一种快恢复二极管模块的制作方法

一种快恢复二极管模块的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供的一种快恢复二极管模块，包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，其中，至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。与现有技术相比，提高了各芯片之间的回路电流的均流性，提高FRD模块的稳定性。
【专利说明】一种快恢复二极管模块

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种快恢复二极管模块。

【背景技术】
[0002]随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，FRD(Fast Recovery D1de，快恢复二极管)作为一种高频器件也得到了蓬勃发展，现已广泛应用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收和隔离作用。为提高模块的过电流能力、功率密度，模块化封装的FRD采用并联的方式，将多颗小电流芯片并联，以得到大电流FRD模块。随着电力技术的发展，需要并联的芯片数量增多，如果均流性差，FRD模块容易出现因过流击穿损坏、失效的问题。
实用新型内容
[0003]为解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种快恢复二极管模块。
[0004]包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，其中，至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。
[0005]进一步地，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极均通过导电引线与所述第二电极相连，其中，所述导电引线的材质、线径以及长度相等；所述底板为金属底板，所述第一电极由其构成，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极均通过焊接层与第一电极连接。
[0006]进一步地，所述第二电极通过引出电极引出至所述外壳的外部。
[0007]进一步地，所述相同极性的第一极为阴极，相同极性的第二极为阳极。
[0008]进一步地，所述相同极性的第一极为阳极，相同极性的第二极为阴极。
[0009]进一步地，所述腔体填充有硅凝胶。
[0010]本实用新型提供的一种快恢复二极管模块，包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，其中，至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。与现有技术相比，提高了各芯片之间的回路电流的均流性，提高FRD模块的稳定性。

【专利附图】

【附图说明】
[0011]图1是本实用新型实施例快恢复二极管模块的结构剖面图；
[0012]图2是本实用新型实施例快恢复二极管模块内部芯片布置图。

【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本实用新型实施例进一步说明:
[0014]图1是本实用新型快恢复二极管模块的结构剖面图；如图1所示:一种快恢复二极管模块，包括一外壳10及与其配合构成一腔体的底板20，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片(30a、30b)、绝缘基板40、第一电极50和第二电极60，所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。因此，在制造过程中，采用材料及线径一致的导电引线，以及采用一致的焊接工艺进行连接，便可使所述的至少两个快恢复二极管芯片电流回路的内阻尽可能地接近，提高其均流性。
[0015]具体地，在某些实施例中，所述至少两个快恢复二极管芯片的第二极均通过导电引线70与所述第二电极相连，其中，所述导电引线的材质、线径及长度均相同；以保证至少两个快恢复二极管芯片与第二电极的连接电阻相同，提高快恢复二极管模块的均流性。所述底板为金属底板，所述第一电极由其构成，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极均通过焊接层与第一电极连接。
[0016]具体地，在某些实施例中，如图1所示，所述的快恢复二极管结构组为两个，且相对于整个快恢复二极管的中轴线相对称分布。其中每个快恢复二极管结构组中的快恢复二极管可以为奇数个，也可以为偶数个。
[0017]具体地，在某些实施例中，所述第二电极60通过引出电极90引出至所述外壳的外部。
[0018]图2是本实用新型快恢复二极管模块内部芯片布置图，如图2所示，其中每个快恢复二极管结构组包含四个快恢复二极管芯片，其中快恢复二极管芯片35-38、绝缘基板41、第二电极62、引出电极92均设于底板中轴线左侧，底板材料为紫铜，，第二电极62即为覆盖在陶瓷基板上的片状铜层，快恢复二极管芯片35-38及绝缘基板通过焊接材料钎焊于底板上；快恢复二极管35和36、37和38与片状铜层的连接距离相等，且均通过材质、线径及材料相同的导电引线与第二电极连接，底板中轴线的右侧设置有快恢复二极管芯片31-34、绝缘基板42、第二电极61、引出电极91，其连接关系跟左侧相同，不再赘述。
[0019]具体地，所述相同极性的第一极为阴极，相同极性的第二极为阳极。
[0020]具体地，所述相同极性的第一极为阳极，相同极性的第二极为阴极。
[0021]进一步地，所述腔体填充有硅凝胶80，以对快恢复二极管芯片进行保护及散热。
[0022]本实用新型实施例所公开的快恢复二极管模块，提高了各芯片之间的回路电流的均流性，提高FRD模块的稳定性。
[0023]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种快恢复二极管模块，包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板，所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组，所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极，其特征在于:所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上，所述第二电极设于绝缘基板上，其中，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连，并且所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。
2.如权利要求1所述的快恢复二极管模块，其特征在于:所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极均通过导电引线与所述第二电极相连，其中，所述导电引线的材质、线径以及长度相同；所述底板为金属底板，所述第一电极由其构成，所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极均通过焊接层与第一电极连接。
3.如权利要求1或2所述的快恢复二极管模块，其特征在于:所述第二电极通过引出电极引出至所述外壳的外部。
4.如权利要求1或2所述的快恢复二极管模块，其特征在于:所述相同极性的第一极为阴极，相同极性的第二极为阳极。
5.如权利要求1或2所述的快恢复二极管模块，其特征在于:所述相同极性的第一极为阳极，相同极性的第二极为阴极。
6.如权利要求1或2所述的快恢复二极管模块，其特征在于:所述腔体填充有硅凝胶。
【文档编号】H01L23/538GK204155917SQ201420657174
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2014年11月5日 优先权日:2014年11月5日
【发明者】周文定 申请人:成都晶川电力技术有限公司