阵列基板及其应用装置与组装方法与流程

本发明涉及一种基板和应用此一基板的显示装置与及其组装方法，且特别是涉及一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法。

背景技术：

随着消费性电子产品快速发展，下一代可携式显示器的规格要求着重于环保、轻、薄、低耗电、高分辨率与高效能等重点。薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)具有效率高、寿命长、不易破损等优点，目前已经是成为市场主流。然而，薄膜晶体管液晶显示器是利用电场改变液晶的排列方向来驱动荧幕，同时由于液晶本身不发光，需要额外的背光模块提供光源，较不利于环保与薄型化的需求。

主动矩阵有机发光二极管(Active-Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示器具有高对比度、超广视角、低功率消耗、色彩鲜艳、显示亮度高等优点，而且因为自发光不需背光模块，因此尺寸超薄成本更低，也比较省电，是产业关注最多与最寄予厚望的新技术之一。然而，现有的主动矩阵有机发光二极管技术必须通过蒸镀法，将有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)材料制作于背板(backplane)上，制作工艺中仍有许多问题即待解决。加上，所使用的材料有老化速度快，且使用寿命与发光效率不均一的问题，不仅制作工艺良率不高，也容易产生色偏现象而影响显示品质。

因此，仍有需要提供一种先进的阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法，以改善现有技术所面临的问题。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明的一个实施例提供一种阵列基板，包括具有多个像素区的基材，这些像素区中的至少其一者，包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极其中之一者与薄膜晶体管元件电性接触，且第一电极和第二电极其中之一者具有一个磁力产生结构，可产生实值介于10高斯(gauss)至1000高斯的磁场。

本发明的另一个实施例是有关于一种显示装置，包括一个基材以及至少一个发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)。基材具有多个像素区，且这些像素区中的至少其一者包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极中的一者与薄膜晶体管元件电连接。发光二极管具有与第一电极电连接的一个第三电极，以及一个与第二电极电连接的第四电极。第一电极和第三电极其中之一者，具有一个磁力产生结构；其中的另一者，具有一种可被磁力吸引的材料。

本发明的又一个实施例是有关于一种显示装置的组装方法，包括下述步骤：首先，提供一个阵列基板，此阵列基板包括具有多个像素区的基材，这些像素区中的至少其一者，包括位于基材上的至少一个薄膜晶体管元件、一个第一电极以及一个与第一电极电性隔离的第二电极。其中，第一电极和第二电极中的一者与薄膜晶体管元件电性接触。接着，提供至少一个发光二极管，使发光二极管具有一个与第一电极电连接的第三电极，以及一个与第二电极电连接的第四电极；其中，第一电极和第三电极其中之一者，具有可产生实值介于10高斯至1000高斯的一个磁力产生结构；其中的另一者，具有一种被磁力吸引的材料。

根据上述，本发明的实施例是提供一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法。采用发光二极管结合阵列基板的设计概念，提供更环保、更高效率且薄型化的平面显示器，同时免去有机发光二极管显示器因制作工艺和材料使用寿命等因素所引发的良率不足与显示品质不佳的问题。另外，由于发光二极管与阵列基板之间通过二者的电极的磁力吸引来进行对位，不需额外的对准标记(align mark)，可有效简化制作工艺步骤与降低制造成本。另外，在发光二极管与阵列基板的结合过程中，更可采用金属网罩对发光二极管进行预先对位，可进一步增进发光二极管与阵列基板之间对位的准确性。

附图说明

图1为本发明的一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；

图2为本发明的另一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；

图3为本发明的又一实施例所绘示的阵列基板的部分结构剖面示意图；

图4为本发明的一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；

图4A至图4C为分别根据本发明的不同实施例所绘示的发光二极管的部分结构俯视图；

图5为本发明的另一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；

图5A、图5B为图5所绘示的不同发光二极管的部分结构俯视图；

图6为本发明的又一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；

图6A为图6所绘示的发光二极管的部分结构俯视图；

图7为本发明的又再一实施例所绘示的显示装置的部分结构剖面示意图；

图8为本发明的一实施例所绘示的一种显示装置的组装方法流程图；

图8A至图8F为图8所绘示的一系列制作工艺结构示意图。

符号说明

40：显示装置 60：显示装置

70：显示装置 80：显示装置

90：显示装置 100：阵列基板

101：基材 101a：基材表面

102：像素区 103：薄膜晶体管元件

103a：栅极电极 103b：栅介电层

103c：主动层 103d：源极电极

103e：漏极电极 104：第一电极

104a：第一电极的顶表面 105：第二电极

105a：第二电极的顶表面 106：绝缘层

107：第一开口 107a：第一开口对应的侧壁

107b：第一开口的底部 108：第一开口

108a：第一开口对应的侧壁 109：磁力产生结构

111：介电保护层 200：阵列基板

203：薄膜晶体管元件 203a：栅极电极

203b：栅介电层 203c：主动层

203d：源极电极 203e：漏极电极

203f：漏极电极延伸部 210：绝缘层

204：第一电极 205：第二电极

300：阵列基板 304：第一电极

309：磁力产生结构 309a：第一线圈

309b：第二线圈 309c：插塞

400：发光二极管 400’：发光二极管

400”：发光二极管 401：基板

402：第一型半导体层 403：发光层

404：第二型半导体层 405：第三电极

405’：第三电极 405a：第三电极的顶表面

406：第四电极 406’：第四电极

406a：第四电极的顶表面 500：发光二极管

500’：发光二极管 501：基板

502：第一型半导体层 503：发光层

504：第二电性半导体层 504a：第二型半导体层的顶面

504’：第二型半导体层 505：第三电极

506：第四电极 507：堆叠结构

508：导电粘着件 509：绝缘层

600：发光二极管 602：第一型半导体层

603：发光层 604：第二型半导体层

606：第四电极 607：堆叠结构

700：发光二极管 702：第一型半导体层

703：发光层 704：第二型半导体层

704a：第一型半导体层的顶面

706：第四电极 707：堆叠结构

710：阵列基板 714：第一电极

715：第二电极 801：发光二极管

801a：第三电极 801b：第四电极

801c:底表面 802：第一承载基板

803：金属网罩 803a：凹室

804：磁力 805：第二承载基板底

806：真空吸引力 807：阵列基板

808：导电粘着层 H：距离

I：电流 P：间距

S81：提供多个发光二极管，使每一个发光二极管具有第三电极以及第四电极。其中，第四电极和第三电极其中至少一者，具有磁力产生结构或者具有可被磁力吸引的材料。并将这些发光二极管置于第一承载基板上。

S82：提供具有多个凹室的金属网罩，并施加磁力于金属网罩上。

S83：将金属网罩靠近置于第一承载基板上的发光二极管，使具有磁力产生结构或可被磁力吸引的材料的第四电极和第三电极其中至少一者被磁力吸引而容置于凹室之中，并移开第一承载基板。

S84：提供第二承载基板与发光二极管远离第三电极和第四电极的底表面接触，并提供真空吸引力，将发光二极管的底表面吸附于第二承载基板上。

S85：停止施加磁力于金属网罩上，并将金属网罩移开，以将发光二极管转移至第二承载基板上。

S86：将第二承载基板靠近阵列基板，使第三电极与第一电极接触，以及使第四电极与第二电极接触，使阵列基板与发光二极管结合。

S87：停止施加真空吸引力，并移除第二承载基板。

具体实施方式

本发明是提供一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法，可以提供更环保、且薄型化的平面显示器，且改善现有有机发光二极管显示器良率不足与显示品质不佳的问题。为了对本发明的上述实施例及其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举数个优选实施例，并配合所附的附图作详细说明。

但必须注意的是，这些特定的实施案例与方法，并非用以限定本发明。本发明仍可采用其他特征、元件、方法及参数来加以实施。优选实施例的提出，仅用以例示本发明的技术特征，并非用以限定本发明的权利要求。该技术领域中具有通常知识者，将可根据以下说明书的描述，在不脱离本发明的精神范围内，作均等的修饰与变化。在不同实施例与附图之中，相同的元件，将以相同的元件符号加以表示。

请参照图1，图1为根据本发明的一实施例所绘示的阵列基板100的部分结构剖面示意图。其中，阵列基板100包括基材101。在本发明的一些实施例之中，基材101可以是一种可透光的材质，例如玻璃或可挠性的塑胶基材。其中，基材101可包含多个像素区102。虽然为了方便描述起见，图1中仅绘示单一个像素区102位于基材101上，然而其并非用以限定本发明。在本发明的另一些实施例之中，基材101可以具有至少二个以上的像素区102。其中，两相邻像素区102之间的间距(pitch)实质介于0.01毫米(mm)至100毫米之间。

而这些像素区102中的至少其一者，可以包括至少一个薄膜晶体管元件103、一个第一电极104以及一个与第一电极104电性隔离的第二电极105。详言之，薄膜晶体管元件103包括栅极电极103a、介电层103b、主动层(通道层)103c、源极电极103d和漏极电极103e。在本实施例中，栅极电极103a位于基材表面101a上；介电层103b位于栅极电极103a上；主动层103c位于介电层103b上；源极电极103d和漏极电极103e分别位于主动层103c上，彼此隔离且与主动层103c接触。

在本实施例中，第一电极104位于基材表面101a上，且与薄膜晶体管元件103隔离。阵列基板100还包括一个绝缘层106形成于基材101上方，并覆盖薄膜晶体管元件103和部分第一电极104。此一绝缘层106具有一个第一开口107贯穿绝缘层106，形成与此第一开口107对应的侧壁107a，并暴露至少部分第一电极104。

在本实施例中，绝缘层106还包括一第二开口108，贯穿绝缘层106，形成与此第二开口108对应的侧壁108a，并将至少一部分薄膜晶体管元件103的漏极电极103e暴露于外。第二电极105位于绝缘层106上方，并与第一电极104隔离。如图1所绘示，至少一部分第二电极105延伸覆盖于侧壁108a上，且第二电极105与薄膜晶体管元件103的漏极电极103e电性接触。

另外，优选可以在绝缘层106和第二电极105上形成介电保护层111，填充第二开口108，并暴露出一部分第一电极104以及一部分第二电极105。

请参照图2，图2为根据本发明的又一实施例所绘示的阵列基板200的部分结构剖面示意图。其中阵列基板200的结构大致与阵列基板100类似，差别在于第二开口108对应的侧壁108a与第二开口108的底部覆盖有一绝缘层210，将暴露于外的一部分漏极电极203e隔离，而阵列基板200的第二电极205设置于绝缘层210上。因此，薄膜晶体管元件203并未与第二电极105产生电性接触。第一电极204经由第一开口107暴露于外，并与薄膜晶体管元件203的漏极电极203e延伸部203f电连接(如图2所绘示)，此外，阵列基板200的第二电极205至少有一部分延伸覆盖于第一开口107对应的侧壁107a上，但并未与位于第一开口107底部107b的第一电极204接触。

另外，前述图1或图2所绘示的第一电极和第二电极其中至少一者中，可以包含一个可产生磁场强度实值介于10高斯至1000高斯的磁力产生结构109。例如在图1的实施例中，第一电极104和或第二电极105其中之一者；或是第一电极104和第二电极105都包含一种磁性材料。其中，此种磁性材料可以是选自于由铁磁矿(Fe3O4)、铝镍钴合金、钕铁棚磁铁(Nd2Fe14B)、铂(Pt)、铁(Fe)、铌(Nb)、钐(Sm)、钴(Co)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钡(BaO)、氧化锶(SrO)以及上述的任意组合所组成的一群组。这种磁性材料可用来在第一电极104或第二电极105上亦或是第一电极104和第二电极105二者周边产生磁场，需说明的是，磁力量测的方法可以是在阵列基板的第一电极104或第二电极105表面使用高斯计量测。

然而，上述的磁力产生结构并不以此为限，例如请参照图3，图3为根据本发明的再一实施例所绘示的阵列基板300的部分结构剖面示意图。其中，阵列基板300的结构大致与阵列基板100类似，差别在于二者的磁力产生结构有所不相同。

在本发明的一些实施例中，第一电极304具有磁力产生结构309，其中磁力产生结构309至少包括彼此电连接的一个第一线圈309a以及一个第二线圈309b，可与一外部电源连接，而形成一个电磁铁结构。例如，在本实施例中，第一线圈309a和第二线圈309b可以是通过介电层103b彼此分隔的两个环形金属层，且第一线圈309a和第二线圈309b在基板101上的正投影至少有一部分重叠，二者优选具有同一轴心。第一线圈309a和第二线圈309b二者之间，通过介电层103b来彼此隔离，并通过一个贯穿介电层103b的插塞309c彼此电连接。当电流I流过第一线圈309a和第二线圈309b，即会在第一电极304周边产生高于地球磁场的磁场，优选地，第一线圈309a、第二线圈309b和插塞309c都为同一材质。本发明并不限制磁力产生结构只能有第一线圈及第二线圈，若要增强磁场范围，优选地，可使用更多电连接的线圈。此外，本发明也不限制线圈必须是圆形，只要其具有环状结构(例如多边形环)即为本发明的范畴。

若将多个发光二极管(LED)结合至以上所述的阵列基板100、200或300的像素区中，即可形成一种发光二极管显示装置。例如请参照图4，图4为根据本发明的一实施例所绘示的显示装置40的部分结构剖面示意图。其中，显示装置40为由图1所绘示的阵列基板100与至少一个发光二极管400结合所形成。

发光二极管400包括一个基板(例如氧化铝基板)401、一个第一型半导体层(例如N型氮化镓层)402、一个发光层403、一个第二型半导体层(例如P型氮化镓层)404、一个第三电极405以及一个第四电极406。第一型半导体层402、发光层403和第二型半导体层404依序堆叠于基板401上。第三电极405位于第二型半导体层404上，与第二型半导体层404电性接触。第四电极406位于第一型半导体层402上，且与第一型半导体层402电性接触。

当阵列基板100和发光二极管400结合时，第三电极405与第一电极104电连接；第四电极406与第二电极105电连接。于本实施例中，第一电极104包含磁性材料；第三电极405则具有可被磁力吸引的材料。其中，可被磁力吸引的材料选自于由铁、钴、镍以及上述的任意组合所组成的一群组。通过第一电极104的磁性材料与第三电极405中的可被磁力吸引材料之间的吸引力，不需要额外的对准标记，即可以将第三电极405与第一电极104精准对位，达到准确结合的目的。

在本发明的一些实施例中，第二电极105也可以包含有磁性材料，且第四电极406也可以具有可被磁力吸引的材料，二者也可通过磁力的吸引来进行对位。不过，在本实施例中，优选为只有第一电极104包含磁性材料；以及只有与第一电极104对应连接的第三电极405具有可被磁力吸引的材料。第二电极105和第四电极406都为不具磁性或不具有受磁场吸引的材料。在本发明的另外一些实施例中，可以是第一电极104具有可被磁力吸引的材料，而第三电极405包含磁性材料。但本发明并不以上述的实施例为限。总括来说，当第一电极104、第二电极105、第三电极405和第四电极406中至少一者包含有磁性材料时，其对应连接的另一者为具有被磁力吸引的材料。

而为了增加阵列基板100和发光二极管400的结合强度，第三电极405和第四电极406可以设计成不同的形状；且第一电极104的顶表面104a的表面积大于等于第三电极405的顶表面405a的表面积；第二电极105的顶表面105a的表面积大于等于第四电极406的顶表面406a的表面积。

在本发明的一些实施例中，发光二极管400的第三电极405和第四电极406都具有圆形的横截面(如图4A所绘示)。在本发明的另一些实施例中，发光二极管400’的第三电极405’可以具有多边型(例如六角型)或其他规则或不规则形状的横截面，第四电极406具有圆形的横截面(如图4B所绘示)。在本发明的又一些实施例中，发光二极管400”的第四电极406’可以具有多边型(例如六角型)或其他规则或不规则形状的横截面；第三电极405具有圆形的横截面(如图4C所绘示)。在本发明的再一些实施例中，第三电极405和第四电极406可以都具有多边形，例如三角形、四边形、六角型或其他规则或不规则形状的横截面(未绘示)。

此外，显示装置40可以更包含至少一条扫描线(未绘示)和至少一条数据线(未绘示)。其中，扫描线与薄膜晶体管元件103的栅极电极103a电连接；数据线与薄膜晶体管元件103的源极电极103d电连接；且第一电极104可以作为显示装置40的一个共用电极(common electrode)，优选地，第一电极104可以与栅极电极103a在同一道制作工艺中形成。

在本发明的一些实施例中，不同形式的阵列基板可与不同形式的发光二极管进行结合，形成不同形式的显示装置。例如请参照图5，图5是根据本发明的另一实施例所绘示的显示装置50的部分结构剖面示意图。其中显示装置50由图2所绘示的阵列基板200与至少一个发光二极管500结合所形成。

其中，发光二极管500包括一个基板(例如氧化铝基板)501、一个第一型半导体层(例如N型氮化镓层)502、一个发光层503、第二型半导体层(例如P型氮化镓层)504、一个第三电极505以及一个第四电极506。第一型半导体层502、发光层503和第二型半导体层504依序堆叠于基板501上。第三电极505位于第二型半导体层504的上方，与第二型半导体层504的顶面504a电性接触。第四电极506与第一型半导体层502电性接触，且延伸至第一型半导体层502、发光层503和第二型半导体层504所形成的堆叠结构507的侧壁上，且通过绝缘层509与第二型半导体层504和发光层503电性隔离。

请参照图5A，图5A为根据图5所绘示的不同发光二极管500和500’的部分结构俯视图。在本实施例中，发光二极管500的第四电极506可以是环绕堆叠结构507的连续环状结构。其中，第四电极506在基板501上的正投影包围第三电极505的正投影。在图5A的实施例中，第四电极506的正投影包围第三电极505的正投影。其中，第四电极506环状正投影的中心与第三电极505正投影的中心之间的距离H可以大于零。但在其他实施例中，第四电极506环状正投影的中心与第三电极505正投影的中心之间的距离H可以等于零。

当阵列基板200和发光二极管500结合时，阵列基板200的第一电极204会与位于第二型半导体层504的顶面504a上的第三电极505连接；而位于堆叠结构507的侧壁上的一部分第四电极506会与延伸覆盖于第一开口107的侧壁107a的一部分第二电极205连接。在本发明的一些实施例中，在将第一电极204和第三电极505以及第二电极205和第四电极506连接之后，优选可以在第一电极204和第三电极505之间以及/或在第二电极205和第四电极506之间，使用一层导电粘着件508(例如导电粘胶、焊锡或各向异性导电胶)来进行固定。

另外，为了增加阵列基板200和发光二极管500的结合强度，第三电极505可以设计成不同的形状。例如。请参照图5B，图5B为根据本发明的另一实施例所绘示发光二极管500’的部分结构俯视图。在本实施例中，发光二极管500’的第三电极505’可以具有六角型(但不以此为限)的横截面。

请参照图6和图6A，图6为根据本发明的又一实施例所绘示的显示装置60的部分结构剖面示意图。图6A为根据图6所绘示的发光二极管600的部分结构俯视图。其中，显示装置60的结构大致上与图5的显示装置50大致类似，差别在于第四电极606的形式有所不同。在本实施例中，发光二极管600的第四电极606是一不连续的环型结构，部分地环绕由第一型半导体层602、发光层603和第二型半导体层604所形成的堆叠结构607的侧壁。阵列基板200的第二电极205’，也仅延伸覆盖于第一开口107的部分侧壁107a上方，只要发光二极管的第四电极606能与阵列基板的第二电极205电连接，即为本发明的范畴。

请参照图7，图7为根据本发明的又再一实施例所绘示的显示装置70的部分结构剖面示意图。其中，显示装置70的结构大致上与图5的显示装置50类似，差别在于第二电极715和第四电极706的形式有所不同。

在本实施例中，位于阵列基板710上的一部分第二电极715，不仅延伸覆盖于第一开口107的侧壁107a上方，且更进一步延伸覆盖于第一开口107的底部107b边缘，而与第一电极714隔离。发光二极管700的第四电极706位于由第一型半导体层702、发光层703和第二型半导体层704所形成的堆叠结构707的侧壁上；且一部分的第四电极706延伸至第二型半导体层704的顶面704a，并通过绝缘层509与位于第二型半导体层704及发光层703隔离。

当阵列基板710和发光二极管700结合时，除了位于堆叠结构707的侧壁上的一部分第四电极706可与延伸覆盖于第一开口107侧壁107a上的一部分第二电极715连接外；位于第二型半导体层704的顶面704a的另一部分第四电极706也可与延伸覆盖于第一开口107的底部107b边缘的另一部分第二电极715连接。可以大幅地降低第二电极715和第四电极706的接触电阻，可增进发光二极管700发光效率。

请参照图8以及图8A至图8F，图8为根据本发明的一实施例所绘示的一种显示装置80的组装方法流程图，用来将前述阵列基板与发光二极管结合。图8A至图8F为根据图8所绘示的一系列组装制作工艺结构示意图。此一组装方法包括下述步骤：首先如步骤S81所述，提供多个如前所述发光二极管，例如发光二极管801，使每一个发光二极管801具有第三电极801a以及第四电极801b。其中，第四电极801b和第三电极801a其中至少一者，具有可产生实值介于10高斯至1000高斯的磁场的磁力产生结构，或者具有可被磁力吸引的材料。并将这些发光二极管置于第一承载基板802上。

如图8A所绘示，被放置于第一承载基板802上的多个发光二极管801，可以排列成如棋盘状的阵列图形(但不以此为限)。

同时如步骤S82所述，提供一个具有多个凹室803a的金属网罩803，通过金属网罩803提供一磁力(例如施加磁力804于金属网罩803上，或施加电流使金属网罩803产生磁力)，使金属网罩803的凹室803a中具有较高密度的磁力线(如图8B所绘示)，且每一个相邻的金属网罩803的凹室803a之间的间距(pitch)P实质介于于0.01毫米至100毫米之间，不限定置于第一承载基板802上的发光二极管801与金属网罩803的凹室803a为数量相同的对应关系。

接着如步骤S83所述，将金属网罩803靠近置于第一承载基板802上的发光二极管801，使具有磁力产生结构或可被磁力吸引的材料的第四电极801b和第三电极801a其中至少一者被磁力804吸引，进而容置于凹室803a之中，并移开第一承载基板802。

如图8C所绘示，在本实施例中第三电极801a具有可与磁力804产生顺磁性的磁力产生结构或可被磁力吸引的材料；第四电极801b为不具有磁力产生结构也不受磁场吸引。因此只有第三电极801a可被磁力804吸引，进而被吸附容置于凹室803a之中。

然后如步骤S84所述，提供一个第二承载基板805与发光二极管801远离第三电极801a和第四电极801b的底表面801c接触，并提供真空吸引力806，使发光二极管801的底表面801c吸附于第二承载基板805上(如图8D所绘示)。

之后如步骤S85所述，停止施加磁力804于金属网罩803上，并将金属网罩803移开，以将发光二极管801转移至第二承载基板805上(如图8E所绘示)。

接着如步骤S86所述，将第二承载基板805靠近阵列基板807，使发光二极管801的第三电极801a与阵列基板807的第一电极807a接触，以及使第四电极801b与第二电极807b接触，进而使阵列基板807与发光二极管801结合(如图8F所绘示)在本发明的一些实施例中，优选会在第三电极801a与第一电极807a之间及/或在第四电极801b与第二电极807b之间涂布导电粘着层808，以增进发光二极管元件801和阵列基板807的结合强度，因此本发明并不限定第三电极801a与第一电极807a为间接接触或直接接触，也不限定第四电极801b与第二电极807b为间接接触或直接接触，举例而言，当有导电粘着层808存在时，此时第三电极801a与第一电极807a为间接接触，第四电极801b与第二电极807b为间接接触。最后步骤S87所述，停止施加真空吸引力806，并移除第二承载基板805。并在进行一连串后段制作工艺，例如布线、配置光学膜片…等之后，完成显示装置80的组装。

在本实施例中，阵列基板807的第一电极807a可以是具有磁力产生结构或可被磁力吸引的材料，而对应的第三电极801a则是可被磁力吸引的材料或是具有磁力产生结构，通过二者之间的磁力吸引，将发光二极管801准确地与阵列基板807对位，而不需额外的对准标记。因此，可以有效简化制作工艺步骤与降低制造成本。再加上，发光二极管801在与阵列基板807结合之前，结合位置已经被金属网罩803预先对位，因此在结合时更能增进发光二极管801与阵列基板807之间的对位准确性。

根据上述，本发明的实施例是提供一种阵列基板和应用此阵列基板的显示装置与及其组装方法。采用发光二极管结合阵列基板的设计概念，提供更环保、且薄型化的平面显示器，同时免去有机发光二极管显示器因制作工艺和材料使用寿命等因素所引发的良率不足与显示品质不佳的问题。

另外，由于发光二极管与阵列基板之间是通过二者的电极的磁力吸引来进行对位，不需额外的对准标记，可有效简化制作工艺步骤与降低制造成本。另外，在发光二极管与阵列基板的结合过程中，更可采用金属网罩对发光二极管进行预先对位，可进一步增进发光二极管与阵列基板之间的对位准确性。

虽然结合以上优选实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何该技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。