1.一种光源装置，其含有：半导体发光元件、和将来自所述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件，其中，
所述波长转换部件含有：
基板、
配置于所述基板上的荧光体层、和
配置于所述基板上、并且配置于所述荧光体层的周围的光反射层，
所述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋所述荧光体粒子的第一基质材料，
所述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋所述无机化合物粒子的第二基质材料，
所述无机化合物粒子的折射率比所述第一基质材料的折射率高，所述第一基质材料的折射率比所述荧光体粒子的折射率高，所述荧光体粒子的折射率比所述第二基质材料的折射率高。
2.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述第一基质材料是氧化锌。
3.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述第二基质材料是选自玻璃和具有硅氧烷骨架的化合物中的一种材料或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的光源装置，其中，所述无机化合物粒子是选自氧化钛、氧化锆、氧化铌、氧化钽和钛酸钡中的一种材料或它们的组合。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述荧光体层具有：所述基板侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面，
所述基板透射470nm以下的波长的光，在所述荧光体层的所述第二面上配置有折射率比所述第一基质低的可见光透明膜。
6.根据权利要求5所述的光源装置，其中，所述可见光透明膜是选自玻璃、具有硅氧烷骨架的化合物、二氧化硅和氟化钡中的一种材料或它们的组合。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述荧光体层具有：所述基板侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面，
所述基板反射380～780nm的波长的光，在所述荧光体层的所述第二面上具有含有折射率比所述荧光体粒子低的粒子的层。
8.根据权利要求7所述的光源装置，其中，折射率比所述荧光体粒子低的粒子是选自二氧化硅、硫酸钡和氧化镁中的一种材料或它们的组合。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述基板具有第三面，
所述荧光体层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有第1厚度，
所述反射层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有与所述第1厚度相同的第2厚度。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述基板具有第三面，
所述荧光体层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有第1厚度，
所述反射层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有比所述第1厚度薄的第2厚度。
11.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述基板具有第三面，
所述荧光体层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有第1厚度，
所述反射层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有比所述第1厚度厚的第2厚度。
12.根据权利要求1～4中任一项所述的光源装置，其中，所述基板具有第三面，
所述荧光体层配置于所述基板的所述第三面上，并且具有所述基板侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面，
所述反射层配置于所述基板的所述第三面上和所述荧光体层的第二面上，并且在所述第二面上具有开口。
13.一种光源装置，其含有：半导体发光元件、和将来自所述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件，其中，
所述波长转换部件含有：
基板、
配置于所述基板上、并且具有所述基板侧的第一面和所述第一面的相反侧的第二面的荧光体层、和
配置于所述荧光体层的所述第二面上、并且在所述第二面上具有开口的光反射层，
所述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋所述荧光体粒子的第一基质材料，
所述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋所述无机化合物粒子的第二基质材料，
所述无机化合物粒子的折射率比所述第一基质材料的折射率高，所述第一基质材料的折射率比所述荧光体粒子的折射率高，所述荧光体粒子的折射率比所述第二基质材料的折射率高。