低色偏耐绕曲阻隔膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种低色偏耐绕曲阻隔膜。
【背景技术】
[0002] 阻隔膜能够抵抗水分渗透，较常用于液晶显示面板上，以防止液晶与有机发光材 料的老化。现有常用的阻隔膜，其结构如图1所示，包括基材层21，设置在基材层21表面的 SiNx层22或SiOy层22,以及设置在SiNx层22或SiO y层22上的聚合物层23,基材层21底面进一 步包括一背涂层24。上述阻隔膜中采用SiNx层时，阻隔效果佳，然光线透过率低，色偏严重； 上述阻隔膜中采用SiO y层时，透過率高，低色偏，然密著差。 【实用新型内容】
[0003] 鉴于以上所述，本实用新型研发一种透过率高、低色偏、阻隔效果佳的低色偏耐绕 曲阻隔膜。
[0004] -种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层，依序层设在基材层顶面上的SiNjl、SiOy 层与有机涂层，以及设置在基材层底面的背涂层，其中，SiNx层的厚度在3nm至40nm之间，X 取值1至4/3之间，S i0y层厚度在20nm至120nm之间，y取值1 · 8至2之间。
[0005] 进一步地，所述基材层厚度12um至260um之间。
[0006] 进一步地，所述SiNx层厚度在3nm至20nm之间。
[0007] 更进一步地，所述SiNx层厚度在5nm至20nm之间。
[0008] 进一步地，所述SiOy层厚度在30nm至120nm之间。
[0009] 更进一步地，所述SiOy层厚度在30nm至90nm之间。
[0010] 本实用新型的有益效果，本实用新型低色偏耐绕曲阻隔膜整合现有技术的优点， 并加以设计光学厚度，达到透过率高、低色偏、阻隔效果佳的优点。
【附图说明】
[0011] 上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了更清楚地说明本实用新型的技术 方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图 仅仅是对应于本实用新型的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性 劳动的前提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012] 图1为现有阻隔膜的层结构示意图；
[0013] 图2为本实用新型低色偏耐绕曲阻隔膜的层结构示意图。
【具体实施方式】
[0014] 为了详细阐述本实用新型为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合 本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显 然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付 出创造性劳动的前提下，本实用新型的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将 参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0015] 请参阅图2,一种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层11，依序层设在基材层11顶面 上的SiNx层12、Si0 y层13与有机涂层14,以及设置在基材层11底面的背涂层15。
[0016] 基材层11材质为PET、PEN、⑶P或⑶C任一种或几种的组合，如PET基材层、PEN基材 层、C0P基材层或C0C基材层等。基材层11厚度12-260um之间。
[0017] SiNx层12通过以溅镀或蒸镀方式形成在基材层11表面，N与Si的比例需控制在x = 1-4/3之间，才能达到Si与N的完整键结状态。SiNx层12厚度在3nm-40nm之间，较佳地选择在 3nm_20nm之间，最佳为5nm-20nm之间。
[0018] SiOy层13通过溅射法、真空蒸镀法、离子镀法或等离子体CVD法制作在SiNx层12表 面，0与Si比例需控制在y= 1.8-2之间，若y低于1.8则会造成折射率偏高，影响整体光学设 计。SiOy层厚度20nm-120nm间，较佳地选择在30nm-120nm之间，最佳为在30nm-90nm之间。 [0019]有机涂层14的材质为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或聚苯乙烯中的一种或几种的组合。如聚对苯二甲酸乙二 醇酯涂层、聚乙烯涂层、聚丙烯涂层等。
[0020] 背涂层15的材质为聚氨脂丙烯酸酯、己基脂丙烯酸酯衍生物或二季戊四醇五丙烯 酸酯中的一种或几种的组合。如聚氨脂丙烯酸酯涂层、己基脂丙烯酸酯衍生物涂层等。
[0021] 对低色偏耐绕曲阻隔膜的各个性能指标进行检测，具体选用的实施例可参下表 〇
[0022] 表一
[0023]
[0025]具体选用的比较例可参下表二，表三。
[0026] 表二
[0027]
[0031] 表一，表二，表三中的符号说明，ΛΤ:镀膜前后透过率差异。（镀膜后-镀膜前），负 值表透过率下降，正值表透过率上升。
[0032] 反射AEab:镀刖后色偏值。.4&為激.我|4 -纖.参魏-為^ 约低则色差越轻微，当色差值>8时，则有明显色差现象。量测基材反射Lab值:L0，a0，b0;量 测度膜后反射Lab值:LI，al，bl。
[0033] 耐弯折:经弯折试验后，检视外观是否出现裂痕。将片材裁成长20cm宽10cm之大 小，荷重500g，于卷径10mm的圆柱棒上绕曲一次，然后以三波段灯源观察膜面是否出先裂 痕，无裂痕则判定为0,轻微裂痕Λ，严重裂痕X。
[0034] RA密著性:将片材置入温度85°C湿度85 %的恒温恒湿设备中，放置1000小时后取 出，以百格刀于表面上画出100格1mm xlmm的小格，贴上3M公司生产型号为610的测试胶带， 撕除胶带后检视镀层或涂层是否出现脱落。完全未脱落则为5B;脱落5% :4B;脱落5-15% : 38;脱落15-35%:28;脱落35-65%:18;脱落大于65%:(?。
[0035] WVTR(阻水率）：以M0C0N公司生产之测试设备，测试温度38°C湿度100%条件下，片 材的阻水能力，数值越低则阻水效果越佳。
[0036]对表二中比较例中进行对比，比较例2与比较例1对比：SiNx镀层可有效改善阻隔 效果，但因 SiNx为高折射率材料，亦会造成透过率下降。
[0037]比较例2-12对比：SiNx镀层越厚时，阻隔效果越佳。当SiNx厚度超过10nm时，其透过 率下降超过1 %，影响产品整体透过率。当SiNx厚度超过20nm时，反射观测时，则出现严重的 色差。
[0038]比较例10:当SiNx厚度达到160nm时，耐弯折效果便差，会出现轻微裂痕。
[0039] 比较例11 -12:当SiNx厚度达到180nm以上时，经耐弯折测试后出现明显裂痕。
[0040] 对表三中比较例进行对比，
[0041 ]比较例13 : SiOy相对PET基材而言唯一低折射率材料，当厚度达到1 Onm时，除透过 率、色差皆可达到要求，亦可达到部分阻隔效果，但经过RA密著后，与基材间附著力出现问 题。
[0042]比较13-20:随SiOy厚度增加，除阻隔效果更佳外，也可部分改善RA密著的效果，但 最佳状态只能达到3B的水平，仍有镀层脱落的问题。
[0043]比较例21:当SiOy厚度为160nm时，与SiNx镀层相似，出现弯折测试后轻微龟裂的 现象。
[0044]比较例22-23:当SiOy厚度达到180nm时，片材经耐弯折测试后出现明显裂痕。
[0045]对表一中实施例与表二、表三中的比较例进行对比，
[0046] 实施例1与比较例15,16相比：于SiOy层下方多镀上SiNx层时，可将RA密著改善至4B 的效果。
[0047] 实施例2:当底层SiNx层厚度达到3nm以上时，可有效改善RA密著的效果，达到5B。 [0048] 实施例2-5对比：SiOy厚度低于20nm时，会造成透过率些微下降，低于原基材之透 过率。
[0049] 实施例9-13可看出：当SiNx厚度达到60nm以上时，色差会超过8%，可观察到明显 的色偏现象。因此SiNx厚度以40nm以下为佳。
[0050] 实施例5，13可看出：当总镀膜厚度达到170nm时，一样出现不耐弯折的问题，因此 总镀膜厚度需控制在170nm之下。
[0051] 综上，本实用新型低色偏耐绕曲阻隔膜整合现有技术的优点，并加以设计光学厚 度，达到透过率高、低色偏、阻隔效果佳的优点；因 SiNx与Si0y结晶颗粒大小不相同，两者混 合搭配时，可互补颗粒间的间隙，达到阻隔性更佳的效果。
[0052]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上 的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟 悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内 容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内 容，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任 何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层，其特征在于:低色偏耐绕曲阻隔膜包括依序 层设在基材层顶面上的SiNx层、SiO y层与有机涂层，以及设置在基材层底面的背涂层，其中， SiNx层的厚度在3nm至40nm之间，X取值1至4/3之间，SiOy层厚度在20nm至120nm之间，y取值 1.8至2之间。2. 根据权利要求1所述的低色偏耐绕曲阻隔膜，其特征在于:所述基材层厚度12um至 260um之间。3. 根据权利要求1所述的低色偏耐绕曲阻隔膜，其特征在于:所述SiNx层厚度在3nm至 20nm之间。4. 根据权利要求3所述的低色偏耐绕曲阻隔膜，其特征在于:所述SiNx层厚度在5nm至 20nm之间。5. 根据权利要求1所述的低色偏耐绕曲阻隔膜，其特征在于:所述SiOy层厚度在30nm至 120nm之间。6. 根据权利要求5所述的低色偏耐绕曲阻隔膜，其特征在于:所述SiOy层厚度在30nm至 90nm之间。
【专利摘要】本实用新型提供一种低色偏耐绕曲阻隔膜，包括基材层，依序层设在基材层顶面上的SiNx层、SiOy层与有机涂层，以及设置在基材层底面的背涂层，其中，SiNx层厚度在20nm至120nm之间，x取值1至4/3之间，SiOy层的厚度在3nm至40nm之间，y取值1.8至2之间。本实用新型所述的低色偏耐绕曲阻隔膜透过率高，低色偏，阻隔效果佳。
【IPC分类】H01M2/16
【公开号】CN205385058
【申请号】CN201620047247
【发明人】胡文玮
【申请人】汕头万顺包装材料股份有限公司, 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司
【公开日】2016年7月13日
【申请日】2016年1月16日