制造显示设备的方法以及使用该方法制造的显示设备与流程

本申请要求于2015年12月22日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0184079号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用包含于此。

一个或更多个实施例涉及制造显示设备的方法以及使用该方法制造的显示设备。例如，一个或更多个实施例涉及根据简化的制造工艺来制造显示设备的方法以及使用该方法制造的显示设备。

背景技术：

通常，显示设备包括设置在基底上的多个显示元件以及电结合到(例如，电连接到)显示元件的焊盘。当将各种适合的电信号施加到显示元件时，各种适合的电信号通过焊盘被施加到显示元件。

同时，为了保护显示元件，显示设备包括至少部分地覆盖显示元件的包封层。当形成包封层时，电信号被施加到的焊盘需要被包封层暴露。因此，当形成包封层时，掩模被用于仅(或基本仅)在基底的设定(例如，预定)区域中形成包封层。

然而，由于在制造显示设备的方法中掩模被重复地用于形成包封层并由此导致被损坏，因此当制造显示设备时掩模需要定期地被新的掩模替换。因此，制造显示设备的方法具有制造成本增大、以及在显示设备的制造期间将掩模和基底相对于彼此精确地对准的工艺的问题。

技术实现要素：

一个或更多个实施例包括制造显示设备的方法以及使用该方法制造的显示设备。

实施例的另外方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且将部分地通过描述而清楚，或者可以通过给出的实施例的实施而获知。

根据一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：准备包括显示区域以及在显示区域外侧的焊盘区域的基底，在焊盘区域中形成牺牲层，在显示区域和焊盘区域的上方形成包封层，通过增大牺牲层的体积或者通过气化或蒸发牺牲层的至少一部分而在包封层的至少一部分中形成裂纹，以及去除焊盘区域中的包封层的至少一部分。

形成牺牲层的步骤可以包括并行地(例如，同时地)形成牺牲层和在显示区域中的有机层。

形成牺牲层的步骤可以包括并行地(例如，同时地)形成牺牲层和在显示区域中置于像素电极与对向电极之间的中间层。

所述方法还可以包括在显示区域中形成显示元件。形成牺牲层的步骤可以包括并行地(例如，同时地)形成牺牲层以及包括有机化合物且在显示区域中至少部分地覆盖显示元件的覆盖层。

形成裂纹的步骤可以包括将激光束照射到(例如，照射入)包封层的设置在牺牲层的上方的部分。

形成裂纹的步骤可以包括使用在有机化合物中的吸收率大于在无机化合物中的吸收率的激光束。

形成包封层的步骤可以包括形成无机层。

所述方法还可以包括通过将力施加到在牺牲层的上方设置的包封层来增大包封层的形成裂纹的区域。

增大区域的步骤可以包括使用辊。

形成包封层的步骤可以包括：在显示区域和焊盘区域的上方形成第一无机包封层，在第一无机包封层的上方形成有机包封层，有机包封层包括与显示区域对应的第一部分以及与第一部分分离且对应于焊盘区域的第二部分，以及在显示区域和焊盘区域中形成第二无机包封层，以至少部分地覆盖有机包封层的第一部分和第二部分。

第一无机包封层与有机包封层之间的粘合力可以大于第一无机包封层与牺牲层之间的粘合力。

去除包封层的至少一部分的步骤可以包括去除焊盘区域中的第一无机包封层的至少一部分、有机包封层的整个第二部分、以及焊盘区域中的第二无机包封层的至少一部分。

所述方法还可以包括在包封层的在牺牲层的上方设置的至少一部分的上方形成附加有机层，去除包封层的至少一部分的步骤可以包括去除包封层的在牺牲层的上方的部分以及整个附加有机层。

包封层与附加有机层之间的粘合力可以大于包封层与牺牲层之间的粘合力。

根据一个或更多个实施例，显示设备可以包括：基底，包括显示区域和在显示区域的外侧的焊盘区域；显示元件，设置在显示区域中；包封层，至少部分地覆盖显示区域以至少部分地覆盖显示元件，其中，包封层的在焊盘区域方向上的第一端面的粗糙度大于包封层的在与焊盘区域方向相反的方向上的第二端面的粗糙度。

包封层可以包括至少部分地覆盖显示区域和焊盘区域的第一无机包封层、设置在第一无机包封层的上方并且具有比第一无机包封层的区域小的区域的有机包封层、以及设置在有机包封层的上方并且接触在有机包封层的外侧的第一无机包封层的第二无机包封层。包封层可以包括第一端面，所述第一端面具有最邻近基底的下端面、离基底最远的上端面、以及在下端面与上端面之间的中间端面。下端面的粗糙度和上端面的粗糙度可以大于中间端面的粗糙度。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得清楚和更容易理解，在附图中：

图1至图9是示意性地示出根据目前公开的主题的实施例的制造显示设备的方法的工艺的各个剖视图和平面图；

图10是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图；

图11和图12是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图；

图13是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图。

具体实施方式

给出的实施例可以具有不同的形式并不应被理解为局限于在此阐述的描述。因此，以下仅通过参照附图描述实施例以解释本描述的多个方面。

现在将对实施例做出更详细的参考，在附图中示出实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指示同样的元件。将不提供其重复的描述。

为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。也就是说，由于为了便于说明而可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。

在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直(例如，基本垂直)，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。

如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件(要素)之后时，该表述修饰整列元件(要素)而不修饰该列中的个别元件(要素)。

图1至图9是示意性地示出根据目前公开的主题的实施例的制造显示设备的方法的工艺的各个剖视图和平面图。

在根据本公开的实施例的方法中，准备基底100。图1的基底100可以是用于制造多个显示设备的母基底。如这里稍后描述的，图1的基底100被切割并且被分为各个显示设备的多个基底101、102和103。基底100包括显示区域da和设置在显示区域da的外侧的焊盘区域pa，如图2中所示。更详细地讲，基底100包括后来彼此分离的多个区域，所述多个区域中的每个区域包括显示区域da和设置在显示区域da的外侧的焊盘区域pa。基底100可以包括诸如以聚酰亚胺为例的塑料材料或其他材料。

在准备基底100之后，在显示区域da中设置一个或更多个显示元件300，在焊盘区域pa中设置焊盘410，如图3中所示。图3是示出显示区域da的一部分和焊盘区域pa的一部分的剖视图，并且可以是沿着图2的线iii-iii截取的剖视图。在这种情况下，应当理解的是，为了清楚起见，可以从图2中省略在显示区域da和焊盘区域pa上形成的元件。

如图3中所示，除了基底100的显示区域da中的显示元件300之外，也可以在显示区域da中设置电结合到(例如，电连接到)显示元件300的薄膜晶体管210。在图3中，显示元件300可以包括有机发光元件(在下文中，称为有机发光元件300)。当像素电极310电结合到(例如，电连接到)薄膜晶体管210时，有机发光元件300电结合到(例如，电连接到)薄膜晶体管210。如果必要或期望的话，可以在基底100的外围区域(例如，焊盘区域pa)中设置薄膜晶体管。设置在基底100的焊盘区域pa中的薄膜晶体管可以是控制施加到显示区域da的电信号的电路的一部分。

薄膜晶体管210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215和漏电极217，其中，半导体层211包括例如非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了使半导体层211与栅电极213绝缘，栅极绝缘层120可以在半导体层211与栅电极213之间，并且可以包括氧化硅和/或氮化硅。可以在栅电极213的上方设置层间绝缘层130，层间绝缘层130可以包括氧化硅和/或氮化硅。可以在层间绝缘层130的上方设置源电极215和漏电极217。

在一些实施例中，为了保护薄膜晶体管210，保护层可以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)薄膜晶体管210。保护层可以包括无机化合物，诸如，氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅。保护层可以是单层或多层。可以在保护层的上方设置平坦化层140。例如，当有机发光元件300设置在薄膜晶体管210的上方时，如图3中所示，平坦化层140可以使得至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)薄膜晶体管210的保护层的上表面平整。平坦化层140可以包括丙烯酰类有机化合物或苯并环丁烯(bcb)。尽管图3示出了平坦化层140为单层，但是平坦化层140可以是多层。根据本公开的实施例的显示设备可以包括保护层和平坦化层140两者，或者可以包括从保护层和平坦化层140中选择的一者。

在基底100的显示区域da中，可以在平坦化层140的上方设置有机发光元件300，并且有机发光元件300可以包括像素电极310、对向电极330以及在像素电极310与对向电极330之间的中间层320。如图3中所示，像素电极310可以通过平坦化层140中形成的开口接触从薄膜晶体管210的源电极215和漏电极217中选择的一者而电结合到(例如，电连接到)薄膜晶体管210。

可以在平坦化层140的上方设置像素限定膜150。像素限定膜150通过在其中形成开口而限定像素，所述开口将像素电极310的至少中心部分暴露于外面(例如，使得光从像素电极310的至少中心部分传输到外面)。如图3中所示，像素限定膜150增大在像素电极310的边界与设置在像素电极310的上方的对向电极330之间的距离，以防止像素电极310的边界出现电弧(或者减小这种电弧的可能性或量)。像素限定膜150可以包括有机化合物，诸如以聚酰亚胺为例。

有机发光元件300的中间层320可以包括小分子材料和/或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时，中间层320可以包括具有空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、发射层、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)的单层或以复合结构堆叠的多层，并且可以包括从有机化合物和/或有机金属化合物中选择的至少一者，诸如以铜酞菁(cupc)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-联苯胺(npb)和三(8-羟基喹啉)铝(alq3)为例。可以根据真空沉积工艺来形成上述层。

当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可以包括htl和发射层。这里，htl可以包括例如聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(pedot)，发射层可以包括聚合物材料，诸如以聚对苯撑乙烯(ppv)类材料和聚芴类聚合物材料为例。可以根据丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(liti)法来形成中间层320。

中间层320不限于上述结构，而是可以具有各种适合结构中的至少一种。中间层320可以是通过多个像素电极310的一体层或与多个像素电极310中的每个对应的图案化层。

在显示区域da的上方设置对向电极330，对向电极330可以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)显示区域da，如图3中所示。例如，对向电极330包括被一体化以与多个像素电极310对应的多个有机发光元件300。

可以在基底100的焊盘区域pa上设置多个焊盘410。如图3中所示，可以在层间绝缘层130的上方(例如，与源电极215和漏电极217同一层上)设置多个焊盘410。在这种情况下，多个焊盘410可以包括与源电极215和漏电极217相同的材料(例如，基本相同的材料)，并且可以根据制造工艺与源电极215和漏电极217一起并行地(例如，同时地)形成。然而，本公开不限于此。各种适合的工艺可以用于形成焊盘410。例如，焊盘410和栅电极213可以并行地(例如，同时地)形成，并且可以包括相同的材料(例如，基本相同的材料)。

如此，在基底100的显示区域da和焊盘区域pa中分别形成显示元件300和焊盘410之后，在焊盘区域pa的上方形成牺牲层420，如图3中所示。牺牲层420可以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)整个(例如，基本整个)焊盘区域pa，或者可以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)焊盘区域pa的一部分。例如，图3示出牺牲层420至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)焊盘区域pa的焊盘410。

尽管可以与显示设备的其他元件独立地形成牺牲层420，但是牺牲层420可以与显示设备的其他元件中的至少一个一起并行地(例如，同时地)形成。例如，当在显示区域da中形成中间层320时，可以用与中间层320相同的材料(例如，基本相同的材料)来形成牺牲层420。更详细地讲，当在显示区域da中形成hil或etl时，牺牲层420可以使用与hil或etl相同的材料(例如，基本相同的材料)并行地(例如，同时地)形成在焊盘区域pa中。可以在基底100与栅极绝缘层120之间和/或在基底100与半导体层211之间设置缓冲层110。

此后，如图4中所示，包封层500形成通过显示区域da和焊盘区域pa。包封层500可以是单层或多层。当包封层500是单层时，包封层500可以包括无机层。当包封层500是多层时，包封层500可以包括无机层和有机层。可以根据沉积工艺来形成无机层，无机层可以包括例如氮化硅、氧化硅和/或氧氮化硅，或者可以包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物和/或金属碳化物。有机层可以包括例如聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和/或环氧树脂。

在形成包封层500之后，切割基底100以形成多个显示设备。如图2中所示，可以沿着切割线cl1、cl2、cl3和cl4来切割基底100。例如，可以沿着切割线cl1、cl2、cl3和cl4通过照射激光束来切割基底100。这里，如图2中所示，因为切割线cl1和cl2以及切割线cl3可以穿过焊盘区域pa的至少一部分，所以当将激光束照射到牺牲层420或照射在牺牲层420上时，可以控制激光束穿过牺牲层420的至少一部分。如图5中所示，切割线cl3穿过牺牲层420。

通过在沿着切割线cl1、cl2和cl3照射激光束时将激光束照射到牺牲层420中，牺牲层420的至少一部分的尺寸增大，或者牺牲层420的一部分被气化或蒸发。此时，当牺牲层420的至少一部分的尺寸增大或者牺牲层420的至少一部分被气化或蒸发时，会在牺牲层420的上方设置的包封层500的一部分中形成裂纹cr。例如，通过将激光束照射到牺牲层420中，牺牲层420的激光束照射到的部分增大或者被气化或蒸发，因此，会在包封层500的与牺牲层420的该部分对应的部分中形成裂纹cr。为此，包封层500可以包括无机层。当在无机层下方的层体积改变或者形状上变形时，无机层会容易产生裂纹cr。

图5的剖视图示出牺牲层420的一部分的体积增大的状态，在切割基底100之后图6的平面图示出至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)显示区域da和焊盘区域pa的包封层500的焊盘区域pa中的裂纹cr。如图2中所示，切割线cl1、cl2和cl3穿过焊盘区域pa，在包封层500的与切割线cl1、cl2和cl3相邻设置且其下方设置有牺牲层420的区域中产生裂纹cr。尽管为了方便起见，图5示出了不沿着切割线cl3切割基底100，但是也沿着切割线cl3切割基底100。

尽管激光束照射在设置在牺牲层420上的包封层500的一部分上，但是如果激光束是红外激光束，则红外激光束的大部分在穿过包封层500的无机层之后到达牺牲层420。结果，牺牲层420的激光束照射到的部分可以体积改变或者可以被气化或蒸发。如果激光束被包封层500的无机层吸收，则包封层500自身可以被切割，而无裂纹cr形成在其中。在这种情况下，即使在包封层500中产生裂纹cr，包封层500的产生裂纹cr的区域也是非常小的，并且在包封层500的焊盘区域pa中形成的裂纹cr不会容易地生长，如这里稍后将描述的。因此，用于切割基底100的激光束可以是具有对有机化合物比无机化合物高的吸收率的激光束(例如，这里描述的有机化合物可以比这里描述的无机化合物吸收更多的激光束)。

同时，当通过使用激光束切割基底100时，即使激光束被包封层500的无机层吸收并且因此切割包封层500，激光束也并行地(例如，同时地)被牺牲层420吸收，因此牺牲层420的一部分可以体积改变或者可以被气化或蒸发使得在包封层500中产生裂纹cr。

包封层500中产生的裂纹cr越多，包封层500的产生裂纹cr的区域越被扩大，如这里稍后描述的。因此，当形成牺牲层420时，牺牲层420的在纵向(y方向)上的宽度大于显示区域da的在纵向(y方向)上的宽度，因此，期望在牺牲层420的纵向(y方向)上延伸的切割线cl3、以及在与纵向(y方向)交叉的方向(x方向)上延伸的切割线cl1和cl2可以穿过牺牲层420，如图2中所示。因此，如图6中所示，可以关于平面图沿着焊盘区域pa的三个边界产生裂纹cr。

如此，在包封层500的设置在牺牲层420上方的部分中产生裂纹cr之后，可以去除焊盘区域pa中的包封层500的至少一部分。在此之前，如图7中所示，包封层500的产生裂纹cr的区域可以通过将力施加到包封层500的设置在牺牲层420上方的部分而增大(例如，裂纹cr的量可以通过将力施加到包封层500的设置在牺牲层420上方的部分而增大)。例如，辊rl可以沿着箭头方向ar1(+x方向)从显示区域da的一部分向基底100的边界在焊盘区域pa上移动。这里，辊rl可以在沿着基底100的方向(-z方向)施加力(例如，可以朝向基底100施加力)的同时移动，因此，裂纹cr可以在焊盘区域pa中生长，以增大包封层500的形成裂纹cr的区域。

这里，辊rl不是(在-x方向上)从基底100的形成裂纹cr的边界移动到显示区域da，而是在方向ar1(+x方向)上从显示区域da(例如，从显示区域da的边界)移动到基底100的边界。当辊rl在与方向ar1相反的方向(-x方向)上从基底100的形成裂纹cr的边界移动到显示区域da(例如，显示区域da的边界)时，可能包封层500的性能会劣化，并且在已经生长的裂纹cr朝向显示区域da的内侧生长过度时会出现缺陷。

此后，当辊rl沿着与基底100的焊盘区域pa的边界平行的箭头方向ar2从基底100的焊盘区域pa的边界移动时，包封层500的通过产生的裂纹cr变弱的部分可以与基底100分离。例如，当辊rl在方向ar1(+x方向)上从显示区域da(例如，从显示区域da的边界)移动到基底100的边界时，辊rl可以滚动。然而，当辊rl在箭头方向ar2上从基底100的焊盘区域pa的边界移动时，辊rl可以不滚动，但是施加到辊rl的力可以导致包封层500的形成裂纹cr的部分滑动，因此，包封层500的一部分可以与基底100分离，并且可以在向上方向(+z方向)上突出为凸形。通过此工艺，可以在基底100的焊盘区域pa中去除包封层500的一部分，如图8的剖视图以及图9的平面图中所示。因此，包封层500不再覆盖(例如，不再完全覆盖)焊盘410，因此印刷电路板或电芯片可以电结合到(例如，电连接到)焊盘410。

在基底100的焊盘区域pa中去除包封层500的一部分的工艺可以不限于上述使用辊rl的工艺。例如，可以使用各种合适的工艺中的至少一种，诸如以可以使用粘合带来去除包封层500的形成裂纹cr的部分为例。

在根据本公开的实施例的制造显示设备的方法中，当形成包封层500时，不必使用任何附加单独的掩模使得不在焊盘区域pa上形成包封层500。因此，由于在制造方法中掩模不用于形成包封层500，因此不必将掩模和基底100相对于彼此对准，制造成本可减小，并且制造方法被简化。

同时，可能必须或期望将包封层500的形成裂纹cr的部分与基底100(例如，与设置在包封层500的下方的下元件)分离。为此，牺牲层420可以具有与下元件低的粘合性或具有到下元件低的粘合性。如上所述，在空穴注入层(hil)或电子传输层(etl)的有机化合物的情况下，由于包括金属的焊盘410与包括无机化合物的层间绝缘层130之间的粘合性低，所以牺牲层420可以通过使用与上述层(例如，hil或etl)相同的材料(例如，基本相同的材料)而与上述层一起并行地(例如，同时地)形成。因此，制造方法的实施例可以被简化，焊盘区域pa中的包封层可以容易地被去除。

在根据上述方法制造的有机发光显示设备中，包封层500的焊盘区域pa的在焊盘区域方向(+x方向)上的第一端面501es(图8和图9)的粗糙度大于包封层500在与焊盘区域方向相反的方向(-x方向)上的第二端面502es(图9)的粗糙度、以及包封层500的焊盘区域pa的在其他方向上的第三端面503es和第四端面504es的粗糙度。由于在包封层500中形成裂纹cr且然后形成的裂纹cr生长之后去除包封层500的焊盘区域pa，因此包封层500的焊盘区域pa的第一端面501es(图8和图9)的粗糙度变得更大。由于包封层500通过照射激光束而被切割，因此第二端面502es、第三端面503es和第四端面504es的粗糙度变得相对较低。例如，包封层500的第一端面501es的粗糙度可以是约18.85μm的均方根(rms)值(例如，包封层500的第一端面501es可以具有约18.85μm的均方根(rms)粗糙度值)。

在包封层500的第二端面502es、第三端面503es和第四端面504es的粗糙度中，由于通过在基底100的切割期间由穿过包封层500的激光束产生的热量而切割基底100，因此包封层500的第二端面502es、第三端面503es和第四端面504es被相对干净地切割。

图10是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图。在根据本公开的实施例的制造方法中，在形成显示元件300之后，可以在形成包封层500之前在显示区域da中形成包括有机化合物的覆盖层160。覆盖层160可以包括有机化合物，所述有机化合物在激光束照射到覆盖层160中(例如，照射到覆盖层160)时体积增大或者被气化或蒸发。覆盖层160可以使显示区域da平整。

此时，牺牲层420可以通过使用与覆盖层160相同的材料(例如，基本相同的材料)而与覆盖层160一起并行地(例如，同时地)形成。可以在显示区域da和焊盘区域pa两者中以单体形成包封层500。当通过激光束照射来切割基底100时，会在包封层500的牺牲层420上方的一部分中形成裂纹cr。

在根据先前实施例的制造显示设备的上述方法和根据本实施例的制造显示设备的上述方法中，能够执行在基底100的显示区域da中形成有机层(诸如以中间层320或覆盖层160为例)的工艺，并且能够当在基底100的显示区域da中执行形成有机层(诸如中间层320或覆盖层160)的工艺时并行地(例如，同时地)执行在基底100的焊盘区域pa中形成牺牲层420的工艺，从而简化制造方法。当形成中间层320或覆盖层160时可以不形成牺牲层420，但是可以在基底100的显示区域da中形成任意有机层的工艺期间通过使用有机层的相同材料(例如，基本相同的材料)来形成牺牲层420。

图11和图12是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图。在根据本公开的实施例的制造方法中，当形成包封层500时，将第一无机包封层510作为整体层形成在显示区域da和焊盘区域pa两者上，然后在第一无机包封层510的上方形成有机包封层520。有机包封层520可以包括第一部分521以及第二部分522，其中，第二部分522与第一部分521分隔开并且对应于焊盘区域pa。这里，陈述“当第二部分522对应于焊盘区域pa时”可以被认为意味着“当第二部分522可以对应于焊盘区域pa的至少一部分时”。可以通过使用喷墨印刷法形成包括第一部分521和第二部分522的有机包封层520。

此后，在显示区域da和焊盘区域pa中以单体形成第二无机包封层530，以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)第一部分521和第二部分522。第一无机包封层510和/或第二无机包封层530可以根据沉积工艺来形成，并且可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅，或者可以包括金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物和/或金属碳化物。有机包封层520可以包括聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和/或环氧树脂。根据制造方法的实施例，有机包封层520可以包括单体，然后单体可以转变为聚合物。

在上述包封层500中，第一无机包封层510与有机包封层520之间的粘合力可以大于牺牲层420与第一无机包封层510之间的粘合力。在这种情况下，当照射激光束以切割基底100时，牺牲层420的至少一部分的体积可以增大，或者牺牲层420的一部分可以被气化或蒸发。当在第一无机包封层510和/或第二无机包封层530中形成的裂纹cr生长之后去除包封层500的焊盘区域pa中的部分时，第一无机包封层510、有机包封层520和第二无机包封层530可以并行地(例如，同时地)与牺牲层420和下元件分离，同时防止第一无机包封层510、有机包封层520和第二无机包封层530彼此分离(或者减小这种分离的可能性或量)，如图12中所示。

当形成有机包封层520时，有机包封层520的第二部分522可以对应于牺牲层420。在这种情况下，当去除焊盘区域pa中的包封层500的至少一部分时，焊盘区域pa中的第一无机包封层510的至少一部分、有机包封层520的整个(例如，基本整个)第二部分522、以及焊盘区域pa中的第二无机包封层530的至少一部分可以被一起去除。

在这种情况下，如图12中所示，包封层500的第一端面501es(参照图8)包括离基底100最近设置的下端面501les、离基底100最远设置的上端面501ues、以及在下端面501les与上端面501ues之间的中间端面501mes。中间端面501mes的截面可以是指第二无机包封层530的接触有机包封层520的第二部分522的部分。在这种情况下，下端面501les的粗糙度和上端面501ues的粗糙度可以大于中间端面501mes的粗糙度。由于中间端面501mes是第二无机包封层530的接触有机包封层520的第二部分522的部分，因此中间端面501mes相对于下端面501les和上端面501ues是平滑的。由于第一无机包封层510和第二无机包封层530中形成的裂纹cr生长，然后去除第一无机包封层510和第二无机包封层530，因此下端面501les和上端面501ues的粗糙度可以比中间端面501mes相对大。

图13是示意性地示出根据实施例的制造显示设备的方法的工艺的剖视图。在根据本实施例的制造显示设备的方法中，在形成包封层500之后，在包封层500的设置在牺牲层420上方的部分的上方形成附加有机层430。如图5中所示和描述的，裂纹cr形成在包封层500中。当在裂纹cr生长之后去除焊盘区域pa中的包封层500的至少一部分时，可以并行地(例如，同时地)去除焊盘区域pa中的包封层500的一部分以及整个(例如，基本整个)附加有机层430。

当包封层500中形成的裂纹cr生长，且然后在焊盘区域pa中去除包封层500的至少一部分时，将要被去除的包封层500的一部分可以保持在焊盘区域pa中而不被去除。在包封层500中形成裂纹cr并且使形成的裂纹cr生长的工艺中，当包封层500的一部分与将要被去除的包封层500的其他部分物理上分离时，包封层500的该部分可以保持在基底100的焊盘区域pa中而不被去除。

然而，在根据本公开的制造显示设备的方法中，可以在包封层500上方设置附加有机层430，并且在使裂纹cr在包封层500中生长并且将包封层500的一部分与将要被去除的包封层500的其他部分分离的工艺中，附加有机层430可以起粘合剂的作用，以将包封层500的将要被去除的部分的全部(例如，基本全部)彼此结合(例如，连接)。因此，包封层500的将要被去除的部分的全部(例如，基本全部)可以被并行地(例如，同时地)去除。为了做到这点，包封层500与附加有机层430之间的粘合力可以大于包封层500与牺牲层420之间的粘合力。附加有机层430可以包括例如聚丙烯酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和/或环氧树脂。可以对应于牺牲层420来形成附加有机层430，并且可以根据喷墨印刷法来形成附加有机层430。形成附加有机层430的步骤可以用于根据本实施例的制造显示设备的方法中，也可以用于根据先前描述的实施例以及修改的示例的制造显示设备的方法中。

在上述实施例中，可以在去除包封层500的一部分之后执行去除焊盘区域pa的工艺。在这种情况下，可以使用co2干洗工艺来去除焊盘区域pa。

尽管以上描述了显示元件为有机发光元件的情况，但是本公开不限于此。例如，即使当其他显示元件形成在基底100的显示区域da中时，也可以根据上述方法在焊盘区域pa中去除包封层500的一部分。

同时，本公开不限于制造显示设备的方法。根据上述方法制造的显示设备可以在本公开的范围内。在这样的显示设备中，包封层500可以至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)显示区域da，因此至少部分地覆盖(例如，完全覆盖)显示元件，并且在包封层500中，在焊盘区域方向上的第一端面501es的粗糙度大于在与焊盘区域方向相反的方向(-x方向)上的第二端面502es的粗糙度以及第三端面503es和第四端面504es的粗糙度，如图8和图9中所示。

在也处于本公开的范围内的显示设备中，当包封层500包括第一无机包封层510、有机包封层520和第二无机包封层530时，包封层500的第一端面501es可以包括离基底100最近设置的下端面501les、离基底100最远设置的上端面501ues、以及在下端面501les与上端面501ues之间的中间端面501mes。下端面501les和上端面501ues的粗糙度可以大于中间端面501mes的粗糙度。

应当理解的是，在此描述的实施例应当仅以描述性意思来考虑，而不是出于限制的目的。对每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他相似的特征或方面。

将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可在这里用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。例如，如这里描述的“第一无机包封层”可以是“第二无机包封层”。

为了易于解释，在这里可使用空间相对术语(诸如“在……下面”、“在……之下”、“下部的”、“在……下方”、“在……之上”、“上部的”等)来描述如附图中所示的一个元件或特征与其他元件或者特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在包括装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“之下”或“下面”或“下方”的元件随后将被定位为“在”其他元件或特征的“之上”。因此，示例术语“在……之下”和“在……下方”可以包括“在……之上”和“在……之下”两种方位。所述装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或者“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。此外，也将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是在两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。

在这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的，并非意图限制本公开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一个(种/者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和“包括”及其变形时，指定存在陈述的特征、整体、行为、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、行为、操作、元件、组件和/或它们的组。

如这里使用的，术语“基本上”、“大约”以及类似术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且意图说明本领域的普通技术人员将认可的测量值或计算值中的固有偏差。此外，在描述本公开的实施例时“可以”的使用是指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，可以认为术语“使用”及其变形分别与术语“利用”及其变形同义。

此外，这里叙述的任意数值范围意图包括归入叙述的范围内的同一数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括在叙述的最小值1.0与叙述的最大值10.0之间(并且包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如，以2.4至7.6为例。这里叙述的任意最大数值极限意图包括归入其中的所有较低的数值极限，本说明书中叙述的任意最小数值极限意图包括归入其中的所有较高的数值极限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地叙述归入这里明确叙述的范围内的任意子范围。

虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。