留边波浪切高方阻铝金属化膜的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，包括绝缘质地的基膜和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜的一侧，所述基膜的另一侧设置有留边，所述留边的边缘侧为波浪切边结构；所述金属镀层朝向所述留边的一侧为镀层厚度一致的高阻区，所述金属镀层背向所述留边的一侧为镀层厚度一致的低阻区，所述高阻区的镀层厚度小于所述低阻区的镀层厚度，且所述高阻区和所述低阻区之间设置有镀层厚度渐变的过渡区。本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，改善了电容器制成品的耐压性能，高阻区可以适应大电流的冲击，并增强与喷金层的融接能力，使接触电阻下降到更低的可控范围。
【专利说明】留边波浪切高方阻铝金属化膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，属于电容器金属化薄膜生产制造【技术领域】。
【背景技术】
[0002]中国专利文献CN 203456303 U公开了一种波浪分切的金属化薄膜，所述金属化薄膜在留边边缘、金属膜边缘或留边及金属膜边缘切设为波浪型边带；该方案增大了金属化薄膜绕卷支撑电容器内芯后的端子接触面积、提高了喷金面接触的附着力，降低了电容器的ESR值并提高dv/dt值；波浪形边带设于留边侧还可有效分解错边造成的同一作用力。但是，其镀层方阻呈平板结构(方阻不变)，对产品的自愈性及耐压性能有限制影响，而采用镀层厚度渐变结构的金属化膜又因为其截面口呈线性下降，虽提高了自愈互补性能，却无助于通流性能的提尚。
[0003]此外，现有技术中所加工的镀层厚度渐变结构的金属化膜，少量波浪切边是位于加厚区的，其卷绕后芯子端所喷涂金层(引出端)附着力，完全靠错边量来控制，该技术存在以下弊端:1、加厚区如满足大电流的通过，则加厚区宽度相应延长，增加了蒸镀过程中的金属消耗；2、错边量控制附着力受设备固有稳定性及操作人员的人为影响较大，易致喷金层附着力出现不同程度的减弱，从而导致电容器制成品的接触损耗变化，最终影响电容器的使用寿命。
【发明内容】
[0004]本发明正是针对现有技术存在的不足，提供一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，满足实际使用要求。
[0005]为解决上述问题，本发明所采取的技术方案如下:
一种留边波浪切高方阻铝金属化膜，包括:
绝缘质地的基膜和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜的一侧，所述基膜的另一侧设置有留边，所述留边的边缘侧为波浪切边结构；
所述金属镀层朝向所述留边的一侧为镀层厚度一致的高阻区，所述金属镀层背向所述留边的一侧为镀层厚度一致的低阻区，所述高阻区的镀层厚度小于所述低阻区的镀层厚度，且所述高阻区和所述低阻区之间设置有镀层厚度渐变的过渡区。
[0006]作为上述技术方案的改进，所述留边的有效宽度为4毫米?6毫米，所述波浪切边结构为正弦波形，且所述波浪切边的相邻峰顶间距为5毫米?8毫米，所述波浪切边的幅宽为0.5毫米?1.0毫米。
[0007]作为上述技术方案的改进，所述基膜的厚度为4微米?10微米，所述过渡区的宽度小于等于所述低阻区宽度的三分之一，所述过渡区的宽度和所述低阻区的宽度之和为所述高阻区宽度的一半。
[0008]作为上述技术方案的改进，所述低阻区的阻值为I?3 Ω / 口，所述低阻区和所述过渡区的整体阻值为40?120 Ω / 口。
[0009]本发明与现有技术相比较，本发明的实施效果如下:
本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，对称卷绕后端面由波浪边而形成凹陷，以利于喷涂金属时金属颗粒的渗入，从而增加了附着力，由于低阻区与留边是叠层相间，喷金层与低阻区形成面接触，而不是线接触，提高了通流能力，降低了接触损耗，使电容器制成品ESR得到幅下降，卷取芯组的稳定得以提高，降低了人为影响；此外，镀层采用分区等值方阻，高阻区用以提高自愈的互补性，改善电容器制成品的耐压性能，高阻区可以适应大电流的冲击，并增强与喷金层的融接能力，使接触电阻下降到更低的可控范围。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜截面结构示意图；
图2为本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
[0012]如图1和图2所示，为本发明所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜结构示意图。本发明所述留边波浪切高方阻铝金属化膜，包括:绝缘质地的基膜I和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜I的一侧，所述基膜I的另一侧设置有留边11，所述留边11的边缘侧为波浪切边结构；具体地，所述留边11的有效宽度d为4毫米?6毫米，所述波浪切边结构为正弦波形，且所述波浪切边的相邻峰顶间距e为5毫米?8毫米，所述波浪切边的幅宽f为0.5毫米?1.0毫米。
[0013]所述金属镀层朝向所述留边11的一侧为镀层厚度一致的高阻区21，所述金属镀层背向所述留边11的一侧为镀层厚度一致的低阻区23，所述高阻区21的镀层厚度小于所述低阻区23的镀层厚度，且所述高阻区21和所述低阻区23之间设置有镀层厚度渐变的过渡区22。具体地，所述基膜I的厚度为4微米?10微米，所述过渡区22的宽度b小于等于所述低阻区23宽度a的三分之一，所述过渡区22的宽度b和所述低阻区23的宽度a之和为所述高阻区21宽度c的一半。进一步地，所述低阻区23的阻值为I?3 Ω / 口，所述低阻区23和所述过渡区22的整体阻值为40?120 Ω / 口。
[0014]如图1所示，两个所述留边波浪切高方阻铝金属化膜层叠后卷绕成为电容器的卷取芯组，且两个所述留边波浪切高方阻铝金属化膜的所述留边11朝向一个向左一个向右，而两个所述留边波浪切高方阻铝金属化膜的所述金属镀层均朝上，对称卷绕后，端面由波浪切边结构的留边11形成凹陷，以利于喷涂金属时金属颗粒的渗入，从而增加了附着力，由于低阻区23与留边11是叠层相间，喷金层与低阻区23形成面接触，而不是线接触，提高了通流能力，降低了接触损耗，使电容器制成品ESR得到幅下降，卷取芯组的稳定得以提高，降低了人为影响；此外，镀层采用分区等值方阻，高阻区21用以提高自愈的互补性，改善电容器制成品的耐压性能，高阻区21可以适应大电流的冲击，并增强与喷金层的融接能力，使接触电阻下降到更低的可控范围。
[0015]以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明，不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所属【技术领域】的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明保护的范围。
【权利要求】
1.留边波浪切高方阻铝金属化膜，其特征是，包括: 绝缘质地的基膜(I)和位于所述基膜上的金属镀层，所述金属镀层位于所述基膜(I)的一侧，所述基膜(I)的另一侧设置有留边(11 )，所述留边(11)的边缘侧为波浪切边结构； 所述金属镀层朝向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的高阻区(21)，所述金属镀层背向所述留边(11)的一侧为镀层厚度一致的低阻区(23)，所述高阻区(21)的镀层厚度小于所述低阻区(23)的镀层厚度，且所述高阻区(21)和所述低阻区(23)之间设置有镀层厚度渐变的过渡区(22)。
2.如权利要求1所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，其特征是，所述留边(11)的有效宽度(d)为4毫米?6毫米，所述波浪切边结构为正弦波形，且所述波浪切边的相邻峰顶间距(e)为5毫米?8毫米，所述波浪切边的幅宽(f)为0.5毫米?1.0毫米。
3.如权利要求1或2所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，其特征是，所述基膜(I)的厚度为4微米?10微米，所述过渡区(22)的宽度(b)小于等于所述低阻区(23)宽度(a)的三分之一，所述过渡区(22)的宽度(b)和所述低阻区(23)的宽度(a)之和为所述高阻区(21)宽度(c)的一半。
4.如权利要求3所述的留边波浪切高方阻铝金属化膜，其特征是，所述低阻区(23)的阻值为I?3 Ω/ 口，所述低阻区(23)和所述过渡区(22)的整体阻值为40?120 Ω/ 口。
【文档编号】H01G4/015GK104465094SQ201410800785
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月22日 优先权日:2014年12月22日
【发明者】曹骏骅, 吴平 申请人:安徽赛福电子有限公司