含粒子的双面ito导电膜的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及导电膜技术领域，尤其涉及一种含粒子的双面ΙΤ0导电膜。
【背景技术】
[0002] 触摸式屏幕在手机和平板电脑等有着越来越多的应用，触摸屏作为一种新型的输 出设备已十分流行和普遍，因此作为触摸屏必不可少的透明导电膜需求量也越来也大。ΙΤ0 导电膜透过率最高和导电性能最好，广泛地应用于移动通讯领域的触摸屏。ΙΤ0膜层的厚度 不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基 底材料的情况下，ΙΤ0膜层越厚，ΡΕΤ-ΙΤ0膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。现有 含粒子的双面ΙΤ0导电膜，如图1所示，由两个单面的ΙΤ0导电膜21通过粘结层22结合成双面 的ΙΤ0导电膜，每一单面ΙΤ0导电膜21包括基材层211、设置在基材层211上的光学调整层212 以及设置在光学调整层上的ΙΤ0层213。该结构的双面ΙΤ0导电膜，由于层结构及层厚度的设 计不合理，影响粒子的凸起程度，存在ΙΤ0层密著性差以及透过率低等问题。 【实用新型内容】
[0003] 鉴于以上所述，本实用新型研发一种合理的层结构设计与厚度控制，使得粒子凸 起不收影响，密著性佳且透光率理想。
[0004] -种含粒子的双面ΙΤ0导电膜，包括基材层，基材层两面依序为光学调整硬涂层、 光学调整层、ΙΤ0导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有 机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至5um之间，光学调整硬涂层的折射率介于 1.6至1.7之间，ΙΤ0导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ΙΤ0导电层的总厚度小于 120nm〇
[0005] 进一步地，所述双面光学调整层与双面ΙΤ0导电层的总厚度小于lOOnm。
[0006] 进一步地，在双面皆含有ΙΤ0导电层的情况下，色差b*值小于4.5。
[0007] 进一步地，所述光学调整硬涂层的铅笔硬度为F以上。
[0008] 进一步地，所述光学调整硬涂层与光学调整层间添加有密著层。
[0009] 进一步地，所述光学调整硬涂层折射率优选为1.65-1.7,厚度优选为l-10um，光学 调整层厚度优选为20-30nm，IT0导电层厚度优选为20-25nm〇
[0010] 更进一步地，所述光学调整硬涂层的厚度优选为l_5um。
[0011] 进一步地，所述光学调整硬涂层折射率为1.65,厚度为lum，光学调整层厚度为 20nm，ΙΤ0导电层厚度为20nm。
[0012] 进一步地，所述粒子的直径为500nm至10um之间。
[0013] 进一步地，所述粒子的直径优选为500nm至5um之间。
[0014]本实用新型的有益效果，本实用新型含粒子的双面ΙΤ0导电膜通过各层结构的合 理设计及厚度控制，ΙΤ0导电层密著性佳，透光率高，光学调整硬涂层较薄，不会影响粒子凸 起程度。
【附图说明】
[0015] 上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了更清楚地说明本实用新型的技术 方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，描述中的附图 仅仅是对应于本实用新型的具体实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性 劳动的前提下，在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016] 图1为现有双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图；
[0017] 图2为本实用新型的含粒子的双面ΙΤ0导电膜截面示意图；
[0018] 图3为对比实施例一双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图；
[0019] 图4为对比实施例二双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图；
[0020]图5为对比实施例三双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图。
【具体实施方式】
[0021] 为了详细阐述本实用新型为达成预定技术目的而所采取的技术方案，下面将结合 本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显 然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的部分实施例，而不是全部的实施例，并且，在不付 出创造性劳动的前提下，本实用新型的实施例中的技术手段或技术特征可以替换，下面将 参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
[0022] 请参阅图2,一种含粒子的双面ΙΤ0导电膜，包括基材层10,基材层两面依序为光学 调整硬涂层11、光学调整层12、IT0导电层13。双面ΙΤ0导电膜内分布有粒子14,粒子14添加 于光学调整硬涂层11中，使得光学调整硬涂层11、光学调整层12、ΙΤ0导电层13在覆盖粒子 14所在位置对应地形成为凸起，粒子的直径为500nm-10um。
[0023] 光学调整硬涂层11的折射率为1.6-1.7,厚度为500nm-15um;光学调整层12的制程 方式采用乾式镀膜，折射率为1.4-1.5，厚度在小于或等于40nm。ΙΤ0导电层厚度小于或等于 40nm。具体的，本实用新型双面ΙΤ0导电膜选用如下较佳实施例，请参下表一。
[0024] 表一
[0025]
[0026] 请参阅图3、图4、图5,选用与本实用新型实施例相比较的三种双面ΙΤ0导电膜结 构，图3中，ΙΤ0导电膜包括基材层30以及在基材层30两面依序设置第一光学调整层31、第二 光学调整层32、以及ΙΤ0导电层33。第一光学调整层31材料Nb 2〇5,厚度10nm;第二光学调整层 32材料Si02,厚度40nm;IT0导电层33厚度20nm。图4中，ΙΤ0导电膜包括基材层40以及在基材 层40两面依序设置光学调整硬涂层41、第一光学调整层42、第二光学调整层43、以及ΙΤ0导 电层44。光学调整硬涂层41折射率1.54,厚度lum;第一光学调整层42材料Nb 2〇5,厚度10nm; 第二光学调整层43材料Si02,厚度40nm;IT0导电层44厚度20nm。图5中，ΙΤ0导电膜包括基材 层50以及在基材层50两面依序设置光学调整硬涂层51、光学调整层52、以及ΙΤ0导电层53， 光学调整硬涂层51折射率1.54,厚度lum;光学调整层52材料Si0 2,厚度20nm;IT0导电层44 厚度20nm。具体地，各比较例的参数请参下表二，
[0027] 表二
[0028]
[0029]将上述实施例与比较例测试结果如下表三，
[0030] 表三
[0031]
[0033] 通过上述测试结果比较分析可知，比较例1:虽光学、电性、有无 ΙΤ0时颜色差异皆 可符合需求，但因缺乏硬涂层，导致表面铅笔硬度不足，容易导致膜面刮伤。且因双面乾式 镀膜总厚度太厚，于第一面镀膜时累积过多热量于基材上，导致第二面镀膜时出现MD向皱 折或不规则变形。比较例2:虽含有硬涂层，可改善膜铅笔硬度，但双面乾式镀膜总厚度仍过 厚与比要例一相同，会产生第二面镀膜时MD向皱折或不规则变形的问题。比较例3:于硬涂 层上溅镀单一光学调整层，虽可降低乾式镀膜总厚度，改善膜面皱折或变形的问题。但因一 般硬涂层折射率较低，光学匹配性较差，导致b值过高、有无 ΙΤ0时颜色差异明显而无法使 用。
[0034] 本实用新型的实施例中，实施例1:以湿式涂布方式制作光学调整硬涂层，可同时 达到改善铅笔硬度，与避免膜面皱折或变形的问题。在光学匹配性方面也可达到对应的要 求。实施例1-3:光学调整硬涂层厚度若为300nm时，则铅笔硬度达不到F的要求，所以其厚度 需在500nm以上。实施例1，4，5:光学调整硬涂层折射率需在1.6-1.7之间，若过低则会产生 与比较例3相同的问题。实施例1，6，7，8:当Si0 2厚度达到40nm时，加上20nm的ΙΤ0厚度，其双 乾式镀膜总厚度达到120nm，因厚度过后，发生与比较例1 一样的膜面MD向皱折或不规则变 形的问题。实施例1，9,10: ΙΤ0厚度过后时，虽可达到更低之电阻，但也伴随发生光学、膜面 变形之问题，因此ΙΤ0厚度小于40nm为佳。
[0035] 因此，本实用新型含粒子的双面ΙΤ0导电膜，在基材两面依序为光学调整硬涂层、 光学调整层、ΙΤ0导电层。光学调整硬涂层采用湿式涂布制程，光学调整层与ΙΤ0导电层采用 乾式制程。光学调整硬涂层的厚度在500nm以上。光学调整硬涂层之折射率介于1.6以上1.7 以下。双面乾式制程总厚度(双面光学调整层+双面ΙΤ0导电层)小于120nm为佳。较佳地双面 乾式制程总厚度l〇〇nm以下更佳。ΙΤ0导电层厚度小于40nm为佳。基材厚度介于23um以上 250um以下，基材材质选用PET、PEN、COC、COP为佳。相对两面的光学调整硬涂层、光学调整 层、IT0导电层之折射率、厚度不需完全相同，可自由搭配，但须满足前述相关限定。单面或 双面的光学调整硬涂层中可添加有机或无机粒子，用以增加基材的雾度与表面粗造度。在 双面皆含有IT0导电层的情况下，b*值小于4.5为佳。双面皆含有IT0导电层之情况下，b*值 3.5以下更佳。光学调整硬涂层的铅笔硬度F以上为佳。本实用新型含粒子的双面IT0导电膜 光学调整层薄，不影响粒子凸起程度，结合正反面合计两次涂布制程，效率高，乾式镀膜可 同时溅镀多层材料，可与IT0-次性完成，并且IT0层密著性佳。双面IT0导电膜透过率高。 [0036]可以理解，在光学调整硬涂层与光学调整层间可添加密著层。
[0037]以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上 的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟 悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内 容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内 容，依据本实用新型的技术实质，在本实用新型的精神和原则之内，对以上实施例所作的任 何简单的修改、等同替换与改进等，均仍属于本实用新型技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，其特征在于:基材层两面依序为光学调 整硬涂层、光学调整层、ΙΤ0导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层 中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折 射率介于1.6至1.7之间，IT0导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面IT0导电层的总 厚度小于120nm〇2. 根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于:所述双面光学调整层 与双面IT0导电层的总厚度小于100nm 〇3. 根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于:在双面皆含有ITO导电 层的情况下，色差b*值小于4.5。4. 根据权利要求1所述的含粒子的双面IT0导电膜，其特征在于:所述光学调整硬涂层 的铅笔硬度为F以上。5. 根据权利要求1所述的含粒子的双面IT0导电膜，其特征在于:所述光学调整硬涂层 与光学调整层间添加有密著层。6. 根据权利要求1所述的含粒子的双面IT0导电膜，其特征在于:所述光学调整硬涂层 折射率优选为1.65-1.7，厚度优选为l-10um，光学调整层厚度优选为20-30nm，IT0导电层厚 度优选为20_25nm〇7. 根据权利要求6所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于:所述光学调整硬涂层 厚度优选为l_5um〇8. 根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于:所述光学调整硬涂层 折射率为1.65,厚度为lum，光学调整层厚度为20nm，IT0导电层厚度为20nm〇9. 根据权利要求1所述的含粒子的双面ITO导电膜，其特征在于：所述粒子的直径为 500nm 至 10um之间。10. 根据权利要求9所述的含粒子的双面IT0导电膜，其特征在于：所述粒子的直径为 500nm至5um之间。
【专利摘要】本实用新型提供一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。本实用新型所述的双面ITO导电膜其光学调整层薄，透光性好，不影响粒子凸起程度。
【IPC分类】G06F3/041, H01B5/14
【公开号】CN205384883
【申请号】CN201620047214
【发明人】胡文玮
【申请人】汕头万顺包装材料股份有限公司, 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司
【公开日】2016年7月13日
【申请日】2016年1月16日