Lds工艺的lte天线的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种LDS工艺的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点3连接有寄生辐射单元。本实用新型的有益效果在于：应用本实用新型天线设计方案可有效利用支架或壳体面积，较少了生产工序，整体降低产品不良率，间接地节约了成本，且将天线拓宽至4G频段，可实现低频824～960MHZ，高频1710～2620MHZ下的通讯应用。
【专利说明】LDS工艺的LTE天线
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种通讯设备天线，尤其是指一种LDS工艺的LTE天线。
【背景技术】
[0002]现有的FPC天线产品的结构设计不够合理，应用时易起皱、翘起，且面积利用较少，且一般只能满足3G产品需求。而随着技术的发展，人们对无线通讯的速率也提出了更高要求。4G应运而生，时下的4G即LTE Advanced。LTE是应用于手机及数据卡终端的高速无线通讯标准，其有能力提供300Mbit/s的下载速率和75Mbit/s的上传速率。在E-UTRA环境下可借助QOS技术实现低于5ms的延迟。LTE可提供高速移动中的通信需求，支持多播和广播流。LTE频段扩展度好，支持1.4MHZ至20MHZ的时分多址和码分多址频段。全IP基础网络结构，也被称作核心分组网演进，将替代原先的GPRS核心分组网，可向原先较旧的网络如GSM、UMTS和CDMA2000提供语音数据的无缝切换。而为了实现LTE的通讯，对应的新天线结构设计也成为业内竞争的焦点。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种支持4G频段且可有效利用支架或壳体面积的LDS工艺的LTE天线。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为:一种LDS工艺的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点3连接有寄生辐射单元；
[0005]所述第一辐射单元由相连的第一辐射支、第二辐射支、第三辐射支及第四辐射支构成；所述第一辐射支沿左侧水平延伸，所述第二辐射支向左下倾斜延伸，所述第三辐射支沿左侧水平延伸，其端部向下延伸与第四辐射支相连，第四辐射支水平设置于第三辐射支下侧；
[0006]所述第二辐射单元由相连的第一辐射段、第二辐射段、第三辐射段、第四辐射段及第五辐射段构成；所述第一辐射段向下延伸，于第一辐射段上部向左水平延伸形成第二辐射段，第二辐射段与第一辐射单元的第二辐射支相连，第一辐射段下部向左水平延伸形成第三辐射段，向右水平延伸形成第四辐射段，第一辐射段下端向左延伸形成第五辐射段；所述第五辐射段呈L字形；
[0007]上述结构中，所述第一辐射单元的第一辐射支与第二辐射单元的第二辐射段间隔形成第一缝隙，第一缝隙长7_9mm,宽0.6-0.9mm ；
[0008]上述结构中，所述第一辐射单元的第三辐射支宽1.5-1.8mm ；
[0009]上述结构中，所述第一辐射单元的第四辐射支宽0.8-1.0mm ；
[0010]上述结构中，所述第二辐射单元的第五辐射段宽1.3-1.6mm ；
[0011]上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射段宽3.3-4.5mm ；
[0012]上述结构中，所述寄生辐射单元的长度为5_7mm。
[0013]本实用新型的有益效果在于:应用本专利天线设计方案可有效利用支架或壳体面积，较少了生产工序，整体降低产品不良率，间接地节约了成本,且将天线拓宽至4G频段，可实现低频824?960MHZ，高频1710?2620MHZ下的通讯应用。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]下面结合附图详述本实用新型的具体结构
[0015]图1为本实用新型的结构示意图；
[0016]图2为本实用新型的应用结构示意图1 ;
[0017]图3为本实用新型的应用结构示意图2 ;
[0018]图4为本实用新型的应用结构示意图3 ;
[0019]图5为基于本实用新型设计天线的VSWR自由空间测试图；
[0020]图6为基于本实用新型设计天线的RL自由空间测试图。
[0021]1-接地馈点；2_信号输入馈点；3_寄生馈点；11_第一辐射支；12_第二辐射支；13_第三辐射支；14_第四辐射支；21_第一辐射段；22-第二辐射段；23_第三辐射段；24_第四辐射段；25_第五辐射段；31_寄生辐射单元；112-第一缝隙；134-第二缝隙；232-耦合空间；100_支架；10_接地端子；20_信号端子；30_寄生端子。
【具体实施方式】
[0022]为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0023]请参阅图1，一种LDS工艺的LTE天线，包括从左至右并排间隔设置的接地馈点1、信号输入馈点2和寄生馈点3。其中接地馈点I与第一辐射单元相连，信号输入馈点2连接有第二辐射单元，寄生馈点3连接有寄生辐射单元31。
[0024]所述第一辐射单元由相连的第一辐射支11、第二辐射支12、第三辐射支13及第四辐射支14构成。其中，第一辐射支11沿左侧水平延伸，第二辐射支22连接于第一辐射支11端部，其向左下倾斜延伸，而第三辐射支13则沿左侧水平延伸，第三辐射支13的端部向下延伸与第四辐射支14相连，第四辐射支14水平设置于第三辐射支13下侧，即第三辐射支13与第四辐射支14构成侧卧的h字形，而第三辐射支13与第四辐射支14之间形成的第二缝隙134的长度将影响低频工作频率，宽度影响低频带宽，其尺寸根据实际测试需求调节即可。
[0025]而上述第二辐射单元则是由相连的第一辐射段21、第二辐射段22、第三辐射段
23、第四辐射段24及第五辐射段25构成。所述第一辐射段21向下延伸，于第一辐射段21上部向左水平延伸形成第二辐射段22，第二辐射段22作为高低频共用段与第一辐射单元的第二辐射支12相连，第一辐射段21下部向左水平延伸形成第三辐射段23，第三辐射段23的长度影响LTE频段工作频率，根据实际需求设计即可。第三辐射段23下部向右水平延伸形成第四辐射段24，第四辐射段24为TD/LTE频段部分，其宽度影响带宽，长度影响工作频率，同样根据实际使用需求设计即可。此外，在第一辐射段21下端向左延伸形成第五辐射段25 ;所述第五辐射段25呈L字形。
[0026]由此第一辐射单元、第二辐射单元围绕形成耦合空间232，耦合空间232的形状主要影响高频带宽，根据实际应用设计即可。
[0027]从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于:应用本专利天线设计方案可有效利用支架或壳体面积，较少了生产工序，整体降低产品不良率，间接地节约了成本，且将天线拓宽至4G频段，可实现低频824?960MHZ，高频1710?2620MHZ下的通讯应用。
[0028]实施例1:
[0029]上述结构中，所述第一辐射单元的第一辐射支11与第二辐射单元的第二辐射段22间隔形成第一缝隙112，此第一缝隙112影响高低频带宽，为阻抗敏感部分。第一缝隙112的长度在影响天线整体带宽的同时，影响高频工作频率，结合大量实验优选的该第一缝隙长 7_9mm,宽 0.6-0.9mm。
[0030]实施例2:
[0031]上述结构中，所述第一辐射单元的第三辐射支13的线宽影响高低频带宽，结合大量实验优选的该第三辐射支13宽1.5-1.8mm。
[0032]实施例3:
[0033]上述结构中，所述第一辐射单元的第四辐射支14的长度影响天线低频工作频率，宽度影响带宽，结合大量实验优选的该第四辐射支14宽0.8-1.0mm最佳。
[0034]实施例4:
[0035]上述结构中，所述第二辐射单元的第五辐射段25为DCS频率工作段，其长度影响高频工作频率，宽度影响带宽，结合大量实验优选的该第五辐射段25宽1.3-1.6mm最佳。
[0036]实施例5:
[0037]上述结构中，所述第二辐射单元的第一辐射段21为高频共用部分，其线宽影响高频带宽，结合大量实验优选的该第一辐射段21宽3.3-4.5mm ；
[0038]实施例6:
[0039]上述结构中，所述寄生辐射单元31与第二辐射单元的第一辐射段21、第四辐射段24共同影响高频带宽，结合大量实验优选的该寄生辐射单元31长度为5-7_。
[0040]参见图2-4为本天线实际应用示意图，可见，天线立体的设置在支架100 —面上，而在支架100的另一面对应接地馈点1、信号输入馈电2和寄生馈点3设置有接地端子10、信号端子20和寄生端子30，由此支架100的安装可直接完成天线的连接设置。可见本专利天线可有效利用支架或壳体面积，由此较少了生产工序，等于降低了整体产品的不良率，间接地节约了成本。
[0041 ] 此外需要说明的是，此类天线一般净空区3?6_，净空区越大，天线带宽越宽，效率越高；同时或需要调整天线匹配电路；另外根据需要可设计为ros、LRP等工艺形式。
[0042]如图5、6所示为基于本专利结构设计的LDS工艺的LTE天线的VSWR及Sll测试图，从图示效果可以看出，此天线低频可覆盖824?960MHz，高频可覆盖1710?2620MHz，可以满足目前所需的4G天线通讯需求。
[0043]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的【技术领域】，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【权利要求】
1.一种LDS工艺的LTE天线，其特征在于:包括从左至右并排间隔设置的接地馈点、信号输入馈点和寄生馈点；所述接地馈点与第一辐射单元相连，信号输入馈点连接有第二辐射单元，寄生馈点连接有寄生辐射单元； 所述第一辐射单元由相连的第一辐射支、第二辐射支、第三辐射支及第四辐射支构成；所述第一辐射支沿左侧水平延伸，所述第二辐射支向左下倾斜延伸，所述第三辐射支沿左侧水平延伸，其端部向下延伸与第四辐射支相连，第四辐射支水平设置于第三辐射支下侧； 所述第二辐射单元由相连的第一辐射段、第二辐射段、第三辐射段、第四辐射段及第五辐射段构成；所述第一辐射段向下延伸，于第一辐射段上部向左水平延伸形成第二辐射段，第二辐射段与第一辐射单元的第二辐射支相连，第一辐射段下部向左水平延伸形成第三辐射段，向右水平延伸形成第四辐射段，第一辐射段下端向左延伸形成第五辐射段；所述第五辐射段呈L字形。
2.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述第一辐射单元的第一辐射支与第二辐射单元的第二辐射段间隔形成第一缝隙，第一缝隙长7-9_，宽0.6-0.9_。
3.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述第一辐射单元的第三福射支宽1.5-1.8mm。
4.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述第一辐射单元的第四福射支宽0.8-1.0mm。
5.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述第二辐射单元的第五福射段宽1.3-1.6mm。
6.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述第二辐射单元的第一福射段宽3.3-4.5mm。
7.如权利要求1所述的LDS工艺的LTE天线，其特征在于:所述寄生辐射单元的长度为 5_7mm。
【文档编号】H01Q1/38GK204179219SQ201420631213
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】牛兴刚, 张中俊, 江勇 申请人:普尔信通讯科技（深圳）有限公司