1.一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，包括腔体，腔体的一端为射频端口，另一端为中频端口，腔体的中部设置有本振端口和波导微带探针，腔体内部靠近中频端口侧设置有中频滤波器，射频端口处设置射频波导，射频波导内有射频波导转微带鳍线结构、本振共面波导结构和混频二极管，混频二极管的三个管脚分别与本振共面波导和射频波导转微带鳍线结构相连，射频端口的两侧设置有平板电容和偏置线通孔，偏置线通孔上连有外部偏置电源，平板电容的一端与偏置线通孔通过漆包线相连，另一端与射频波导转微带鳍线结构的微带鳍线通过金网相连。
2.如权利要求1所述的一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，所述腔体内靠近混频二极管还设置本振滤波器。
3.如权利要求1所述的一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，所述混频二极管为串联二极管对。
4.如权利要求1所述的一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，
所述本振共面波导使本振信号以较小的损耗传输到混频二极管上；射频波导的信号进入射频波导转微带鳍线结构，射频波导转微带鳍线结构将射频波导的电场集中到微带鳍线上，便于将整个电磁能量耦合到混频二极管上，同时微带鳍线与直流地分离；
所述外部偏置电源通过平板电容与微带鳍线施加到混频二极管上；
经过混频二级管得到的中频信号经过中频滤波器输出至中频端口。
5.如权利要求4所述的一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，所述本振滤波器用于减小本振滤波器两端失配的相互影响，改善混频二极管变频损耗频响。
6.如权利要求4所述的一种低本振功率的宽中频毫米波基波混频电路，其特征在于，所述偏置线通孔提供外部偏置电源出入腔体的路径。