技术总结
本实用新型是一种钝化的硅纳微米复合结构太阳电池，包括单晶硅基底，在所述单晶硅基底正面制备有硅纳微米复合结构，所述硅纳微米复合结构由硅锥阵列和其上的硅纳米线结构组成，在所述硅纳微米复合结构表面形成p+发射极，在所述p+发射极上覆盖有Al2O3钝化膜层。本实用新型通过在单晶硅基底正面设置硅纳微米复合结构，并对硅纳微米复合结构实施原子层沉积Al2O3钝化膜层，Al2O3钝化膜层具有优异的钝化效果，利于抑制电池器件的表面复合，使器件在电学性能上得到明显提高；同时，Al2O3钝化膜层在长波段具有良好的减反射能力，可以与硅纳微米复合结构在短波段的超低反射率形成互补，实现在整个波段上的优异陷光效果，最终使该太阳电池的光电转换效率得以提高。
技术研发人员：黄增光;沈文忠
受保护的技术使用者：淮海工学院
文档号码：201621078356
技术研发日：2016.09.26
技术公布日：2017.03.22