1.一种可重构多层全息天线(1)，其特征在于，包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；
其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的SPiN二极管串。
2.根据权利要求1所述的天线(1)，其特征在于，所述天线模块(13)包括第一SPiN二极管天线臂(1301)、第二SPiN二极管天线臂(1302)、同轴馈线(1303)、第一直流偏置线(1304)、第二直流偏置线(1305)、第三直流偏置线(1306)、第四直流偏置线(1307)、第五直流偏置线(1308)、第六直流偏置线(1309)、第七直流偏置线(1310)、第八直流偏置线(1311)；
其中，所述同轴馈线(1303)的内芯线和外导体分别焊接于所述第一直流偏置线(1304)和所述第二直流偏置线(1305)；所述第一直流偏置线(1304)、所述第五直流偏置线(1308)、所述第三直流偏置线(1306)及所述第四直流偏置线(1307)沿所述第一SPiN二极管天线臂(1301)的长度方向分别电连接至所述第一SPiN二极管天线臂(1301)；
所述第二直流偏置线(1305)、所述第六直流偏置线(1309)、所述第七直流偏置线(1310)及所述第八直流偏置线(1311)沿所述第二SPiN二极管天线臂(1302)的长度方向分别电连接至所述第二SPiN二极管天线臂(1302)。
3.根据权利要求2所述的天线(1)，其特征在于，所述第一SPiN二极管天线臂(1301)包括依次串接的第一SPiN二极管串(w1)、第二SPiN二极管串(w2)及第三SPiN二极管串(w3)，所述第二SPiN二极管天线臂(1302)包括依次串接的第四SPiN二极管串(w4)、第五SPiN二极管串(w5)及第六 SPiN二极管串(w6)且所述第一SPiN二极管串(w1)与所述第六SPiN二极管串(w6)、所述第二SPiN二极管串(w2)与所述第五SPiN二极管串(w5)、所述第三SPiN二极管串(w3)与所述第四SPiN二极管串(w4)分别包括同等数量的SPiN二极管。
4.根据权利要求1所述的天线(1)，其特征在于，所述第一全息圆环(15)包括多个呈环状均匀排列的多个第一环形单元(1501)，且所述第一环形单元(1501)包括第九直流偏置线(15011)及第七SPiN二极管串(w7)，所述第九直流偏置线(15011)电连接至所述第七SPiN二极管串(w7)的两端。
5.根据权利要求1所述的天线(1)，其特征在于，所述第二全息圆环(17)包括多个呈环状均匀排列的多个第二环形单元(1701)，且所述第二环形单元(1701)包括第十直流偏置线(17011)及第八SPiN二极管串(w8)，所述第十直流偏置线(17011)电连接至所述第八SPiN二极管串(w8)的两端。
6.根据权利要求2所述的天线(1)，其特征在于，所述半导体基片(11)为SOI基片。
7.根据权利要求6所述的天线(1)，其特征在于，所述SPiN二极管串包括多个SPiN二极管，所述SPiN二极管包括P+区(27)、N+区(26)和本征区(22)，且还包括第一金属接触区(23)和第二金属接触区(24)；其中，
所述第一金属接触区(23)一端电连接所述P+区(27)且另一端电连接至直流偏置线(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相邻的所述SPiN二极管的所述第二金属接触区(24)，所述第二金属接触区(24)一端电连接所述N+区(26)且另一端电连接至所述直流偏置线(1304、1305、1306、1307、1308、1309、1310、1311、15011、17011)或者相邻的所述SPiN二极管的所述第一金属接触区(23)。
8.根据权利要求1所述的天线(1)，其特征在于，还包括至少一个第三全息圆环(19)，设置于所述第二全息圆环(17)的外侧且采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上。