一种高效吸收光线的单晶硅片的制作方法

本实用新型涉及单晶硅片技术领域，具体为一种高效吸收光线的单晶硅片。

背景技术：

单晶硅片，硅的单晶体，是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。单晶硅片主要用于制作半导体元件是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等，现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅片的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，近年来，中国单晶硅产量明显稳步增长，增长的原因是一方面来自国际上对低档和廉价硅材料需求的增加。另一方面是近年来中国装备制造发展迅速，各类信息家电和通信产品需求旺盛，因此半导体器件和硅材料的市场需求量都很大。随着太阳能电池市场的快速成长，太阳能电池板主要是由晶体硅片制作而成，而影响电池片的发射率及电性能是由硅片表面的绒面决定。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种高效吸收光线的单晶硅片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高效吸收光线的单晶硅片，包括硅片本体，所述硅片本体上设有主栅线，所述硅片本体上均匀排布有副栅线，所述硅片本体上表面的吸光面上设有二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜上均匀设有凹形线槽绒面，所述硅片本体底部位置所在的背光面上覆盖有防腐蚀结构层，所述凹形线槽绒面分为顶凹槽、左凹槽和右凹槽。

优选的，所述硅片本体截面为正八边形。

优选的，所述副栅线数量不少于12个。

优选的，所述硅片本体上的八个角为圆弧倒角。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型一种高效吸收光线的单晶硅片，结构简单，通过利用光线折射原理，在制绒表面形成凹形线槽绒面，减少光的反射作用来实现高效吸收光线的效果，从而提高转换效率。通过二氧化硅薄膜和防腐蚀结构层来提高硅片的使用寿命，增强硅片抗温能力，减少成本。

附图说明

图1为本实用新型俯视结构示意图；

图2为本实用新型主结构示意图；

图3为本实用新型凹形线槽绒面结构示意图。

图中：1硅片本体、2主栅线、3副栅线、4圆弧倒角、5吸光面、6防腐蚀结构层、7凹形线槽绒面、71顶凹槽、72左凹槽、73右凹槽、8背光面、9二氧化硅薄膜。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种高效吸收光线的单晶硅片，包括硅片本体1，所述硅片本体1上设有主栅线2，所述硅片本体1上均匀排布有副栅线3，所述硅片本体1上表面的吸光面5上设有二氧化硅薄膜9，所述二氧化硅薄膜9上均匀设有凹形线槽绒面7，所述硅片本体1底部位置所在的背光面8上覆盖有防腐蚀结构层6，所述凹形线槽绒面7分为顶凹槽71、左凹槽72和右凹槽73，所述硅片本体1截面为正八边形，所述副栅线3数量不少于12个，所述硅片本体1上的八个角为圆弧倒角4。

工作原理：硅片本体1上的吸光面5制绒成凹形线槽绒面7，可以有效的防止光线反射出去，通过左凹槽72和右凹槽73之间相互折射，使得光线能够被充分利用，背光面覆盖防腐蚀结构层6起到保护作用，二氧化硅薄膜9用来提高抗高温恶劣环境能力，八个角设置成圆弧倒角4可以防止拼接时划伤。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。