技术总结
本发明公布了一种GaAs基PMOS界面结构，其结构依次为：一N型掺杂的砷化镓沟道层，一在砷化镓沟道层上生长的N型掺杂的In0.51Ga0.49P界面层；一在该In0.51Ga0.49P界面层上生长的4纳米厚度的Al2O3介质层；一在该Al2O3介质层上沉积的100纳米铝栅金属层。
技术研发人员：刘丽蓉;王勇;丁超
受保护的技术使用者：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
文档号码：201611079791
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.05.31