1.一种发射辐射的设备(600)，所述发射辐射的设备包括：
-衬底(100)，
-至少一个内部的光电子器件(300)和至少一个外部的光电子器件(200)，所述外部的光电子器件至少部分地侧向包围所述内部的光电子器件，
其中光电子器件中的每个光电子器件包括适合于产生电磁辐射的层序列，所述层序列具有至少一个第一电极面(211，311)、至少一个第二电极面(212，312)和至少一个功能层(213，313)，所述功能层处于所述第一电极面和所述第二电极面之间，其中所述功能层适合于，在接通的运行状态下产生电磁辐射，和
-覆盖元件(500)，所述覆盖元件设置在所述光电子器件(200，300)上，并且包括至少一个第一接触元件(521)和至少一个第二接触元件(522)，所述第一接触元件与所述内部的光电子器件的所述第一电极面(311)导电连接，所述第二接触元件与所述内部的光电子器件的所述第二电极面(312)导电连接。
2.根据权利要求1所述的发射辐射的设备(600)，其中所述衬底(100)和/或所述覆盖元件(500)构成为是半透明的。
3.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)具有透明导电氧化物或者由透明导电氧化物构成。
4.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)中的每个接触元件分别延伸至所述发射辐射的设备的边缘。
5.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中在所述内部的光电子器件(300)和所述外部的光电子器件(200)之间的中间区域(400)构成为是半透明的。
6.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)分别与接触结构(321，322)导电地连接，所述接触结构设置在所述内部的光电子器件的边缘处并且与所述内部的光电子器件的所述电极面(311，312)导电地连接。
7.根据上一项权利要求所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)经由导电粘胶(14)固定在所述接触结构(321，322)上。
8.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)与所述接触结构(321，322)经由薄膜封装层(12)中的留空部(331，332)连接，所述薄膜封装层至少设置在所述内部的光电子器件(300)的所述层序列之上。
9.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述外部的光电子器件(200)完全地侧向包围所述内部的光电子器件(300)。
10.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述外部的光电子器件(200)和所述内部的光电子器件(300)彼此同心地设置。
11.根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备(600)，其中所述接触元件(521，522)条形地构成。
12.一种用于制造根据上述权利要求中任一项所述的发射辐射的设备的方法，所述方法包括如下方法步骤：
-提供衬底(100)和至少两个设置在所述衬底上的光电子器件(200，300)，其中外部的光电子器件(200)至少部分侧向地包围至少一个内部的光电子器件(300)；
-提供覆盖元件(500)，其中所述覆盖元件包括覆盖载体(510)和在所述覆盖载体的主面上的至少一个第一和第二接触元件(521，522)；和
-将所述覆盖元件(500)固定在所述光电子器件(200，300)上，其中所述第一接触元件(521)与所述内部的光电子器件的第一电极面(311)导电连接，并且所述第二接触元件(522)与所述内部的光电子器件的第二电极面(312)导电连接。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述接触元件(521，522)经由导电粘胶(14)固定在接触结构(321，322)上，所述接触结构设置在所述内部的光电子器件(300)的边缘处，并且所述接触结构与所述内部的光电子器件的电极面(311，312)导电连接。
14.根据权利要求13所述的方法，其中利用激光烧蚀来露出所述接触结构(321，322)。
15.根据权利要求12至14中任一项所述的方法，其中利用激光烧蚀来对所述接触元件(521，522)进行结构化。