第I驱动电路部，形成在前述基底层，对前述第I有机EL元件的驱动进行控制；和第2驱动电路部，形成在前述基底层，对前述第2有机EL元件的驱动进行控制；前述第I驱动电路部的至少一部分及前述第2驱动电路部的至少一部分，被配置成俯视时与前述第I膜形成区域重合。
[0012]有机EL元件的包含驱动电路部的基底层的表面容易产生凹凸。根据该构成，隔壁部将第I膜形成区域划分成至少包含两个有机EL元件的驱动电路部的至少一部分。因此，与第I膜形成区域相比，第2膜形成区域中的基底层的表面难以产生凹凸，相互的凹凸水准(状态)不同。因此，在第2膜形成区域中的第2有机EL元件的形成中，至少发光层不易受到凹凸的影响，可以形成膜厚偏差较少的发光层。所以，能够提供至少在第2有机EL元件中可得到稳定的亮度的发光的有机EL装置。
[0013][应用例2]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容，前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部分别具有的前述薄膜晶体管，被配置在俯视与前述第I膜形成区域重合的位置，前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部分别具有的前述保持电容，被配置在俯视与前述第2膜形成区域重合的位置。
[0014]根据该构成，与设置有薄膜晶体管的第I膜形成区域的基底层相比，设置有保持电容的第2膜形成区域的基底层的表面容易变得平坦。因此，在形成于第2膜形成区域的第2有机EL元件的至少发光层中，可使膜厚偏差变小。
[0015]而且，与将对应于至少两个有机EL元件的保持电容和薄膜晶体管一起配置在第I膜形成区域的情况相比，提高了保持电容在设计上的自由度。
[0016][应用例3]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容，前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部分别具有的前述薄膜晶体管及前述保持电容，被配置在俯视与前述第I膜形成区域重合的位置。
[0017]根据该构成，由于在第I膜形成区域的基底层集中配置了成为凹凸的主要原因的薄膜晶体管和保持电容，所以容易使第2膜形成区域的基底层的表面更平坦。因此，在形成于第2膜形成区域的第2有机EL元件的至少发光层中，可进一步使膜厚偏差变小。
[0018][应用例4]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I有机EL元件所具有的第I发光层及前述第2有机EL元件所具有的第2发光层，分别通过涂敷法形成。
[0019]根据该构成，设置第I发光层的第I膜形成区域的基底层、和设置第2发光层的第2膜形成区域的基底层被隔壁部划分，各个基底层的表面的凹凸水准不同。因此，与跨越基底层的表面的凹凸水准不同的区域利用涂敷法形成同一的发光层的情况相比，在第I发光层和第2发光层各自中，可使膜厚偏差变小。
[0020][应用例5]在上述应用例的有机EL装置中，与前述第I膜形成区域俯视下重合的区域的前述基底层的表面上的凹凸偏差，比与前述第2膜形成区域俯视下重合的区域的前述基底层的凹凸偏差大，前述第I发光层的发光寿命比前述第2发光层的发光寿命长。
[0021]根据该构成，使用涂敷法在第I膜形成区域形成的第I发光层的膜厚偏差，由于受到其基底层的凹凸的偏差的影响，所以与在第2膜形成区域形成的第2发光层相比，容易变大。若是同一发光层，贝1J具有膜厚偏差越大、发光寿命越短的倾向，但由于第I发光层的发光寿命比第2发光层长,所以可使第I发光层和第2发光层之间的发光寿命之差变小。SP,能够提供取得了发光寿命的平衡的有机EL装置。
[0022]其中，发光寿命是指使发光层的平面面积、膜厚、流过其的驱动电流等大致一定，通过持续的通电使初期的发光亮度达到规定的水准(例如减半)为止的通电累积时间。
[0023][应用例6]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I有机EL元件能发出第I色光，前述第2有机EL元件能发出与前述第I色不同的第2色光，前述第I有机EL元件所具有的第I发光层和前述第2有机EL元件所具有的第2发光层通过不同的成膜方法形成。
[0024]根据该构成，对于基底层的凹凸水准不同的第I膜形成区域和第2膜形成区域，使用了不同的成膜方法形成第I发光层和第2发光层。因此，可选择与基底层的凹凸水准对应的成膜方法，与使用同一成膜方法的情况相比，可使各自的膜厚偏差变小。
[0025][应用例7]在上述应用例的有机EL装置中，与前述第I膜形成区域俯视下重合的区域的前述基底层的表面上的凹凸的偏差，比与前述第2膜形成区域俯视下重合的区域的前述基底层的凹凸的偏差大。
[0026]根据该构成，即使使用不同的成膜方法形成第I发光层和第2发光层，也不易受到第I膜形成区域和第2膜形成区域的基底层的表面的凹凸偏差的影响，可抑制各自的膜厚偏差。
[0027][应用例8]在上述应用例的有机EL装置中，在前述第2发光层上，形成有通过与形成前述第I发光层同一工艺形成、且由与前述第I发光层相同的材料构成的层。
[0028]根据该构成，采用了不仅在第I膜形成区域，而且在第2膜形成区域中也在第2发光层上层叠形成第I发光层的同一工艺。因此，可省去只在第I膜形成区域选择性地形成第I发光层的例如遮挡(遮蔽)第2膜形成区域的做法。
[0029][应用例9]在上述应用例的有机EL装置中，前述隔壁部划分前述第I膜形成区域及前述第2膜形成区域和相邻的第3膜形成区域，具有:第3有机EL元件，形成在前述基底层上俯视下与前述第3膜形成区域重合的位置，并且能发出与前述第I色光及前述第2色光不同的第3色的光；第3驱动电路部，形成在前述基底层，对前述第3有机EL元件的驱动进行控制；和第I数据线及第2数据线，俯视下配置在前述第2膜形成区域与前述第3膜形成区域之间，并且被配置成横穿前述第I膜形成区域；前述第3有机EL元件所具有的第3发光层通过与前述第I有机EL元件所具有的第I发光层不同的成膜方法形成，前述第3驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与前述第I膜形成区域重合，前述第I数据线与前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部的任意一个驱动电路部电连接，前述第2数据线与前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部中任意一个驱动电路部中，除了与前述第I数据线电连接的驱动电路部以外的驱动电路部电连接。
[0030]根据该构成，能得到不同发光色的至少三个有机EL元件的驱动电路的至少一部分包含在第I膜形成区域的基底层。因此，与第I膜形成区域相比，第2膜形成区域及第3膜形成区域的基底层的表面的凹凸水准不同。因此，可使形成在第2膜形成区域的第2有机EL元件的至少第2发光层、和形成在第3膜形成区域的第3有机EL元件的至少第3发光层的膜厚偏差变小。所以，可提供至少在第2有机EL元件和第3有机EL元件中能得到稳定的亮度发光的有机EL装置。例如若将各发光色设为红色、绿色、蓝色，则可提供能全色的显示且观感良好的作为显示装置的有机EL装置。
[0031][应用例10]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容，前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部分别具有的前述薄膜晶体管及前述保持电容，被配置在俯视下与前述第I膜形成区域重合的位置。
[0032]根据该构成，由于在第2膜形成区域和第3膜形成区域，不含有使基底层的表面产生凹凸的主要因素，所以可使第2有机EL元件的至少第2发光层和第3有机EL元件的至少第3发光层的膜厚偏差变小。
[0033][应用例11]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容，前述第I驱动电路部、前述第2驱动电路部及前述第3驱动电路部分别具有的前述薄膜晶体管，被配置在俯视下与前述第I膜形成区域重合的位置，前述第I驱动电路部所具有的前述保持电容被配置在俯视下与前述第I膜形成区域重合的位置，前述第2驱动电路部所具有的前述保持电容被配置在俯视下与前述第2膜形成区域重合的位置，前述第3驱动电路部所具有的前述保持电容被配置在俯视下与前述第3膜形成区域重合的位置。
[0034]根据该构成，与设置有薄膜晶体管和保持电容的第I膜形成区域的基底层相比，分别设置有保持电容的第2膜形成区域及第3膜形成区域的基底层的表面容易平坦。因此，在第2有机EL元件的至少第2发光层及第3有机EL元件的至少第3发光层中，可使膜厚偏差变小。
[0035]而且，与将对应于至少三个有机EL元件的保持电容和薄膜晶体管一起配置在第I膜形成区域的情况相比，提高了保持电容在设计上的自由度。
[0036][应用例12]在上述应用例的有机EL装置中，前述第I有机EL元件所具有的前述第I发光层通过蒸镀法或旋涂法形成，前述第2有机EL元件所具有的前述第2发光层通过液滴喷出法形成。
[0037]根据该构成，对于基底层的平坦性与第2膜形成区域相比降低了的第I膜形成区域，通过被覆性优良的蒸镀法或旋涂法形成第I发光层。而且，在平坦性比第I膜形成区域良好的第2膜形成区域使用液滴喷出法，形成第2发光层。因此，能分别得到膜厚偏差降低了的第I发光层及第2发光层。
[0038][应用例13]本应用例的有机EL装置的制造方法，是在基板的上方具有第I有机EL元件和第2有机EL元件的有机EL装置的制造方法，其特征在于，具有:驱动电路形成工序，在前述基板的上方，形成对前述第I有机EL元件的驱动进行控制的第I驱动电路部、和对前述第2有机EL元件的驱动进行控制的第2驱动电路部；形成隔壁部的隔壁部形成工序，所述隔壁部形成在包含前述第I驱动电路部及前述第2驱动电路部的基底层上，相互划分相邻的第I膜形成区域和第2膜形成区域；和有机EL元件形成工序，在前述基底层上俯视下与前述第I膜形成区域重合的位置形成前述第I有机EL元件，并且，在前述基底层上俯视下与前述第2膜形成区域重合的位置，形成前述第2有机EL元件；前述驱动电路形成工序将前述第I驱动电路部的至少一部分及前述第2驱动电路部的至少一部分形成为俯视下与前述第I膜形成区域重合。
[0039]根据该方法，在驱动电路形成工序中按照至少两个有机EL元件的驱动电路部的至少一部分，包含在由隔壁部划分的第I膜形成区域的基底层的方式，形成驱动电路部。因此，与第I膜形成区域相比，第2膜形成区域中的基底层的表面难以产生凹凸，相互的凹凸水准(状态)不同。由此，在有机EL元件形成工序的第2有机EL元件的形成中，至少发光层的形成不受凹凸的影响，可以形成膜厚偏差少的发光层。所以，能够制造至少在第2有机EL元件中可得到稳定的亮度的发光的有机EL装置。
[0040][应用例14]在上述应用例的有机EL装置的制造方法中，优选前述第I有机EL元件能发出第I色光，前述第2有机EL元件能发出与前述第I色不同的第2色光，前述第I有机EL元件所具有的第I发光层和前述第2有机EL元件所具有的第2发光层通过不同的成膜方法形成。
[0041]根据该方法，对于基底层的凹凸水准不同的第I膜形成区域和第2膜形成区域，使用不同的成膜方法形成第I发光层和第2发光层。因此，可选择与基底层的凹凸水准对应的成膜方法，与使用同一成膜方法的情况相比，可使各自的膜厚偏差变小。
[0042][应用例15]在上述应用例的有机EL装置的制造方法中，前述有机EL元件形成工序具有:通过蒸镀法或旋涂法形成前述第I发光层的第I发光层形成工序、和通过液滴喷出法形成前述第2发光层的第2发光层形成工序。
[0043]根据该方法，在第I发光层形成工序中，使用被覆性优良的蒸镀法或旋涂法，在第I膜形成区域形成第I发光层。而且，在与第I膜形成区域相比平坦性良好的第2膜形成区域，使用液滴喷出法形成第2发光层。因此，能分别得到膜厚偏差降低了的第I发光层及第2发光层。
[0044][应用例16]本应用例的电子设备具备上述应用例所述的有机EL装置。
[0045]根据该构成，由于具备至少在第2有机EL元件中能得到稳定的亮度的有机EL装置，所以可提供观感良好的电子设备。

【专利附图】

【附图说明】
[0046]图1是表示实施方式I的有机EL装置的示意俯视图。
[0047]图2是实施方式I的有机EL装置的等效电路图。
[0048]图3是表示实施方式I的有机EL装置的发光像素的构成的示意俯视图。
[0049]图4是表示实施方式I的有机EL装置的发光像素的详细构成的俯视图。
[0050]图5是表示以图4的A — A’线切开的发光像素的构造的剖面图。
[0051]图6是表示比较例的有机EL装置的发光像素的构成的俯视图。
[0052]图7是表示以图6的B — B’线切开的比较例的发光像素的构造的剖面图。
[0053]图8 (a)及图8 (b)是表示有机EL装置的制造方法的概略俯视图。
[0054]图9 (C)是表示有机EL装置的制造方法的概略俯视图，图9 (d)是表示有机EL装置的制造方法的概略剖面图。
[0055]图10(e)?(g)是表示有机EL装置的制造方法的概略剖面图。
[0056]图11是表示实施方式2的有机EL装置的示意俯视图。
[0057]图12是表示实施方式3的实施例1的有机EL装置的电气构成的等效电路图。
[0058]图13是表示实施方式3的实施例1的发光单位和发光控制单位的配置的概略俯视图。
[0059]图14是表示实施方式3的实施例1的发光控制单位中的驱动电路部的概略俯视图。
[0060]图15是以图14的C 一 C’线切开的发光单位和发光控制单位的概略剖面图。
[0061]图16是表示实施方式3的实施例1的有机EL装置的制造方法的流程图。
[0062]图17(a)?(C)是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的概略俯视图。
[0063]图18(d)?(f)是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的概略剖面图。
[0064]图19(g)?⑴是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的概略剖面图。
[0065]图20是表示实施方式3的实施例2的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图。
[0066]图21是以图20的D — D’线切开的概略剖面图。
[0067]图22是表示实施方式3的实施例3的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图。
[0068]图23是表示实施方式3的实施例3的发光控制单位中的驱动电路部的构成和膜形成区域的配置的概略俯视图。
[0069]图24是表示实施方式3的实施例4的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图。
[0070]图25是表示实施方式3的实施例4的发光控制单位中的驱动电路部的构成和膜形成区域的配置的概略俯视图。
[0071]图26是表示与实施方式3的实施例4对应的变形例的驱动电路部的配置的概略俯视图。
[0072]图27是表示作为电子设备的移动式电话的立体图。
[0073]图28是表示变形例的发光控制单位中的驱动电路部的构成、和膜形成区域的配置的概略俯视图。
[0074]附图标记说明:1…作为基板的元件基板，10、40、100、200、300、400、500…有机EL
装置，7a…第I膜形成区域，7b…第2膜形成区域，7c…第3膜形成区域，11、12…薄膜晶体管(TFT)，13、13h、13j…保持电容，19...隔壁部，20、20B、20G、20R…有机 EL 元件，23、23b、23g、23r…像素电极，24、24b、24g、24r…功能层，26b…蓝色的发光层，26g...绿色的发光层，261■…红色的发光层，27...共用电极，31...扫描线，41...数据线，42...电源线，1000...作为电子设备的移动式电话，Lu…发光控制单位。

【具体实施方式】
[0075]下面，按照附图，对将本发明具体化了的实施方式进行说明。其中，为了使说明的部分成为能够认识的状态，将所使用的附图进行了适当放大或缩小而显示。
[0076](实施方式I)
[0077]〈有机EL装置〉
[0078]首先，参照图1?图7，对本实施方式的有机EL装置进行说明。图1是表示有机EL装置的示意俯视图，图2是有机EL装置的等效电路图，图3是表示发光像素的构成的示意俯视图，图4是表示发光像素的详细构成的俯视图，图5是表示以图4的A — A’线切开的发光像素的构造的剖面图，图6是表示比较例的有机EL装置的发光像素的构成的俯视图，图7是表示以图6的B — B’线切开的比较例的发光像素的构造的剖面图。
[0079]如图1所示，本实施方式的有机EL装置10具有能得到红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的发光(发光色)的发光像素7。发光像素7为近似矩形状，在发光区域(表示区域)6中以矩阵状配置。能得到同色发光的发光像素7在附图上沿水平方向(行方向或发光像素的长边方向)排列，不同发光色的发光像素7在附图上沿垂直方向(列方向或发光像素的短边方向)以G、B、R的顺序排列。即，不同发光色的发光像素7以条纹方式配置。
[0080]若将这样的有机EL装置10作为显示装置使用，则以能得到不同发光色的三个发光像素7作为一个显示像素单位，各个发光像素7被电气控制。由此，可实现全色显示。
[0081]如图2所示,有机EL装置10是使用了薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,以下简称为TFT)作为驱动发光像素7的开关元件的有源矩阵型有机EL装置。
[0082]有机EL装置10具备:与扫描线驱动部3连接的多个扫描线31、与数据线驱动部4连接的多个数据线41、和与各扫描线31并排设置的多个电源线42。由与相互绝缘交叉的扫描线31和数据线41所划分的区域对应而设置的驱动电路部，进行发光像素7的发光控制。
[0083]驱动电路部具备:经由扫描线31将扫描信号向栅电极供给的开关用TFT11、对经由该TFTll从数据线41供给的像素信号进行保持的保持电容13、由该保持电容13保持的像素信号被向栅电极供给的驱动用TFT12。具有在经由该驱动用TFT12与电源线42电连接时从该电源线42流入驱动电流的像素电极23、和在该像素电极23与共用电极27之间夹持的功能层24。
[0084]若扫描线31被驱动、开关用TFTll成为导通状态，则此时的数据线41的电位被保持电容13保持，与该保持电容13的状态对应，决定驱动用TFT12的接通/断开状态。而且，经由驱动用TFT12，从电源线42向像素电极23流过电流，进而经由功能层24向共用电极27流过电流。功能层24对应于流过其的电流量而发光。即，由像素电极23、共用电极27和功能层24，构成了作为发光单位的有机EL元件20。
[0085]接着，参照图3及图4，对有机EL装置10中的各构成在基板上的配置进行说明。
[0086]如图3所示，与以栅格状配置且相互绝缘的扫描线31和数据线41所划分的区域对应，按照与上述驱动电路部一一对应的方式，设有发光控制单位Lu。各发光控制单位Lu如前述那样具有两个TFTl1、12、保持电容13、和与它们连接的布线。
[0087]跨越沿着扫描线31而相邻的三个发光控制单位Lu的区域，根据在基板上设置了驱动电路部之后的表面的阶梯差(凹凸)，被划分为包含作为驱动电路部的一部分的TFTl1,12的第I膜形成区域7a、包含同样作为驱动电路部的一部分的保持电容13的第2膜形成区域7b、和包含除了 TFT11U2及保持电容13以外的驱动电路部的第3膜形成区域7c0
[0088]在第I膜形成区域7a，设置有具有能得到绿色(G)发光的功能层24g的有机EL元件20G (第I有机EL元件)，在第2膜形成区域7b，设置有具有能得到蓝色⑶发光的功能层24b的有机EL元件20B (第2有机EL元件)，在第3膜形成区域7c，设置有具有能得到红色(R)发光的功能层24r的有机EL元件20R(第3有机EL元件)。换言之，能得到不同发光色的三个有机EL元件20G、20B、20R分别遍布相同数量的发光控制单位Lu而设置。其中，在对这些有机EL元件20G、20B、20R共用的内容进行说明的情况下，有时也称为有机EL元件20。
[0089]电源线42在基板上被设置于设有扫描线31与数据线41的层、和设有有机EL元件20的层之间。而且，沿着扫描线31，并且遍及第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c而设置。
[0090]具体而言，如图4所示，TFT11U2被设置在扫描线31与数据线41的附近。在TFT11U2上分别设置有与扫描线31和数据线41、保持电容13连接的布线、以及将TFTlK漏极)和TFT12(栅极)连接的布线。
[0091]TFT12的3个端子(栅极、源极、漏极)中的一个(源极)与电源线42连接，控制从电源线42流入有机EL元件20的电流，与进行有机EL元件20的开关的TFTll相比，从耐电流、耐电压等的关系出发，具有更大的平面面积。
[0092]保持电容13俯视下为近似四边形，设置在发光控制单位Lu的大致中央部分，占发光控制单位Lu的平面面积的大致1/3的大小。其中，保持电容13的电容考虑扫描信号中的帧频率与驱动用TFT12的断开(OFF)时泄漏电流、有机EL元件20的发光特性而设计。因此，实际上通过确定适当的电容，来决定保持电容13的平面面积。
[0093]遍及相邻的三个发光控制单位Lu的设置有TFT11U2的区域、即第I膜形成区域7a，设置有能得到绿色(G)发光的有机EL元件20G的像素电极23g。像素电极23g与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的右端的发光控制单位Lu的TFT12 (漏极)连接。
[0094]遍及相邻的三个发光控制单位Lu的设置有保持电容13的区域、即第2膜形成区域7b，设置有能得到蓝色(B)发光的有机EL元件20B的像素电极23b。像素电极23b与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的左端的发光控制单位Lu的TFT12 (漏极)连接。
[0095]遍及相邻的三个发光控制单位Lu的未设置TFTl1、12或保持电容13的区域、SP第3膜形成区域7c，设置有能得到红色(R)发光的有机EL元件20R的像素电极23r。像素电极23r与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的中央的发光控制单位Lu的TFT12(漏极)连接。
[0096]实际上为了布线的方便，像素电极23b、23i■分别与设置在相对于三个发光控制单位Lu，沿着数据线41而相邻的其他三个发光控制单位Lu中的TFT12(漏极)连接。另外，像素电极23b、23g、23r与TFT12的连接方法并不限定于此。
[0097]接着，参照图5，对有机EL装置10的厚度方向的构造进行说明。
[0098]如图5所示，发光控制单位Lu、和各发光色的有机EL元件20 (分别称为有机EL元件20B、有机EL元件20G、有机EL元件20R)层叠形成在作为基板的元件基板I上。换言之，在设置有发光控制单位Lu的基底层上，设置有各有机EL元件20B、20G、20R。
[0099]在本实施方式中，基底层包含:元件基板1、发光控制单位Lu、反射层21、绝缘膜17。
[0100]元件基板I采用了透明的玻璃或树脂等基板、或者不透明的硅等基板。首先，在元件基板I的表面分别以岛状设置例如由多晶硅膜构成的半导体层lla、12a、13a。半导体层Ila构成TFT11，半导体层12a构成TFT12。半导体层13a构成保持电容13，成为一方的电极。因此,有时也称为一方的电极13a。
[0101]以覆盖岛状的半导体层lla、12a的外缘及栅极、和除了半导体层13a的一部分的大致整个面的方式设置有栅极绝缘膜la。覆盖半导体层13a的栅极绝缘膜Ia作为电介质层发挥功能。栅极绝缘膜Ia的厚度约为50nm?lOOnm。
[0102]在栅极绝缘膜Ia上，设置有例如Al (铝)、Ta(钽)、W(钨)、或它们的金属化合物等低电阻金属布线层，通过将其图案化，构成了扫描线31、数据线41 (省略图示)、TFT11、12的各栅电极lld、12d。并且，构成了与保持电容13的另一方的电极13b或一方的电极13a连结的布线13c。而且，以覆盖它们的方式设置有层间绝缘膜14。该低电阻金属布线层的厚度约为500nm?600nm。层间绝缘膜14的厚度也约为500nm?600nm。
[0103]在层间绝缘膜14中，设置有用于实现与TFT11U2的源极和漏极连接的接触孔14a、14b、14c、14d。而且，设置有用于实现保持电容13和电源线42及TFT12的连接的接触孔(省略图示)。
[0104]在层间绝缘膜14上设置有例如Al、Ta、W、或它们的金属化合物等低电阻金属布线层，通过将其图案化，构成了将电源线42或接触孔14b、14c之间连结的布线、将电源线42和接触孔14d之间连结的布线等。该低电阻金属布线层的厚度约为500nm?600nm。
[0105]而且，以覆盖电源线42与层间绝缘膜14的方式设置有保护膜15，进而以覆盖保护膜15的方式设置有平坦化层16。上述的栅极绝缘膜la、层间绝缘膜14、保护膜15例如由SiN或Si0、Si02或者这些硅化合物等无机混合物构成。保护膜15的厚度约为200nm?300nm。平坦化层16例如由丙烯酸类或环氧树脂类的有机树脂构成,厚度约为I μ m?2 μ m。
[0106]即使这样地设置比低电阻金属布线层或层间绝缘膜14等厚的平坦化层16，也会在元件基板I上的平坦化层16的表面产生阶梯差。特别是设置有TFT11U2的第I膜形成区域7a的表面，因用于与TFT11、12实现连接的接触孔14a、14b、14c、14d或布线的形成，与设置有保持电容13的第2膜形成区域7b或第3膜形成区域7c相比，具有更多的凹凸。
[0107]该情况下，对于平坦化层16上的平坦性而言，没有半导体层或与其连结的低电阻金属布线层的第3膜形成区域7c最好，按凹凸变多的第2膜形成区域7b、第I膜形成区域7a的顺序降低。
[0108]与这样的元件基板I中的驱动电路部的阶梯差(凹凸水准或状态)对应，设置有不同发光色的有机EL元件20B、20G、20R。具体而言，在第I膜形成区域7a设置有有机EL元件20G，在第2膜形成区域7b设置有有机EL元件20B，在第3膜形成区域7c设置有有机EL元件20R。
[0109]设置于第I膜形成区域7a的有机EL元件20G包含按顺序层叠形成在平坦化层16上的反射层21、绝缘膜17、像素电极23g、功能层24g、共用电极27。其他的有机EL元件20B、20R也同样。
[0110]其中，在由具有反射性的部件构成像素电极23的情况下，由于不需要反射层21和绝缘膜17，所以有机EL元件20基本上由像素电极23、功能层24、共用电极27构成。
[0111]反射层21例如由Al - Nd的反射性金属材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。覆盖反射层21的绝缘膜17由SiN或S1等透明的无机材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。像素电极 23b、23g、23r 是 ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)等的透明导电膜，厚度约为50nm?lOOnm。
[0112]实质上将各像素电极23b、23g、23r划分的是以覆盖各像素电极23b、23g、23r的外缘的方式形成的绝缘膜18、和设置在绝缘膜18上的隔壁部19。绝缘膜18由S12等无机绝缘材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。隔壁部19由苯酚类或聚酰亚胺类的树脂材料构成，厚度约为I μ m?2 μ m。
[0113]能得到不同发光色的功能层24g、24b、24i■，通过在实质上由隔壁部19划分的第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c上，涂敷包含功能性材料的液状体，并使其固化而形成。对于详细情况，将在后述的有机EL装置10的制造方法中描述。
[0114]共用电极27被设置成覆盖隔壁部19和各功能层24g、24b、24r。共用电极27是ITO、IZO等的透明导电膜，厚度约为50nm?lOOnm。
[0115]有机EL装置10将设置有发光控制单位Lu和各有机EL元件20B、20G、20R的元件基板1，与由透明的玻璃等构成的密封基板(省略图示)接合，被密封成水分或氧等气体不会从外部侵入到功能层24b、24g、24r。
[0116]各功能层24b、24g、24r的发光被反射层21反射，能够效率良好地从密封基板侧取出。另外，有机EL元件20B、20G、20R的构成并不限于此。例如，为了提高各发光色的亮度，也可在各功能层24b、24g、24r与反射层21之间导入光共振构造。
[0117]接着，参照图6及图7，对比较例的有机EL装置进行说明。其中，对于与本实施方式的有机EL装置10相同的构成部分，标注相同的附图标记，并省略详细的说明。
[0118]如图6所示，比较例的有机EL装置30相对于有机EL装置10而言，包含两个TFT11、12、保持电容13和将它们连结的布线的发光控制单位Lu的配置是相同的，但有机EL元件20B、20G、20R的平面配置是不同的。具体而言，按设置有发光控制单位Lu的近似矩形状的每个区域(膜形成区域)，设置有近似矩形状的有机EL元件20 (20B、20G、20R)。一个有机EL元件20被设置成不跨越多个发光控制单位Lu。
[0119]如图7所示，例如能够得到红色发光的功能层24ι■遍及具有由隔壁部19划分的发光控制单位Lu的膜形成区域而设置。特别是在通过向膜形成区域涂敷包含功能性材料的液状体而形成功能层24r的情况下，被涂敷的液状体容易流入到成为最低的阶梯差的部分、即未设置TFT11U2或保持电容13的部分。因此，若使所涂敷的液状体固化，则跨越阶梯差而形成的功能层24r根据场所而膜厚变动。
[0120]若在这样的功能层24r中流过电流而使其发光，则产生因膜厚偏差而引起的亮度不均。并且，在可靠性品质方面，有容易向膜厚最薄的部分集中流动电流、发光寿命变短的可能性。
[0121 ] 相对于比较例的有机EL装置30，本实施方式的有机EL装置10按与元件基板I上的平坦化层16的阶梯差(凹凸水准或状态)对应地被划分的第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c，设置了有机EL元件20。因此，可抑制各功能层24b、24g、24r的膜厚的变动，实现亮度不均降低了的有机EL装置10。
[0122]特别优选在具有TFT11U2的第I膜形成区域7a中，设置绿色的功能层24g。即使功能层24g的膜厚因第I膜形成区域7a中的表面的凹凸而变动，由于绿色的功能层24g的发光寿命比其他的长，所以即便为了降低亮度不均而流过多余的电流，也不会导致作为有机EL装置10的发光寿命降低。
[0123]<有机EL装置的制造方法>
[0124]接着，参照图8?图10，对本实施方式的有机EL装置10的制造方法进行说明。图8(a)及(b)、图9(c)及(d)、图10(e)?(g)是表示有机EL装置的制造方法的概略图。
[0125]本实施方式的有机EL装置10的制造方法具备:在元件基板I上形成驱动电路部的驱动电路形成工序、在驱动电路部上形成反射层21的反射层形成工序、与驱动电路部电连接地形成像素电极23b、23g、23r的像素电极形成工序、对包含像素电极23b、23g、23r的膜形成区域进行划分地形成隔壁部19的隔壁部形成工序、在由隔壁部19划分的膜形成区域形成功能层24b、24g、24r的功能层形成工序、以及覆盖隔壁部19和功能层24b、24g、24r地形成共用电极27的共用电极形成工序。
[0126]在驱动电路形成工序中，首先如图8 (a)所示，在元件基板I上形成多晶硅膜，通过光刻法将各半导体层lla、12a、13a形成为岛状。作为多晶硅膜的形成方法，可使用公知的技术，例如可以举出减压CVD法等。
[0127]然后，在与TFTl 1、12对应的半导体层I la、12a中，将源极及漏极侧掩模，在半导体层13a中，以遮掩了电气连接部的状态，按照覆盖元件基板I的方式形成栅极绝缘膜la。作为栅极绝缘膜Ia的形成方法，例如可举出以SiN或S1作为靶、按照膜厚约为50nm?10nm的方式在真空中成膜的溅射法等。
[0128]接着，在栅极绝缘膜Ia上同样通过溅射法等进行成膜，例如将由Al构成的低电阻金属膜形成为厚度约为500nm?600nm。通过光刻法将其图案化，如图8 (b)所示，形成了扫描线31、数据线41、从扫描线31延伸到半导体层Ila上而成为栅电极Ild的布线31a、从半导体层12a上延伸到半导体层13a的连接部的布线13c (包含栅电极12d)、和保持电容13的另一方的电极13b。此时，相对于数据线41正交延伸的扫描线31被预先形成为，暂时将数据线41上的部分缺省。
[0129]接着，以覆盖元件基板I的大致整个面的方式形成层间绝缘膜14。作为形成层间绝缘膜14的方法，同样使用溅射法，将SiN或S1作为靶，在真空中成膜，使膜厚约为500nm?600nm。此时,在随后的电源线形成工序形成电源线42以外的布线的部分,预先使用感光性树脂材料等被遮掩。若在形成了层间绝缘膜14后去除被遮掩的部分，则图9(c)所示，可形成接触孔 14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h。
[0130]接着，再次同样地通过溅射法等，在层间绝缘膜14上成膜由Al构成的低电阻金属膜，使其厚度约为500nm?600nm。通过光刻法将其图案化，如图9 (c)所示，形成电源线42和各种布线。例如，可通过利用低电阻金属膜将接触孔14d和接触孔14f填埋，形成将数据线41和TFTll的源极连结的布线lie。可通过利用低电阻金属膜将接触孔14c和接触孔14e填埋，形成将TFTll的漏极和TFT12的栅极连结的布线Ilf。可通过利用低电阻金属膜将两个接触孔Hg之间填埋，形成将中断的扫描线31在数据线41上电连接的布线31c。可通过利用低电阻金属膜填埋接触孔14b和接触孔14h，形成将电源线42和TFT12的源极及保持电容13的另一方的电极13b连结的布线12f。
[0131]接着，以覆盖如此形成的驱动电路部的方式，形成保护膜15。作为保护膜15的形成方法，例如以SiN为靶，同样通过溅射法等成膜，使厚度为200nm?300nm。进而，以覆盖保护膜15的方式形成平坦化层16。作为平坦化层16的形成方法，可举出利用旋涂或辊涂等方法以约I μ m?2 μ m的厚度涂敷感光性的丙烯酸类树脂并使其固化，然后利用光刻法将其图案化的方法。进行图案化的主要是与实现各像素电极23b、23g、23i■和TFT12的漏极之间的连接的接触孔14a连通的接触孔16a。或者，可以在将该接触孔16a的部分遮掩之后，涂敷平坦化层形成材料。
[0132]接着，如图9(d)所示，在反射层形成工序中，按与平坦化层16上的阶梯差(凹凸水准或状态)对应地被划分的第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c，形成反射层21。作为反射层21的形成方法，可举出利用溅射法成膜作为前述的反射层形成材料的Al — Nd、使其厚度约为50nm?10nm的方法。然后，通过光刻法形成具有比像素电极23b、23g、23r稍稍大的平面面积的反射层21。接着，以覆盖反射层21的方式形成绝缘膜17。绝缘膜17的形成方法可举出以SiN或S1为靶、在真空中成膜以使膜厚约为50nm?10nm的派射法等。
[0133]在像素电极形成工序中，通过溅射法等在绝缘膜17上形成ITO膜、使其厚度约为lOOnm。然后，通过光刻法将其图案化，在反射层21的上方形成各像素电极23b、23g、23r。而且，利用ITO膜将接触孔16a填埋，使像素电极23b、23g、23i■和TFT12(漏极)连接。该情况下，各像素电极23b、23g、23r的平面面积大致同等。
[0134]接着，以覆盖各像素电极23b、23g、23r的外缘部的方式形成绝缘膜18。作为绝缘膜18的形成方法，可举出在将各像素电极23b、23g、23r的外缘部以外遮蔽的状态下，将SiN或S1作为祀实施派射,按照厚度为50nm?10nm的方式进行成膜的方法。
[0135]进而，在隔壁部形成工序中，向元件基板I的表面涂敷苯酚类或聚酰亚胺类的感光性树脂材料并使其固化，以使厚度为I μ m?2 μ m，并通过曝光、显影，在绝缘膜18上形成隔壁部19。由此，如图9(d)所示，隔壁部19实质上划分第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c。第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的平面面积也大致同等。
[0136]接着，对功能层形成工序进行说明。本实施方式的功能层形成工序包含:涂敷包含空穴注入输送层形成材料的液状体并使其固化，形成空穴注入输送层的空穴注入输送层形成工序；和涂敷包含发光层形成材料的液状体并使其固化，形成发光层的发光层形成工序。
[0137]在空穴注入输送层形成工序中，如图9(d)所示，使用能够从喷嘴喷出液状体的喷出头(喷墨头)50，向第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c每一个，以液滴方式涂敷规定量的液状体60。液状体60是如下所述的溶液:例如含有二甘醇和水(纯水)作为溶剂，作为空穴注入输送层形成材料，含有0.5%重量比的向聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物中添加了作为掺杂剂的聚对苯乙烯磺酸(PSS)的混合物(PEDPT/PSS)。调整溶剂的比例，以使粘度约为20mPa.s以下。
[0138]另外，作为PEDPT/PSS以外的空穴注入输送层形成材料，可举出聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物。
[0139]通过利用例如灯退火等方法将被涂敷了液状体60的元件基板I进行加热干燥、使溶剂蒸发，如图10 (e)所示，在第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c每一个中，形成空穴注入输送层25。另外，也可以在涂敷液状体60之前，对元件基板I实施表面处理，该表面处理是指对像素电极23b、23g、23r的表面进行亲液处理，并且对隔壁部19的表面进行疏液处理。亲液处理可举出将氧作为处理气体来进行等离子处理的方法，疏液处理可举出将氟类气体作为处理气体来进行等离子处理的方法。这样，滴落在像素电极23b.23g.23r上的液状体60会均匀地濡湿扩展。
[0140]在发光层形成工序中，如图9(d)所示，向不同的喷出头50G、50B、50R中分别填充不同的液状体70G、70B、70R，以液滴方式对分别对应的第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c进行涂敷。
[0141]液状体70G、70B、70R使用了例如含有环己基苯作为溶剂、含有0.7 %重量比的能得到红色、绿色、蓝色发光的聚芴衍生物(PF)作为发光层形成材料的物质。粘度约为14mPa.S。另外,作为PF以外的发光层形成材料,可使用聚对苯撑乙炔衍生物(PPV)、聚亚苯基衍生物(PP)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、PEDOT等聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等。此外，也可以使用在这些高分子材料中，掺杂了二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素等的高分子材料、或红荧烯、二萘嵌苯、9，10—二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料的物质。
[0142]作为被涂敷的液状体70G、70B、70R的干燥方法(固化方法)，使用了与一般的加热干燥相比能使溶剂成分比较均匀地干燥的减压干燥法。由此，如图10(f)所示，在空穴注入输送层25上可没有不均地形成发光层26g、26b、26r。这样形成了包含空穴注入输送层25和发光层26g的功能层24g。其他的功能层24b、24r也同样。
[0143]另外，功能层形成工序中的功能层24b、24g、24r的形成方法并不限定于此。例如，也可以在以PEDPT/PSS为主体的空穴注入层和以PF为主体的发光层26b、26g、26r之间，形成中间层。作为含有中间层形成材料的液状体，例如可举出含有环己基苯作为溶剂、含有
0.1%左右重量比的三苯胺类聚合物作为中间层形成材料的物质。
[0144]中间层具有使空穴相对于发光层26b、26g、26r的输送性(注入性)提高、并且抑制电子从发光层侵入到空穴注入层的功能。即，可改善发光层26b、26g、26r中的空穴与电子的复合实现的发光的效率。
[0145]接着，在共用电极形成工序中，如图10(g)所示，以覆盖隔壁部19和各功能层24b、24g、24r的方式，形成共用电极27。由此，完成有机EL元件20。
[0146]作为共用电极27的材料，优选组合使用ITO和Ca、Ba、Al等金属或LiF等氟化物。特别优选在接近功能层24b、24g、24r的一侧,形成功函数小的Ca、Ba、LiF的膜,在远离功能层24b、24g、24r的一侧，形成功函数大的ΙΤ0。另外，也可以在共用电极27之上层叠Si02、SiN等保护层。这样，可防止共用电极27的氧化。作为共用电极27的形成方法，可举出蒸镀法、溅射法、CVD法等。尤其在防止功能层24b、24g、24r的因热引起的损伤方面，优选采用蒸镀法。
[0147]接着，通过将形成了发光控制单位Lu和有机EL元件20的元件基板1、与密封基板接合，完成了有机EL装置10。
[0148]根据这样的有机EL装置10的制造方法，可成品率良好地形成有助于发光的部分的平面面积大致同等且膜厚偏差降低了的功能层24b、24g、24i■。即，能够成品率良好地制造不同发光色之间的亮度均衡、且亮度不均降低了的顶部发光型有机EL装置10。
[0149](实施方式2)
[0150]接着，参照图11，对本实施方式的其他有机EL装置进行说明。图11是表示实施方式2的有机EL装置的像素的构成的示意图。其中，对与实施方式I的有机EL装置10相同的构成部分，赋予相同的附图标记来进行说明。
[0151]如图11所示，实施方式2的有机EL装置40具有:相互绝缘且以栅格状配置的扫描线31及数据线41、和沿着扫描线31配置的电源线42。而且，在由扫描线31和数据线41划分的区域具有发光控制单位Lu。即，发光控制单位Lu的构成和配置与有机EL装置10相同。
[0152]沿着扫描线31排列的相邻的三个发光控制单位Lu，与在基板上形成的驱动电路部的阶梯差(凹凸水准或状态)对应，被划分成包含半导体元件部(TFT11U2)的第I膜形成区域7a、分别包含保持电容的两个膜形成区域、即第2膜形成区域7b和第4膜形成区域7d。
[0153]第I膜形成区域7a遍布三个发光控制单位Lu，第2膜形成区域7b遍布左端和中央的发光控制单位Lu。第4膜形成区域7d遍布中央和右端的发光控制单位Lu。
[0154]相对于近似矩形状的第I膜形成区域7a，正四边形的第2膜形成区域7b及第4膜形成区域7d具有实质上大致同等的平面面积。
[0155]在第I膜形成区域7a中，设置有作为能得到绿色发光的发光单位的有机EL元件20G，构成了发光像素7。在第2膜形成区域7b中，设置有作为能得到蓝色发光的发光单位的有机EL元件20B，构成了发光像素7。在第4膜形成区域7d中，设置有作为能得到红色发光的发光单位的有机EL元件20R，构成了发光像素7。
[0156]在具有反射层的顶部发光型的情况下，由于驱动电路部的构成形成在反射层的下层，所以可进行比较自由的配置。因此，如图11所示，若与配置有电源线42的区域对应，形成对保持电容或阶梯差进行缓和的虚拟布线层，则可将第2膜形成区域7b和第4膜形成区域7d在高度大致同等的阶梯差内进行划分。
[0157]由此，能得到不同发光的发光像素7的配置不限定于实施方式I的有机EL装置10那样的条纹方式，也可以为实施方式2的有机EL装置40那样的模拟三角形方式的配置。
[0158]有机EL装置40的制造方法，可经过与实施方式I的有机EL装置10的制造方法相同的工序来进行制造。只要与各膜形成区域对应地形成将像素电极和像素电极划分的隔壁部即可。
[0159](实施方式3)
[0160]接着，利用实施例1?实施例4，对其他实施方式的有机电致发光(EL)装置及其制造方法进行说明。其中，对于与上述实施方式I的有机EL装置10相同的构成，标注相同的附图标记并进行说明。
[0161](实施例1)
[0162]<有机EL装置>
[0163]图12是表示实施例1的有机EL装置的电气构成的等效电路图，图13是表示实施例I的发光单位和发光控制单位的配置的概略俯视图，图14是表示实施例1的发光控制单位中的驱动电路部的概略俯视图，图15是以图14的C 一 C’线切开的发光单位和发光控制单位的概略剖面图。
[0164]如图12所示，实施例1的有机EL装置100是使用了薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,以下简称为TFT)作为开关元件的有源矩阵型显示装置，所述开关元件对作为发光单位的有机EL元件20进行驱动。
[0165]有机EL装置100具备:与扫描线驱动部3连接的多个扫描线31、与数据线驱动部4连接的多个数据线41、和与各扫描线31并排设置的多个电源线42。通过与相互绝缘并交叉的扫描线31和数据线41所划分的区域对应地设置的发光控制单位Lu，进行有机EL元件20的发光控制。
[0166]各发光控制单位Lu具备驱动电路部，所述驱动电路部包括:经由扫描线31将扫描信号向栅电极供给的开关用TFT11、对经由该TFTll从数据线41供给的像素信号进行保持的保持电容13、将由该保持电容13保持的像素信号向栅电极供给的驱动用TFT12。
[0167]作为发光单位的有机EL元件20具有:在借助驱动用TFT12与电源线42电连接时从该电源线42流入驱动电流的像素电极23、和在该像素电极23与共用电极27之间夹持的功能层24。
[0168]将与这些TFTl1、12连接的扫描线31和数据线41统称为信号线。
[0169]若扫描线31被驱动、开关用TFTll成为接通状态，则此时的数据线41的电位被保持电容13保持，与该保持电容13的状态对应，决定驱动用TFT12的接通/断开状态。而且，经由驱动用TFT12，从电源线42向像素电极23流过电流，进而经由功能层24向共用电极27流过电流。功能层24对应于流过其的电流量而发光。
[0170]接着，参照图13及图14，对有机EL装置10中的各构成在基板上的配置进行说明。
[0171]如图13所示，与以栅格状配置且相互绝缘的扫描线31和数据线41所划分的区域对应，设有发光控制单位Lu。各发光控制单位Lu如前述那样，具有两个TFTl1、12、保持电容13、与它们连结的布线。
[0172]跨越沿着扫描线31的相邻的三个发光控制单位Lu的部分，被划分为分别具有大致相同的平面面积的三个近似矩形状的区域。从上到下按顺序称为第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c。
[0173]在第I膜形成区域7a中，设置有有机EL元件20B，该有机EL元件20B具有作为第I有机EL元件的能得到蓝色(B)发光的功能层24b。在第2膜形成区域7b中，设置有有机EL元件20G，该有机EL元件20G具有作为第2有机EL元件的能得到绿色(G)发光的功能层24g。在第3膜形成区域7c中，设置有有机EL元件20R，该有机EL元件20R具有作为第3有机EL元件的能得到红色(R)发光的功能层24r。换言之，作为能得到不同发光色的发光单位的三个有机EL元件20B、20G、20R，跨越沿着扫描线31的相邻的同数量(三个)的发光控制单位Lu而设置。
[0174]而且，将这样的三个有机EL元件20B、20G、20R作为一个显示单位，以矩阵状在基板上设置有多个显示单位。其中，在对这些有机EL元件20B、20G、20R共用的内容进行说明的情况下，记载为有机EL元件20。
[0175]电源线42沿着扫描线31，并且遍及相邻的显示单位的第I膜形成区域7a而设置。
[0176]更具体而言，如图14所示，TFTl1、12被设置在扫描线31与数据线41的交叉点附近。在TFT11、12上设置有与扫描线31或数据线41、保持电容13连接的布线、和将TFTll (漏极)与TFT12(栅极)连结的布线。
[0177]TFT12是3个端子(栅极、源极、漏极)中的一个(源极)与电源线42连接，对从电源线42流入到有机EL元件20的电流进行控制的元件，与进行有机EL元件20的开关控制的TFTll相比，从耐电流、耐电压等关系出发，具有更大的平面面积。
[0178]保持电容13俯视为近似四边形，设置在TFT11U2的附近，占发光控制单位Lu的平面面积的大致1/6的大小。其中，保持电容13的电容考虑扫描信号中的帧频率与驱动用TFT12的断开(OFF)时泄漏电流、有机EL元件20的发光特性而设计。因此，实际上通过确定适当的电容，来决定保持电容13的平面面积。
[0179]遍及设置有相邻的三个发光控制单位Lu的TFT11U2和保持电容13的区域、SP第I膜形成区域7a，设置有能得到蓝色(B)发光的有机EL元件20B的像素电极23b。像素电极23b与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的右端的发光控制单位Lu的TFT12(漏极)连接。
[0180]遍及跨越相邻的三个发光控制单位Lu的第2膜形成区域7b，设置有能得到绿色(G)发光的有机EL元件20G的像素电极23g。像素电极23g与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的左端的发光控制单位Lu的TFT12 (漏极)连接。
[0181]遍及跨越相邻的三个发光控制单位Lu的第3膜形成区域7c，设置有能得到红色(R)发光的有机EL元件20R的像素电极23r。像素电极23r与沿着扫描线31排列的三个发光控制单位Lu中的中央的发光控制单位Lu的TFT12 (漏极)连接。
[0182]实际上为了布线的方便，像素电极23g、23i■分别与相对于沿着扫描线31而相邻的三个发光控制单位Lu，设置在沿着数据线41而相邻的其他发光控制单位Lu的TFT12(漏极)连接。另外，像素电极23b、23g、23r与TFT12的连接方法并不限定于此。
[0183]接着，参照图15，对有机EL装置100的厚度方向上的构造进行说明。
[0184]如图15所示，发光控制单位Lu、和各发光色的有机EL元件20 (分别称为有机EL元件20B、有机EL元件20G、有机EL元件20R)层叠形成在作为基板的元件基板I上。成为发光控制单位Lu包含在作为发光单位的有机EL元件20的基底层的构成。换言之，在设置有发光控制单位Lu的基底层上，设置有各有机EL元件20B、20G、20R。
[0185]而且，在本实施例中，基底层包含元件基板1、发光控制单位Lu、反射层21、绝缘膜17。
[0186]元件基板I使用了透明的玻璃或树脂等基板、或者不透明的硅等基板。首先，在元件基板I的表面上分别以岛状设置例如由多晶硅膜构成的半导体层lla、12a、13a。半导体层Ila构成TFT11，半导体层12a构成TFT12。半导体层13a构成保持电容13，成为一方的电极。因此，有时也称为一方的电极13a。半导体层11a、12a、13a的膜厚约为50nm。
[0187]以覆盖岛状的半导体层lla、12a的外缘及栅极、和除了半导体层13a的一部分的大致整个面的方式设置有栅极绝缘膜la。覆盖半导体层13a的栅极绝缘膜Ia作为电介质层发挥功能。栅极绝缘膜Ia的厚度约为50nm?lOOnm。
[0188]在栅极绝缘膜Ia上设置有例如由Al (铝)、Ta (钽)、W (钨)、或它们的金属化合物构成的低电阻金属布线层，通过将其图案化，构成了扫描线31、数据线41 (省略图示)、TFTl1,12的各栅电极lld、12d。并且，构成了与保持电容13的另一方的电极13b或一方的电极13a连结的布线(省略图示)。而且，以覆盖它们的方式设置有层间绝缘膜14。该低电阻金属布线层的厚度约为500nm?600nm。层间绝缘膜14的厚度也约为500nm?600nm。
[0189]在层间绝缘膜14中，设置有用于实现与TFT11U2的源极或漏极连接的接触孔14a、14b、14c、14d。而且，设置有用于实现保持电容13与电源线42及TFT12的连接的接触孔(省略图示)。
[0190]在层间绝缘膜14上设置有例如由Al、Ta、W、或它们的金属化合物等的低电阻金属布线层，通过将其图案化，构成了将电源线42和接触孔14b、14c之间连结的布线、将电源线42和接触孔14d之间连结的布线等。该低电阻金属布线层的厚度约为500nm?600nm。
[0191]而且，以覆盖电源线42和层间绝缘膜14的方式设置有保护膜15，进而以覆盖保护膜15的方式设置有平坦化层16。上述的栅极绝缘膜la、层间绝缘膜14、保护膜15例如由SiN或Si0、Si02或者这些硅化合物等无机混合物构成。保护膜15的厚度约为200nm?300nm。平坦化层16例如由丙烯酸类或环氧树脂类有机树脂构成,厚度约为I μ m?2 μ m。
[0192]即使如此设置比低电阻金属布线层或层间绝缘膜14等厚的平坦化层16，也会在元件基板I上的平坦化层16的表面产生阶梯差。特别是设置有TFT11U2的第I膜形成区域7a的表面，因用于与TFT11、12实现连接的接触孔14a、14b、14c、14d和布线的形成，与其他的第2膜形成区域7b或第3膜形成区域7c相比，具有更多的凹凸。
[0193]该情况下，对于平坦化层16上的凹凸的偏差而言，具有TFT11U2或保持电容13、及与其连结的低电阻金属布线层的第I膜形成区域7a最大。相对于此，不具有TFT11U2或保持电容13的第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c的平坦化层16上的凹凸的偏差减小。
[0194]这里所称的凹凸的偏差，可由平坦化层16表面的算术平均粗糙度(Ra)或平坦化层16表面的距基准面的高度的标准偏差来定义。另外，也可由发光时像素内的亮度分布中的标准偏差定义。
[0195]其中，第I膜形成区域7a的表面的阶梯差约为几十nm?几百nm。相对于此，第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的表面的阶梯差在图15的剖面图上几乎不会发生。若硬要说明，则如图14所示，由于以跨越相邻的发光控制单位Lu中的数据线41的方式划分第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c，所以是在跨越数据线41的部分产生稍稍的阶梯差的程度。
[0196]对应于这样的元件基板I中的包含相邻的三个发光控制单位Lu的基底层的阶梯差，在基底层的上层设置了不同发光色的有机EL元件20B、20G、20R。具体而言，在第I膜形成区域7a设置有机EL元件20B，在第2膜形成区域7b设置有机EL元件20G，在第3膜形成区域7c设置有机EL元件20R。
[0197]设置于第I膜形成区域7a的有机EL元件20B包含:在平坦化层16上依次层叠形成的反射层21、绝缘膜17、像素电极23b、功能层24b、共用电极27。其他的有机EL元件20G、20R也同样。
[0198]另外，在由具有反射性的部件构成像素电极23的情况下，由于不需要反射层21和绝缘膜17，所以有机EL元件20基本成为由像素电极23、功能层24、共用电极27构成的结构。
[0199]反射层21例如由Al - Nd的反射性金属材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。覆盖反射层21的绝缘膜17由SiN或S1等透明的无机材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。像素电极 23b、23g、23r 是 ITO(IndiumTinOxide)、IZO(IndiumZincOxide)等透明导电膜，厚度约为 50nm ?lOOnm。
[0200]实质上划分各像素电极23b、23g、23r的是，以覆盖像素电极23b、23g、23r的外缘的方式形成的绝缘膜18、和设置在绝缘膜18上的隔壁部19。绝缘膜18由S12等无机绝缘材料构成，厚度约为50nm?lOOnm。隔壁部19由苯酚类或聚酰亚胺类树脂材料构成，厚度(高度)约为I μ m?2 μ m。
[0201]功能层24g、24r中的作为第2发光层的发光层26g及作为第3发光层的发光层26r，通过使用对实质上被隔壁部19划分的第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c涂敷包含功能性材料的液状体，使所涂敷的液状体干燥来成膜的涂敷法而形成。
[0202]功能层24b的作为第I发光层的发光层26b，采用使功能性材料向第I膜形成区域7a蒸发并成膜的蒸镀法而形成。而且，以覆盖相邻的第2膜形成区域7b (发光层26g)、第3膜形成区域7c (发光层26r)、和隔壁部19的方式形成。
[0203]并且，功能层24b、24g、24r在像素电极23b、23g、23r和发光层26b、26g、26r之间分别具有空穴注入输送层25。空穴注入输送层25使用涂敷法而形成。对于详细情况，将在后述的有机EL装置100的制造方法中描述。
[0204]共用电极27以覆盖隔壁部19和各功能层24g、24b、24r的方式设置。共用电极27是ITO、IZO等透明导电膜，厚度约为50nm?lOOnm。
[0205]设置有发光控制单位Lu与各有机EL元件20B、20G、20R的元件基板1，和由透明的玻璃等构成的密封基板(省略图示)接合，并被密封成水分或氧等气体不会从外部侵入到功能层 24b、24g、24r。
[0206]有机EL装置100是使来自各功能层24b、24g、24r的发光被反射层21反射并从密封基板侧取出的、采用了所谓顶部发光构造的可全色显示的显示装置。由于在反射层21的下层侧设置有发光控制单位Lu，所以构成驱动电路部的TFTl 1、12和保持电容13、及与它们连接的布线(扫描线31、数据线41、电源线42等)不会妨碍来自功能层24b、24g、24i■的发光的取出。因此，可在元件基板I上比较自由地配置这些驱动电路部的构成要素。另外，有机EL元件20B、20G、20R的构成并不限定于此。例如，为了提高各发光色的亮度，也可在各功能层24b、24g、24r和反射层21之间导入光谐振构造。
[0207]<有机EL装置的制造方法>
[0208]接着，参照图16?图19，对有机EL装置100的制造方法进行说明。图16是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的流程图，图17(a)?(c)是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的概略俯视图，图18(d)?(f)及图19(g)?⑴是表示实施例1的有机EL装置的制造方法的概略剖面图。
[0209]如图16所示，实施例1的有机EL装置100的制造方法具备下述工序:在元件基板I上形成多个发光控制单位Lu的发光控制单位形成工序(步骤SI);按相邻的三个发光控制单位Lu将基底层的表面划分成三个膜形成区域，在每个膜形成区域形成反射层21的反射层形成工序(步骤S2);同样在每个膜形成区域，按照与发光控制单位Lu电连接的方式形成像素电极23b、23g、23r的像素电极形成工序(步骤S3);形成分别划分三个膜形成区域的隔壁部19的隔壁部形成工序(步骤S4);在像素电极23b、23g、23r上形成功能层24b、24g、24r的功能层形成工序(步骤S5);以覆盖隔壁部19和功能层24b、24g、24r的方式形成共用电极27的共用电极形成工序(步骤S6);和将元件基板I与密封基板接合密封的密封工序(步骤S7)。其中，本实施方式中的有机EL元件形成工序至少包含:反射层形成工序、像素电极形成工序、功能层形成工序、共用电极形成工序。
[0210]在步骤SI的发光控制单位形成工序(驱动电路形成工序)中，首先如图17(a)所示，在元件基板I上形成多晶硅膜，通过光刻法以岛状形成各半导体层lla、12a、13a。膜厚约为50nm。作为多晶硅膜的形成方法，可使用公知的技术，例如可举出减压CVD法等。
[0211 ] 然后，在与TFTl 1、12对应的半导体层I la、12a中，将源极及漏极侧遮蔽，在半导体层13a中，以将电连接部遮蔽的状态，按照覆盖元件基板I的方式形成栅极绝缘膜la。作为栅极绝缘膜Ia的形成方法，例如可举出以SiN或S1为靶、在真空中按照膜厚约为50nm?10nm的方式进行成膜的溅射法等。
[0212]接着，在栅极绝缘膜Ia上同样通过溅射法等形成例如由Al构成的低电阻金属膜，使其厚度约为500nm?600nm。通过光刻法将其图案化，如图17(b)所示，形成扫描线31、数据线41、从扫描线31延伸到半导体层Ila上而成为栅电极Ild的布线31a、从半导体层12a上延伸到半导体层13a的连接部为止的布线13c (包含栅电极12d)、和保持电容13的另一方的电极13b。此时，以相对于数据线41正交的方式延伸的扫描线31暂时形成为，数据线41上的部分缺省。
[0213]接着，以覆盖元件基板I的大致整个面的方式形成层间绝缘膜14。作为形成层间绝缘膜14的方法，同样使用溅射法，以SiN或S1为靶，在真空中成膜以使膜厚约为500nm?600nm。此时，形成电源线42以外的布线的部分预先使用感光性树脂材料等进行遮蔽。若在形成层间绝缘膜14之后将遮蔽的部分去除，则如图17(c)所示，可形成接触孔14a、14b、14c、14d、14e、14f、14g、14h0
[0214]接着，再次同样通过溅射法等在层间绝缘膜14上形成由Al构成的低电阻金属膜，使其厚度约为500nm?600nm。通过光刻法将其图案化，如图17(c)所示，形成电源线42和各种布线。例如，可通过利用低电阻金属膜将接触孔14d和接触孔14f填埋，形成将数据线41和TFTll的源极连结的布线lie。可通过利用低电阻金属膜将接触孔14c和接触孔14e填埋，形成将TFTll的漏极和TFT12的栅极连结的布线Ilf。可通过利用低电阻金属膜将两个接触孔Hg之间填埋，形成将中断的扫描线31在数据线41上电连接的布线31c。可通过利用低电阻金属膜将接触孔14b和接触孔14h填埋，将电源线42和TFT12的源极及保持电容13的另一方的电极13b连结。
[0215]接着，以覆盖这样完成的驱动电路部的方式形成保护膜15。作为保护膜15的形成方法，例如以SiN为靶、同样通过溅射法等成膜以使厚度为200nm?300nm。进而，以覆盖保护膜15的方式形成平坦化层16。作为平坦化层16的形成方法，可举出通过旋涂或辊涂等方法，以约I μ m?2 μ m的厚度涂敷感光性的丙烯酸类树脂并使其固化，通过光刻法进行图案化的方法。进行图案化的主要是与实现各像素电极23b、23g、23i■和TFT12的漏极的连接的接触孔14a连通的接触孔16a。或者，也可以在将该接触孔16a的部分遮蔽后，涂敷平坦化层形成材料。
[0216]接着，在步骤S2的反射层形成工序中，如图18(d)所示，按与平坦化层16上的阶梯差对应地被划分的第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c形成反射层21。作为反射层21的形成方法，可举出通过溅射法将作为前述反射层形成材料的Al -Nd形成为厚度约为50nm?10nm的方法。然后,通过光刻法形成具有比像素电极23b、23g、23ι■稍大的平面面积的反射层21。接着，以覆盖反射层21的方式形成绝缘膜17。绝缘膜17的形成方法，可举出以SiN或S1为靶在真空中成膜以使膜厚约为50nm?10nm的溅射法等。
[0217]在步骤S3的像素电极形成工序中，如图18(d)所示，在绝缘膜17上通过溅射法等形成ITO膜，使其厚度约为lOOnm。然后，通过光刻法将其图案化，在反射层21的上方形成各像素电极23b、23g、23r。而且，利用ITO膜将接触孔16a填埋，使像素电极23b、23g、23r和TFT12(漏极)连接。该情况下，各像素电极23b、23g、23i■的平面面积大致相等。
[0218]接着，以覆盖各像素电极23b、23g、23r的外缘部的方式形成绝缘膜18。作为绝缘膜18的形成方法，可举出在将各像素电极23b、23g、23r的外缘部以外遮蔽的状态下，以SiN或S1作为祀进行派射,将厚度形成为50nm?10nm的方法。
[0219]进而，在步骤S4的隔壁部形成工序中，按照厚度为I μ m?2 μ m的方式向元件基板I的表面涂敷苯酚类或聚酰亚胺类感光性树脂材料并使其固化，通过曝光、显影，在绝缘膜18上形成隔壁部19。由此，如图18 (d)所示，隔壁部19实质上划分第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c。第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的平面面积大致相同。
[0220]接着，对步骤S5的功能层形成工序进行说明。本实施方式的功能层形成工序包含:涂敷含有空穴注入输送层形成材料的液状体并使其固化，形成空穴注入输送层25的空穴注入输送层形成工序；在三个膜形成区域中的第I膜形成区域7a以外的第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c，使用涂敷法形成功能层24g、24r中的发光层26g、26r的第I发光层形成工序；和使用蒸镀法在第I膜形成区域7a形成功能层24b中的发光层26b的第2发光层形成工序。
[0221]在空穴注入输送层形成工序中，如图18(d)所示，使用能够从喷嘴喷出液状体的喷出头(喷墨头)50，将含有空穴注入输送层形成材料的规定量的液状体60，以液滴方式向第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的每个涂敷。液状体60例如是含有二甘醇和水(纯水)作为溶剂，含有0.5%重量比的向聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)等聚噻吩衍生物中添加了作为掺杂剂的聚对苯乙烯磺酸(PSS)，来作为空穴注入输送层形成材料的溶液。对溶剂的比例进行调整，以使粘度约为20mPa.s以下。
[0222]另外，作为PEDPT/PSS以外的空穴注入输送层形成材料，可举出聚苯乙烯、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔或其衍生物。
[0223]通过用例如灯退火等方法将涂敷有液状体60的元件基板I加热干燥、使溶剂蒸发，如图18 (e)所示，在第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的每个，形成空穴注入输送层25。另外，在涂敷液状体60之前，可对元件基板I实施将像素电极23b.23g.23r的表面进行亲液处理，并且对隔壁部19的表面进行疏液处理的表面处理。亲液处理可举出将氧作为处理气体来进行等离子处理的方法，疏液处理可举出将氟类气体作为处理气体来进行等离子处理的方法。这样，滴落在像素电极23b、23g、23r上的液状体60会均匀地润湿扩展。
[0224]接着，在第I发光层形成工序中，如图18(f)所示，将含有能得到绿色发光的发光层形成材料的液状体70G、和含有能得到红色发光的发光层形成材料的液状体70R，分别填充到不同的喷出头50 (喷出头50G和喷出头50R)中，以液滴方式向对应的第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c涂敷。
[0225]液状体70G、70R例如使用了含有环己基苯作为溶剂，含有0.7%重量比的能得到绿色、红色发光的聚芴衍生物(PF)作为发光层形成材料的物质。粘度为约14mPa.S。另夕卜，作为PF以外的发光层形成材料，可使用聚对苯撑乙炔衍生物(PPV)、聚亚苯基衍生物(P P)、聚对苯撑衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、PED0T等聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等。此外，也可使用对这些高分子材料掺杂了二萘嵌苯类色素、香豆素类色素、若丹明类色素、红荧烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等低分子材料的物质。
[0226]作为被涂敷的液状体70G、70R的干燥方法(固化方法)，使用了与一般的加热干燥相比能够使溶剂成分比较均匀地干燥的减压干燥法。由此，如图19(g)所示，可在空穴注入输送层25上形成发光层26g、26r。这样形成了包含空穴注入输送层25和发光层26g的功能层24g。而且，同样地形成了包含空穴注入输送层25和发光层26ι■的功能层24r。对第2膜形成区域7b及第3膜形成区域7c而言，形成了像素电极23g、23r的基底层的表面的凹凸的偏差，与第I膜形成区域7a相比都变小。因此，从喷出头50G、50R喷出的液状体70G、70R分别在对应的第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c中均匀地润湿扩展，干燥后形成了膜厚约为80nm的发光层26g、26r。
[0227]接着，在第2发光层形成工序中，如图19(h)所示，通过蒸镀法在第I膜形成区域7a的空穴注入输送层25上形成发光层26b。此时，遍及其他的第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c形成发光层26b。因此,在发光层26g或发光层26r之上也层叠形成发光层26b。
[0228]作为发光层形成材料，可举出例如在CBP等主体材料中混合了 FIrpic等掺杂剂材料的物质。膜厚约为50nm。
[0229]由于使用蒸镀法形成发光层26b，所以即使是基底层的表面具有几十nm?几百nm那样的阶梯差的第I膜形成区域7a，也会以膜厚偏差少的状态在空穴注入输送层25上形成发光层26b。
[0230]由此，分别完成了包含空穴注入输送层25和发光层26b的功能层24b、包含空穴注入输送层25和发光层26g及发光层26b的功能层24g、以及包含空穴注入输送层25和发光层26r及发光层26b的功能层24r。
[0231]另外，功能层形成工序中的功能层24b、24g、24r的形成方法并不限定于此。例如，也可以在空穴注入输送层25和发光层26b、26g、26r之间形成中间层。作为含有中间层形成材料的液状体，例如可举出含有环己基苯作为溶剂，含有0.1 %左右重量比的三苯胺类聚合物作为中间层形成材料的物质。
[0232]中间层具有下述功能:使空穴相对于发光层26b、26g、26r的输送性(注入性)提高，并且抑制电子从发光层26b、26g、26r向空穴注入输送层25侵入。
[0233]另外，也可以在形成发光层26b、26g、26r之后，通过蒸镀法层叠空穴阻挡层、电子输送层。作为空穴阻挡层，可举出BAlq、BCP等，作为电子输送层可举出Alq3等。空穴阻挡层具有抑制空穴从发光层26b、26g、26r漏出的功能。电子输送层具有使电子相对于发光层26b、26g、26r的输送性(注入性)提高的功能。
[0234]S卩，这些中间层、空穴阻挡层、电子输送层改善了发光层26b、26g、26i■中的空穴与电子的复合而引起的发光的效率。
[0235]接着，在步骤S6的共用电极形成工序中，如图19 (i)所示，以覆盖遍及三个膜形成区域7a、7b、7c而形成的发光层26b的方式，形成共用电极27。由此，完成了有机EL元件20B、20G、20R。
[0236]作为共用电极27的材料，优选组合使用ITO和Ca、Ba、Al等金属或LiF等氟化物。特别优选在接近功能层24b、24g、24r的一侧形成功函数小的Ca、Ba、LiF的膜,在远离一侧形成功函数大的ΙΤ0。另外，也可以在共用电极27之上层叠Si02、SiN等保护层。这样，可防止共用电极27的氧化。作为共用电极27的形成方法，可举出蒸镀法、溅射法、CVD法等。特别是在可以防止功能层24b、24g、24r因热引起的损伤这一方面，优选采用蒸镀法。
[0237]接着，在步骤S7的密封工序中，通过将形成有发光控制单位Lu和有机EL元件20的元件基板1、与密封基板接合，完成了有机EL装置100。作为元件基板I与密封基板的接合方法，可举出在元件基板I和密封基板之间预先空出空间，以包围多个有机EL元件20的方式配置粘接剂来进行接合的所谓罐密封方法；或在该空间中填充透明的树脂来进行密接的方法。
[0238]根据这样的将涂敷法和蒸镀法区分使用的有机EL装置100及其制造方法，与通过蒸镀法对具有大致同等的平面面积的三个膜形成区域7a、7b、7c选择性地形成所有的发光层26b、26g、26r的情况相比，不需要蒸镀掩模，且可效率良好地形成膜厚不均被降低了的发光层26b、26g、26r。即，可实现不同发光色之间的亮度被均衡、且降低了亮度不均的顶部发光型的能够进行全色显示的有机EL装置100，并且能够效率良好地进行制造。
[0239]另外,在本实施例中，成为在发光层26g与发光层26r之上形成了发光层26b的构成，但在形成发光层26b时，也可使用遮住第I膜形成区域7a以外的掩模，通过蒸镀法形成发光层26b，从而仅在第I膜形成区域7a形成发光层26b。
[0240]而且，作为形成发光层26b的方法，除了蒸镀法以外，也可使用旋涂法或浸溃法等。该情况下，即使在基底层的表面具有几十nm?几百nm左右的阶梯差的情况下，也能够以膜厚偏差少的状态形成发光层26b。换言之，考虑到各膜形成区域7a、7b、7c中的基底层的凹凸的偏差,来选定不同的成膜方法,形成发光层26b、26g、26r。
[0241 ] 该情况下，与三个膜形成区域7a、7b、7c的设定相关联的有机EL元件20B、20G、20R的实质的发光面积也可以并不一定相同。
[0242]主要使用高分子的发光层形成材料的涂敷法，与使用低分子的发光层形成材料的蒸镀法相比，现实情况是所形成的发光层的发光寿命存在较短的倾向。而且，发光层的发光峰值波长较长的一方，发光寿命具有较长的倾向。
[0243]另一方面，发光寿命依存于流过发光层的电流量，亮度依存于电流量和发光面积。因此，在能够以稳定的亮度得到各发光色的同时，实现了发光色之间的发光寿命的平衡(均衡)的观点上，通过难以受到凹凸的影响且具有高的被覆性的蒸镀法，在包含基底层的凹凸的偏差最大的部分的第I膜形成区域7a，形成具有所期望的膜厚的发光层。由此，能够防止因膜厚偏差而引起电流局部集中流动、导致亮度不均或发光寿命变短的现象。总之，优选使用蒸镀法而形成的发光层，是红(R)、绿(G)、蓝(B) 3色发光色中发光峰值波长最短的蓝色发光层26b。
[0244]进而，若将使用涂敷法形成的发光层26ι■(红)和发光层26g(绿)进行比较，则有发光层26g(绿)的发光寿命变短的可能性。因此，优选形成发光层261■的第3膜形成区域7c与形成发光层26g的第2膜形成区域7b相比，减小其平面面积。换言之，优选在平面面积较大的膜形成区域形成发光寿命较短的发光层。可通过抑制流过发光寿命较短的发光层的电流量，来缩小发光色之间的发光寿命之差。
[0245]若进行总结，则
[0246]I)将基底层的凹凸的偏差变大的区域作为第I膜形成区域7a，使用蒸镀法，形成发光峰值波长最短的蓝色发光层26b。
[0247]2)其他的第2膜形成区域7b及第3膜形成区域7c被隔壁部19划分成具有比第I膜形成区域7a高的平坦性，通过涂敷法(液滴喷出法)形成发光峰值波长比发光层26b长的发光层26g、26r。
[0248]3)第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c的平面面积、即有机EL元件20B、20G、20R的发光面积，考虑发光层26b、26g、26r的亮度和发光寿命被设定为在发光色之间取得平衡。
[0249]在以后的实施例2?实施例4中，也基于相同的技术思想将涂敷法和蒸镀法区分使用。
[0250](实施例2)
[0251]接着，参照图20及图21，对实施例2的有机EL装置及其制造方法进行说明。图20是表示实施例2的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图，图21是以图20的D— D’线切开的概略剖面图。其中，与实施例1的有机EL装置100相同的构成，通过赋予相同的附图标记，省略详细的说明。
[0252]如图20所示，实施例2的有机EL装置200对应于以栅格状配置且相互绝缘的扫描线31和数据线41所划分的区域，设置有发光控制单位Lu。各发光控制单位Lu与实施例1的有机EL装置100同样，具有两个TFTl1、12、保持电容13、和与它们连结的布线。
[0253]而且，跨越沿着扫描线31相邻配置的发光控制单位Lu的基底层，从上面起依次被划分为第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c。在第I膜形成区域7a设置了具有像素电极23b的有机EL元件20B。在第2膜形成区域7b设置了具有像素电极23g的有机EL元件20G。在第3膜形成区域7c设置了具有像素电极23r的有机EL元件20R。
[0254]各像素电极23b、23g、23r相对于驱动用TFT12的电连接方式与实施例1相同。
[0255]在实施例2中，第2膜形成区域7b上设置有对有机EL元件20B、20G、20R进行驱动控制的发光控制单位Lu的保持电容13。换言之，第2膜形成区域7b的基底层包含三个保持电容13。
[0256]并且，电源线42遍及第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c而设置，且跨越沿着扫描线31配置的多个发光控制单位Lu而设置。S卩，实施例2相对于实施例1，改变了保持电容13及电源线42相对有机EL元件20B、20G、20R的相对配置。
[0257]更具体而言，如图21所示，第I膜形成区域7a的基底层包含TFT11、12，第2膜形成区域7b的基底层包含保持电容13和电源线42，第3膜形成区域7c包含电源线42。因此，第I膜形成区域7a的基底层包含表面的凹凸偏差最大的部分。相对于此，第2膜形成区域7b的基底层虽然包含保持电容13，但由于保持电容13由隔着作为电介质层的栅极绝缘膜Ia对置配置的一对电极13a、13b构成，所以，其表面的阶梯差变得比较小。由于第3膜形成区域7c的基底层在元件基板I上依次层叠有膜厚大致一定的栅极绝缘膜la、层间绝缘膜14、电源线42、保护膜15、平坦化层16，所以与其他的相比，具有最好的平坦性。
[0258]而且，与实施例1同样，通过涂敷法(液滴喷出法)形成第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c中的发光层26g、26r，通过蒸镀法形成第I膜形成区域7a中的发光层26b。
[0259]三个膜形成区域7a、7b、7c的平面面积大致相同，但实际上由于被设定为各种大小，所以需要在保持电容13和电源线42中确保所期望的电气特性(即电容和电阻)。在这一点上，实施例2的有机EL装置200与实施例1的有机EL装置100相比，由于俯视下将设置保持电容13和电源线42的范围放大，所以提高了用于确保所期望的电气特性的设计上的自由度。换言之，实现了能够从有机EL元件20B、20G、20R得到更稳定的亮度的发光的有机EL装置200。
[0260]这样的有机EL装置200的制造方法虽然放大了设置保持电容13或电源线42的范围，但由于元件基板I上的各构成要素及其层叠状态与实施例1相同，所以可应用有机EL装置100的制造方法。另外，后述的实施例3及实施例4也同样。
[0261](实施例3)
[0262]接着，参照图22及图23，对实施例3的有机EL装置及其制造方法进行说明。图22是表示实施例3的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图，图23是表示实施例3的发光控制单位中的驱动电路部的构成和膜形成区域的配置的概略俯视图。其中，与实施例1的有机EL装置100相同的构成被标注相同的附图标记，而省略详细的说明。而且，在图23中表示了驱动电路部的构成中主要的TFT11、12和保持电容13、电源线42的配置，省略了将它们连结的布线。
[0263]如图22所示，实施例3的有机EL装置300对应于以栅格状配置且相互绝缘的扫描线31和数据线41所划分的区域，设置有发光控制单位Lu。各发光控制单位Lu与实施例1的有机EL装置100同样，具有两个TFTl1、12、保持电容13、与它们连结的布线。
[0264]而且，跨越沿着扫描线31相邻配置的发光控制单位Lu的基底层，在附图上最上方的成为第I膜形成区域7a。到这里为止与实施例1同样，但除了第I膜形成区域7a以外的其他基底层以不跨越数据线41的方式沿着扫描线31，被划分为第4膜形成区域7d、第5膜形成区域7e、第6膜形成区域7f、第7膜形成区域7g这四个。
[0265]在第I膜形成区域7a设置有有机EL元件20B。跨越第4膜形成区域7d和第5膜形成区域7e设置有有机EL元件20R。跨越第6膜形成区域7f和第7膜形成区域7g设置有有机EL元件20G。
[0266]即，实施例3相对于实施例1,将包含相邻的发光控制单位Lu的基底层的表面划分成合计五个膜形成区域7a、7d、7e、7f、7g，并且改变了有机EL元件20R和有机EL元件20G的相对配置。
[0267]更具体而言，如图23所示，第I膜形成区域7a的基底层包含TFTl1、12、保持电容13、像素电极23b、数据线41、电源线42。相对于此，第4膜形成区域7d、第5膜形成区域7e、第6膜形成区域7f、第7膜形成区域7g的基底层成为不含有扫描线31与数据线41、或电源线42等布线的构成。特别是不包含以相互绝缘的状态交叉而配置在元件基板I上的信号线的构成，在确保平坦性上是优选的。
[0268]另外，使用涂敷法(液滴喷出法)，向第4膜形成区域7d及第5膜形成区域7e，涂敷含有红色的发光层形成材料的液状体70R，形成发光层26r。同样使用涂敷法(液滴喷出法)，向第6膜形成区域7f及第7膜形成区域7g，涂敷包含绿色的发光层形成材料的液状体70G，形成发光层26g。然后，覆盖这些发光层26g、26r，并且使用蒸镀法在第I膜形成区域7a上形成发光层26b。
[0269]根据实施例3的有机EL装置300及其制造方法，使用涂敷法形成发光层26g、26r的第4膜形成区域7d、第5膜形成区域7e、第6膜形成区域7f、第7膜形成区域7g，都成为其基底层不包含布线的构成。因此，与实施例1或实施例2相比，该基底层的表面具有高的平坦性。因此，发光层26g、26r的膜厚偏差被进一步降低。
[0270]另外，如在实施例1中说明的那样，与五个膜形成区域7a、7d、7e、7f、7g的设定相关联的有机EL元件20B、20G、20R的实质的发光面积可以不必一定相同。
[0271](实施例4)
[0272]接着，参照图24及图25，对实施例4的有机EL装置及其制造方法进行说明。图24是表示实施例4的有机EL装置中的发光控制单位和发光单位的配置的概略俯视图，图25是表示实施例4的发光控制单位中的驱动电路部的构成和膜形成区域的配置的概略俯视图。其中，与实施例1的有机EL装置100相同的构成被标注相同的附图标记，省略详细的说明。而且，在图25中表示了驱动电路部的构成中主要的TFT11、12和保持电容13、电源线42的配置，省略了将它们连结的布线。
[0273]如图24所示，实施例4的有机EL装置400相对于实施例3的有机EL装置300，局部改变了数据线41的配置，并且与其之相随，使相邻的发光控制单位Lu中的驱动电路部的构成要素的配置不同。
[0274]具体而言，两根数据线41被设置成相邻而延伸，两个发光控制单位Lu隔着该两根数据线41，沿着扫描线31配置。
[0275]包含两个发光控制单位Lu的基底层被划分为三个膜形成区域，所述三个膜形成区域由沿着扫描线31跨越两个发光控制单位Lu的第I膜形成区域7a、设置有一方(附图上为左侧)的发光控制单位Lu的范围内的第8膜形成区域7h、设置有另一方(附图上为右侧)的发光控制单位Lu的范围内的第9膜形成区域7j构成。
[0276]在第I膜形成区域7a设置有有机EL元件20B。在第8膜形成区域7h设置有有机EL元件20R。在第9膜形成区域7 j设置有有机EL元件20G。与实施例1同样，有机EL元件20B具有使用蒸镀法形成的发光层26b，有机EL元件20G (有机EL元件20R)具有使用涂敷法(液滴喷出法)形成的发光层26g(发光层26r)。
[0277]更具体而言，如图25所示，在一方的发光控制单位Lu，配置有用于对两个有机EL元件20B、20R进行驱动控制的驱动电路部的构成(TFT11、12、保持电容13、电源线42等)。TFTl1,12及保持电容13以相对于沿着数据线41的方向的轴线对称的状态配置。
[0278]在另一方的发光控制单位Lu，配置有用于对有机EL元件20G进行驱动控制的驱动电路部的构成。
[0279]电源线42对设置在第I膜形成区域7a内的三个保持电容13进行覆盖，并且沿着扫描线31延伸。
[0280]有机EL元件20B的像素电极23b与一方的发光控制单位Lu的一方TFT12 (漏极)连接，有机EL元件20R的像素电极23r与一方的发光控制单位Lu的另一方TFT12 (漏极)连接。有机EL元件20G的像素电极23g与另一方的发光控制单位Lu的TFT12(漏极)连接。
[0281 ] 根据实施例4的有机EL装置400，在被划分成不包含数据线41的第8膜形成区域7h和第9膜形成区域7j，以涂敷法(液滴喷出法)形成发光层26g、26r。由于不像实施例3那样，将发光层26g、26r分别分割为两个区域，所以可不使含有发光层形成材料的液状体70G、70R的喷出(涂敷)变复杂地完成。而且，可较容易地遍及第8膜形成区域7h和第9膜形成区域7j。即，可确保基底层的平坦性，形成膜厚偏差更少的发光层26g、26r。
[0282]并且，可使三个膜形成区域7a、7h、7j的平面面积大致相同，也可使至少一个不同。特别是由于可不跨越两根数据线41地分别设置像素电极23g、23r，所以能够比较自由地调整像素电极23g、23r的大小、即有机EL元件20G、20R的发光面积。
[0283]另外，实施例4中的电源线42与保持电容13的配置并不限定于此。图26是表示与实施例4对应的变形例的驱动电路部的配置的概略俯视图。
[0284]如图26所示，变形例的有机EL装置500相对于实施例4的有机EL装置400，改变了电源线42和保持电容13的配置。
[0285]具体而言，以跨越第I膜形成区域7a和第8膜形成区域7h以及第9膜形成区域7j的方式设置了电源线42。特别是在第I膜形成区域7a中，避开设置有TFT11U2的区域，跨越相互邻接的两个数据线41地沿着电源线42设置了保持电容13。而且，在第8膜形成区域7h，以俯视与像素电极23r的大小大致相同的大小在与像素电极23r重合的位置设置了保持电容13h。同样在第9膜形成区域7j，以俯视与像素电极23g的大小大致相同的大小在与像素电极23g重合的位置设置了保持电容13j。
[0286]通过采用这样的电源线42及保持电容13、13h、13j的配置，可形成具有与各有机EL元件20B、20G、20R对应的电容的保持电容13、13h、13 j。换言之，可提高保持电容在设计上的自由度。
[0287](实施方式4)
[0288]接着，以移动式电话机为例，对本实施方式的电子设备进行说明。图27是表示作为电子设备的移动式电话机的立体图。
[0289]如图27所示，本实施方式的移动式电话机1000具备:具有操作按钮1003的主体1002、和借助铰链以折叠式安装在主体1002上的显示部1001。
[0290]在显示部1001中搭载有上述实施方式的有机EL装置10、40、100、200、300、400、500的任意一个。
[0291]因此，可提供因发光层26b、26g、26r的膜厚偏差引起的亮度不均被降低、且观看性良好的可全色显示的移动式电话机1000。
[0292]另外，搭载有上述有机EL装置10、40、100、200、300、400、500的任意一个的电子设备并不限定为移动式电话机1000。例如，可举出个人计算机或便携式信息终端、导航设备、取景器等具有显示部的电子设备。
[0293]除了上述实施方式之外，还可以考虑各种变形例。以下，举出变形例进行说明。
[0294](变形例I)在实施方式I的有机EL装置10及实施方式2的有机EL装置40中，将相邻的发光控制单位Lu划分成俯视下不同的区域的方法并不限定为三个区域。例如，也可以划分成包含凹凸最多的半导体元件部(TFT11U2)的第I膜形成区域7a、和除此以外的区域的至少两个膜形成区域。而且，在各个膜形成区域设置能得到单色发光的有机EL元件。由此，可抑制因基板上的驱动电路部的阶梯差(凹凸水准或状态)引起的功能层的膜厚变动，降低单色发光中的亮度不均。
[0295](变形例2)在实施方式I的有机EL装置10及实施方式2的有机EL装置40中，并不限定于第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c、第4膜形成区域7d的平面面积同等的情况。例如，鉴于TFT11U2与保持电容13的电气所需要的特性，只要决定其配置或大小、形状即可，可以使第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c、第4膜形成区域7d中至少一个的平面面积不同。或使相互的平面面积不同。由此，可以与能得到不同发光色的功能层24b、24g、24i■的发光特性(亮度、色度)对应地调整发光面积。
[0296](变形例3)在上述变形例2中，希望在平面面积最大的膜形成区域，设置与其他相比发光寿命较短的功能层。具体而言，由于能得到红色、绿色、蓝色发光的功能层形成材料中，蓝色与其他相比发光寿命较短，所以设置蓝色的功能层24b。发光寿命与流过功能层的电流量成比例。因此，在各发光色之间的亮度大致相同的情况下，只要相对于规定的电流量在平面面积最大的膜形成区域形成的蓝色功能层24b中，与其他相比流过较少的电流即可。结果，可延长有机EL装置10或有机EL装置40的发光寿命。
[0297]而且，希望在平面面积最小的膜形成区域，设置与其他相比发光寿命较长的功能层。具体而言，由于能得到红色、绿色、蓝色发光的功能层形成材料中，红色、绿色与蓝色相比发光寿命较长，所以设置红色或绿色的功能层。特别是若将红色和绿色比较，则绿色可见度较高。发光寿命与流过功能层的电流量成比例。因此，在各发光色之间的亮度大致相同的情况下，优选相对于规定的电流量在平面面积最小的膜形成区域设置绿色的功能层24g。虽然与其他相比需要流过较多的电流，但由于绿色可见度较高，所以若以绿色为基准，则可抑制流过其他色功能层24b、24r的电流量。结果，可延长有机EL装置10或有机EL装置40的发光寿命。
[0298](变形例4)在实施方式I的有机EL装置10的制造方法中，当第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c中的至少一个平面面积与其他不同时，在发光层形成工序中，平面面积越小，涂敷后的干燥越容易进行，有可能因干燥速度的不同而导致成膜后的膜形状不稳定。因此，优选按平面面积大的顺序涂敷液状体70B、70G、70R。由此，可抑制第I膜形成区域?第3膜形成区域之间的干燥速度之差，形成稳定的膜形状的发光层26b、26g、26r。
[0299](变形例5)在实施方式I的有机EL装置10的制造方法中，若在发光层形成工序中，对第I膜形成区域7a、第2膜形成区域7b、第3膜形成区域7c，分开涂敷不同种类的液状体70B、70G、70R，则针对随后涂敷的液状体的膜形成区域的润湿性降低。因此，优选不同种类的液状体70B、70G、70R，按照对膜形成区域的润湿性低的顺序进行涂敷。这样，可稳定地确保液状体70B、70G、70R的各膜形成区域中的润湿性，没有不均地进行涂敷。
[0300](变形例6)在上述实施方式I的有机EL装置10的制造方法中，优选含有不同的发光层形成材料的液状体70B、70G、70R中，例如含有因曝露于水分或氧中或受到加热等而容易失去活性的发光层形成材料的液状体，最后进行涂敷。由此，可使成品率提高。
[0301](变形例7)在上述实施方式I的有机EL装置10的制造方法中，功能层形成工序并不限定于涂敷含有功能性材料的液状体并使其固化的方法。例如，也可以使用蒸镀法，形成低分子或高分子的有机薄膜作为功能层。即使使用这样的蒸镀法，也能期待上述实施方式I的作用、效果。
[0302](变形例8)搭载了上述实施方式的有机EL装置10、40、100、200、300、400、500中任意一个的电子设备，并不限定于移动式电话机1000。例如，不限于能够实现全色的发光(显示)，也可设为单色发光，在单色的情况下，可作为照明装置使用。
[0303](变形例9)在上述实施方式3的实施例3中，基底层中的膜形成区域的划分方法并不限于此。图28是表示变形例的发光控制单位中的驱动电路部的构成和膜形成区域的配置的概略俯视图。例如，如图28所示，变形例的有机EL装置600以跨越沿着扫描线31配置的三个发光控制单位Lu的方式划分了第I膜形成区域7a。夹着数据线41以跨越两个发光控制单位Lu的方式分别划分了第10膜形成区域7k和第11膜形成区域7L。在第I膜形成区域7a以具有高的被覆性的蒸镀法形成发光层26b，在第10膜形成区域7k和第11膜形成区域7L上以涂敷法(液滴喷出法)分别形成了发光层26r、26g。
[0304]虽然第10膜形成区域7k和第11膜形成区域7L分别跨越数据线41而被划分，但由于不像实施例3那样分割形成发光层26g、26r的区域，某种程度上确保了平坦性，所以形成膜厚偏差少的发光层26r、26g。
[0305](变形例10)上述实施方式的有机EL装置10、40、100、200、300、400、500并不限于能得到红(R)、绿(G)、蓝(B)这3色发光色的装置，也可以具备能得到其他发光色的有机EL元件20。换言之，在一个显示单位中形成发光层的膜形成区域的数量不限定为三个。可实现更高的色再现性。
[0306](变形例11)在上述实施方式3的有机EL装置100的制造方法中，当在第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c中平面面积不同时，在发光层形成工序中，平面面积越小，涂敷后的干燥越容易进行，有可能因干燥速度的不同而导致成膜后的膜形状不稳定。因此，优选按平面面积大的顺序涂敷液状体70G、70R。由此，可抑制第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c之间的干燥速度之差，形成稳定的膜形状的发光层26g、26r。
[0307](变形例12)在上述实施方式3的有机EL装置100的制造方法中，若在发光层形成工序中，向第2膜形成区域7b和第3膜形成区域7c，分别涂敷不同种类的液状体70G、70R，则相对于随后涂敷的液状体的膜形成区域的润湿性降低。因此，优选不同种类的液状体70G、70R，按照对膜形成区域的润湿性低的顺序进行涂敷。这样，可稳定地确保液状体70G、70R的各膜形成区域中的润湿性，均匀地进行涂敷。
[0308](变形例13)在上述实施方式3的有机EL装置100的制造方法中，优选含有不同发光层形成材料的液状体70G、70R中，例如含有因曝露于水分或氧中或受到加热等而容易失去活性的发光层形成材料的液状体，最后进行涂敷。由此，可使成品率提高。
【权利要求】
1.一种有机此装置，其特征在于， 包含基板的基底层； 隔壁部，形成在所述基底层上，相互地划分相邻的第1膜形成区域和第2膜形成区域； 第1有机此元件，形成在所述基底层上俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置； 第2有机此元件，形成在所述基底层上俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置； 第1驱动电路部，形成在所述基底层，对所述第1有机此元件的驱动进行控制；和第2驱动电路部，形成在所述基底层，对所述第2有机此元件的驱动进行控制；所述第1驱动电路部的至少一部分及所述第2驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合， 所述第1有机此元件能发出第1色光，所述第2有机此元件能发出与所述第1色不同的第2色光， 所述第1有机此元件所具有的第1发光层和所述第2有机此元件所具有的第2发光层通过不同的成膜方法形成， 所述隔壁部划分所述第1膜形成区域及所述第2膜形成区域和相邻的第3膜形成区域， 该有机此装置具有: 第3有机此元件，形成在所述基底层上俯视下与所述第3膜形成区域重合的位置，并且能发出与所述第1色光及所述第2色光不同的第3色光； 第3驱动电路部，形成在所述基底层，对所述第3有机此元件的驱动进行控制；和第1数据线及第2数据线，俯视下配置在所述第2膜形成区域和所述第3膜形成区域之间，并且被配置成横穿所述第1膜形成区域； 所述第3有机此元件所具有的第3发光层通过与所述第1有机此元件所具有的第1发光层不同的成膜方法形成， 所述第3驱动电路部的至少一部分被配置成俯视下与所述第1膜形成区域重合，所述第1数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部的任意一个驱动电路部电连接， 所述第2数据线与所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部中的除了与所述第1数据线电连接的驱动电路部以外的任一个驱动电路部电连接， 所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部分别具有薄膜晶体管和保持电容， 所述第1驱动电路部、所述第2驱动电路部及所述第3驱动电路部所分别具有的所述薄膜晶体管，被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置， 所述第1驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第1膜形成区域重合的位置， 所述第2驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第2膜形成区域重合的位置， 所述第3驱动电路部所具有的所述保持电容被配置在俯视下与所述第3膜形成区域重合的位置。
2.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求1所述的有机此装置。
【文档编号】H01L27/32GK104377228SQ201410508502
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2009年10月13日 优先权日:2008年10月17日
【发明者】北林厚史, 后藤正嗣, 三泽龙平 申请人:精工爱普生株式会社