1.一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，包括半导体光放大器芯片（1）、体布拉格光栅（4），所述半导体光放大器芯片（1）、体布拉格光栅（4）形成谐振腔，其中，所述体布拉格光栅（4）作为窄线宽半导体激光器的外腔选频元件，所述半导体光放大器芯片（1）提供增益，且所述体布拉格光栅（4）为高衍射效率、窄带宽的布拉格光栅以使激光器输出窄线宽激光。
2.根据权利要求1所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，还包括用于补偿温度变化导致谐振腔长偏移的相位补偿片（3），所述相位补偿片（3）位于半导体光放大器芯片（1）与体布拉格光栅（4）光路之间。
3.根据权利要求2所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述半导体光放大器芯片（1）后端面镀有高反膜作为激光器谐振腔的后腔镜，所述半导体光放大器芯片（1）前端面镀有增透膜，所述体布拉格光栅（4）作为激光器谐振腔的前腔镜，所述半导体光放大器芯片（1）前端面输出光信号经过相位补偿片（3）后进入体布拉格光栅（4），一部分衍射光经滤波后反射回半导体光放大器芯片（1）形成激光谐振，另一部分光作为激光输出。
4.根据权利要求3所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，还包括输出准直透镜（2）、光隔离器（5），所述半导体光放大器芯片（1）、输出准直透镜（2）、相位补偿片（3）、体布拉格光栅（4）、光隔离器（5）依次排列，所述半导体光放大器芯片（1）前端面输出光信号经过输出准直透镜（2）准直以及相位补偿片（3）后，进入体布拉格光栅（4），一部分衍射光经滤波后反射回半导体光放大器芯片（1）形成激光谐振，另一部分光通过光隔离器（5）作为激光输出。
5.根据权利要求4所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述体布拉格光栅（4）的衍射效率不低于50%，带宽不高于0.1nm。
6.根据权利要求2所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述体布拉格光栅（4）作为激光器谐振腔的后腔镜，所述半导体光放大器芯片（1）后端面镀有增透膜，所述半导体光放大器芯片（1）前端面镀有部分反射膜作为激光器谐振腔的前腔镜，所述体布拉格光栅（4）的衍射光经相位补偿片（3）后进入所述半导体光放大器芯片（1），经所述半导体光放大器芯片（1）前端面将一部分光反射回体布拉格光栅（4），另一部分光从所述半导体光放大器芯片（1）前端面输出。
7.根据权利要求6所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，还包括输出准直透镜（2）、光隔离器（5）及外腔准直器透镜（6），所述体布拉格光栅（4）、相位补偿片（3）、外腔准直器透镜（6）、半导体光放大器芯片（1）、输出准直透镜（2）、光隔离器（5）依次排列，其中，所述体布拉格光栅（4）、相位补偿片（3）、外腔准直器透镜（6）、半导体光放大器芯片（1）构成外腔部分，所述输出准直透镜（2）、光隔离器（5）构成耦合输出部分，所述体布拉格光栅（4）的衍射光经相位补偿片（3）、外腔准直器透镜（6）后进入所述半导体光放大器芯片（1），经所述半导体光放大器芯片（1）前端面将一部分光反射回体布拉格光栅（4），另一部分光从所述半导体光放大器芯片（1）前端面出射后经过输出准直透镜（2）、光隔离器（5）输出激光。
8.根据权利要求7所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述体布拉格光栅（4）的衍射效率不低于95%，带宽不高于0.1nm。
9.根据权利要求2所述的一种基于体布拉格光栅的窄线宽半导体激光器，其特征在于，所述相位补偿片（3）是正温度系数或者负温度系数的透光材料；
如果激光谐振腔是随环境温度的升高而缩短，则选用正温度系数的相位补偿片（3），如果激光谐振腔随环境温度的升高而增长，则选用负温度系数的相位补偿片（3）。