1.生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对玻璃衬底表面进行抛光、清洗；
(2)铝金属层的生长：在分子束外延系统中，在衬底温度为400～600℃条件下，沉积厚度为150～200μm的铝金属层；
(3)银金属层的生长：在分子束外延系统中，采用分子束外延系统中的电子束蒸发功能，在衬底温度为400～600℃条件下，在得到的铝金属层上沉积银金属层；
(4)AlN缓冲层的生长：衬底温度为450～550℃，在反应室的压力为4.0～7.2×10-5Pa、生长速度为0.2～0.8ML/s的条件下，在银金属层上沉积金属铝薄膜，然后采用氮等离体子源对该金属铝薄膜进行氮化，等离体子源的功率为300～450W，氮气流量为1～5sccm，氮化时间为10～50分钟，获得AlN薄膜；
(5)GaN缓冲层外延生长：衬底温度为450～550℃，在反应室的压力为6.0～7.2×10-5Pa、束流比V/III值为50～60、生长速度为0.4～0.6ML/s的条件下，在AlN缓冲层上生长GaN缓冲层；
(6)GaN薄膜的外延生长：采用分子束外延生长工艺，衬底温度为500～600℃，在反应室的压力为4.0～5.0×10-5Pa、束流比V/III值为30～40、生长速度为0.6～0.8ML/s条件下，在GaN缓冲层上生长GaN薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述抛光，具体为：
首先将玻璃衬底表面用金刚石泥浆进行抛光，配合光学显微镜观察衬底表面，直到没有划痕后，再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理。
3.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗，具体为：
将玻璃衬底放入去离子水中室温下超声清洗3～5分钟，去除玻璃衬底表面粘污颗粒，再依次经过丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物，用干燥氮气吹干。
4.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述铝金属层的厚度为150～200μm。
5.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述银金属层厚度为100～300nm。
6.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述AlN缓冲层厚度为5～50nm。
7.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述GaN缓冲层的厚度为50～80nm。
8.根据权利要求1所述的生长在玻璃衬底上的GaN薄膜的制备方法，其特征在于，所述GaN薄膜的度为200～300nm。