一种AMOLED显示面板结构的制作方法

本实用新型涉及AMOLED显示面板技术领域，具体涉及一种AMOLED显示面板结构。

背景技术：

目前在平板显示行业有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode)相比与传统的液晶显示器来说，具有响应速度快、无需背光灯、对比度更高、整体结构更加轻薄、视角较广可制成柔性产品等优点，随着技术的发展，消费者更注重显示面板的外观设计和显示区域在整个显示屏中所占的比例，体积小、显示区域大的AMOLED显示面板越来越受到人们的青睐，然而现有技术中的AMOLED显示面板在成产过程中往往存在一些严重影响产品质量的缺陷，在常见的样品设计中，产品经常设置成Frit封装区和GOA电路处于水平方向的位置，由于考虑到Frit封装时需要经过激光烧结，而激光烧结时则会产生800摄氏度左右的温度，在GOA电路中含有Al(其熔点大概为660摄氏度)会由于过高的温度而融化，另外该结构设计所占空间比较大，而且显示效果也不理想，有待进一步的改进。

技术实现要素：

针对上述现有技术的不足，本实用新型提供一种边框的尺寸小、显示效果好、具有较高实用价值的AMOLED显示面板结构。

为解决上述问题，本实用新型采用的技术方案为：

本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构，所述AMOLED显示面板结构包括第一基板、第二基板和设置于所述第一基板和所述第二基板之间的Frit封装结构和显示区，所述第一基板上设置有像素电路、GOA电路、信号线、阴极搭接区和ELVSS走线，所述Frit封装结构和所所述阴极搭接区设置在所述第一基板上，并设置在所述GOA电路正上方，所述GOA电路上设置有绝缘层，所述绝缘层用于缓冲热量向GOA电路方向扩散，以保护GOA电路及其走线，所述绝缘层上方设置有金属层，所述金属层用于反射激光以降低由于激光烧结所述Frit封装结构所产生热量向GOA电路方向扩散。

进一步地，所述第二基板为封装玻璃基板。

进一步地，所述金属层为高反射率、熔点高于激光烧结温度的金属层，如金、钼或其合金材料金属层。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构在Frit下方制作一层金属层，具有反射激光以降低由于激光烧结Frit材料所产生热量向GOA电路方向扩散、用作ELVSS电极走线、阴极搭接区域等作用，并在此金属层下方制作一层透光的绝缘层，起到缓冲热量向GOA电路方向扩散的作用，将原有的Frit区域和GOA区域水平方向放置设计成Frit区域和GOA区域垂直方向放置，减小了显示屏边框尺寸，提高了显示区域所占的面积，扩大了显示屏的显示面积，同时也增强了显示效果，具有极好的实用价值。

附图说明

图1是现有技术中显示屏边框区域分布截面图；

图2是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的显示屏边框区域分布图；

图3是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的显示面板俯视示意图；

图4是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的无GOA电路的非显示区域连接关系；

图5是本实用新型一种AMOLED显示面板结构的GOA电路的非显示区域连接关系。

具体实施方式

下面结合附图具体阐明本实用新型的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制。

如图1所示，现有技术中AMOLED显示面板结构Frit封装区和GOA电路处于水平方向的位置，这样的显示面板显示效果不理想，而且占用的空间较大，图中10为第一基板，为玻璃基板，20为盖板，即第二基板，30为Frit封装结构，40为GOA电路区域，50为显示区域，60为激光照射方向。

如图2至图5所示，本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构，所述AMOLED显示面板结构包括第一基板1、第二基板2和设置于所述第一基板1和所述第二基板2之间的Frit封装结构3和显示区4，所述第二基板为封装玻璃基板，所述第一基板1上设置有像素电路(图中未画出)、GOA电路5、信号线(图中未画出)、阴极搭接区6和ELVSS走线7，所述Frit封装结构3和所所述阴极搭接区6设置在所述第一基板1上，并设置在所述GOA电路5正上方，所述GOA电路5上设置有绝缘层8，此绝缘层具有透光的效果，所述绝缘层8用于缓冲热量向GOA电路5方向扩散，以保护GOA电路5及其走线，所述绝缘层8上方设置有金属层9，所述金属层为高反射率、熔点高于激光烧结温度的金属层，如金、钼或其合金材料金属层，用作ELVSS走线7、阴极搭接区域6等作用，所述金属层9用于反射激光以降低由于激光烧结所述Frit封装结构3所产生热量向GOA电路5方向扩散。

在生产过程中首先在第一基板上制作GOA电路、像素电路(图中未画出)等，并按照电路的逻辑连接方式将GOA电路、像素电路中各TFT管、电容等连接在一起，完成这些基本的电路结构之后，则在GOA电路上制作一层绝缘层，此绝缘层具有透光的效果，则此绝缘层下方覆盖非显示区域内的ELVSS金属走线区域和GOA电路区域，在此绝缘层下方包含ELVSS金属走线区域内制作过孔(图中未画出)，此过孔将上述绝缘层挖空；在此绝缘层下方包含GOA电路的区域内制作过孔，此过孔只挖去上述绝缘层的一部分。并且此两部分过孔可以形状一样，也可以形状不一样，且都在显示面板的非显示区域内。然后在此绝缘层上制作一层金属层，此金属层覆盖非显示区域而不覆盖显示区域，并且此金属层具有反射激光以降低由于激光烧结Frit材料所产生热量向GOA电路方向扩散、用作ELVSS电极走线、阴极搭接区域等作用，制作完此金属层之后，则在没有GOA电路的非显示区域中，此金属会和显示面板中的ELVSS电极相连从而使得整个显示面板中的ELVSS走线连接在一起，此区域具体如图4所示，

在显示面板的非显示区域中，此非显示区域为GOA电路所占区域，则由于上述绝缘层在GOA电路上方的孔没有将此绝缘层挖空，则制作金属的时候会凹凸不平，此凹凸不平区域可以有效的将激光向不同的方向反射，从而能更好的使得Frit材料吸收能量，使得Frit材料在烧结的过程中更加充分，此区域如图5所示。

本实用新型提供一种AMOLED显示面板结构在Frit下方制作一层金属层，具有反射激光以降低由于激光烧结Frit材料所产生热量向GOA电路方向扩散、用作ELVSS电极走线、阴极搭接区域等作用，并在此金属层下方制作一层透光的绝缘层，起到缓冲热量向GOA电路方向扩散的作用，将原有的Frit区域和GOA区域水平方向放置设计成Frit区域和GOA区域垂直方向放置，减小了显示屏边框尺寸，提高了显示区域所占的面积，扩大了显示屏的显示面积，同时也增强了显示效果，具有极好的实用价值。

如上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。