基于微带线的平面魔T的制作方法

技术特征：

1.一种基于微带线的平面魔T，其特征在于：

包括矩形介质基板(8)，

所述介质基板(8)的下表面设有矩形的第一金属接地板(5)和第二金属接地板(6)，所述第一金属接地板(5)的一个窄边位于介质基板(8)的另一个宽边上，其另一个窄边与第二金属接地板(6)位于介质基板(8)内的宽边之间存在间隙，所述第二金属接地板(6)的一个宽边位于介质基板(8)的一个宽边上，其两个窄边分别位于介质基板(8)的两个窄边上，其另一个宽边位于介质基板(8)内，所述第一金属接地板(5)的两个宽边分别与其靠近的介质基板(8)的两个窄边保持相同距离，

在所述介质基板(8)的上表面与第一金属接地板(5)对应的区域设有差臂输入端口馈线(4)和第一微带线(10)，在所述介质基板(8)的上表面与第二金属接地板(6)对应的区域设有和臂输入端口馈线(2)、第一输出端口馈线(1)和第二输出端口馈线(3)，所述和臂输入端口馈线(2)、差臂输入端口馈线(4)和第一微带线(10)与介质基板(8)的宽边垂直，所述第一输出端口馈线(1)和第二输出端口馈线(3)与介质基板(8)的宽边平行且位于同一直线上；

所述第一输出端口馈线(1)的输出端置于介质基板(8)的一个窄边上，第二输出端口馈线(3)的输出端置于介质基板(8)的另一个窄边上，第一输出端口馈线(1)的输入端与第二输出端口馈线(3)的输入端之间设有间隙；

所述差臂输入端口馈线(4)的输入端置于介质基板(8)的一个宽边上，其输出端与第一输出端口馈线(1)的输入端相连，所述微带线(10)的输出端与第二输出端口馈线(3)的输入端相连，其输入端通过金属柱(7)穿过介质基板(8)与第一金属接地板(5)相连；

还包括一与介质基板(8)的宽边平行的第二微带线(11)、与介质基板(8)的宽边垂直的第三微带线(9)和第四微带线(12)；

所述和臂输入端口馈线(2)的输入端置于介质基板(8)的另一个宽边上，其输出端与第二微带线(11)的中点垂直互连，所述第三微带线(9)的一端与第二微带线(11)的一端相连，其另一端与第一输出端口馈线(1)垂直互连，所述第四微带线(12)的一端与第二微带线(11)的另一端相连，其另一端与第二输出端口馈线(3)垂直互连。

2.根据权利要求1所述的平面魔T，其特征在于：

所述第一输出端口馈线(1)、和臂输入端口馈线(2)、第二输出端口馈线(3)、差臂输入端口馈线(4)、和第一微带线(10)均为50欧姆微带线，所述第二微带线(11)、第三微带线(9)和第四微带线(12)均为75欧姆微带线。

3.根据权利要求1所述的平面魔T，其特征在于：所述和臂输入端口馈线(2)的输入端置于介质基板(8)宽边的中点。

4.根据权利要求1所述的平面魔T，其特征在于：所述第一输出端口馈线(1)的输出端置于介质基板(8)一个窄边的中点，第二输出端口馈线(3)的输出端置于介质基板(8)的另一个窄边的中点。

5.根据权利要求1所述的平面魔T，其特征在于：所述第一金属接地板(5)介质基板(8)宽边上的窄边的中点与介质基板(8)宽边的中点重合。

6.根据权利要求1所述的平面魔T，其特征在于：所述的介质基板(8)的相对介电常数为3.55，厚度为0.508mm。