光电元件的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种光电元件，其具有用于生成电磁辐射的有源区，其中所述有源区具有至少两个量子膜（3、5），其中第一量子膜（3）被布置在第一与第二阻挡层（2、4）之间，其中第二量子膜（5）被布置在第二与最后阻挡层（4、6）之间，其中第一和第二阻挡层的能隙相对于彼此处于与第二和第三阻挡层的能隙的比例不同的比例。

技术研发人员：C.艾克勒;A.S.阿夫拉梅斯库
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
技术研发日：2015.12.29
技术公布日：2017.08.29