有机发光二极管显示面板及其制造方法、显示装置与流程

本发明涉及有机发光二极管显示面板、具有该有机发光二极管显示面板的显示装置以及该有机发光二极管显示面板的制造方法。

背景技术

有机发光二极管(oled)显示装置是自发光器件，并且不需要背光。与传统的液晶显示(lcd)装置相比，oled显示装置还提供了更鲜艳的颜色和更大的色域。此外，与典型的lcd相比，oled显示装置可以制造得更柔性、更薄、且更轻。

oled显示装置通常包括阳极、包括发光层的有机层和阴极。oled可以是底发射型oled或者顶发射型oled。在底发射型oled中，从阳极侧提取光。在底发射型oled中，阳极通常是透明的，而阴极通常是反射性的。在顶发射型oled中，从阴极侧提取光。阴极是光学透明的，而阳极是反射性的。

技术实现要素：

一方面，本发明提供了一种有机发光二极管显示面板，其具有多个像素，每个像素包括子像素区和子像素间区，所述有机发光二极管显示面板包括：衬底基板；衬底基板上的第一电极层；子像素区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的发光层；位于发光层的远离第一电极层的一侧的第二电极层；以及子像素间区中与第二电极层位于同一层的辅助电极层，辅助电极层与第二电极层彼此接触；辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度。

可选地，辅助电极层的横截面实质上为倒梯形形状；该倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧。

可选地，第二电极层包括实质上在子像素区中的第一部分和实质上在子像素间区中的第二部分；第一部分通过第二部分与辅助电极层电连接。

可选地，所述有机发光二极管显示面板还包括子像素间区中位于辅助电极层的远离衬底基板的一侧的像素限定层。

可选地，所述有机发光二极管显示面板包括：子像素区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的有机层，有机层包括发光层；以及子像素间区中位于辅助电极层的靠近衬底基板的一侧的绝缘层；其中有机层的厚度不大于绝缘层的厚度。

可选地，有机层还包括一个或多个有机功能层。

可选地，所述第二电极层是由透明金属材料制成的透明电极层。

可选地，辅助电极层是由非透明金属材料制成的非透明电极层。

可选地，第二电极层的第一部分的厚度在约5nm至约20nm的范围内。

可选地，辅助电极层的厚度在约50nm至约500nm的范围内。

可选地，所述有机发光二极管显示面板是顶发射型显示面板，第一电极层是阳极层，第二电极层是阴极层，辅助电极层是辅助阴极层。

另一方面，本发明提供了一种制造有机发光二极管显示面板的方法，所述有机发光二极管显示面板具有多个像素，每个像素包括子像素区和子像素间区，所述方法包括：在衬底基板上形成第一电极层；在子像素间区中与第二电极层相同的层中形成辅助电极层，辅助电极层与第二电极层彼此接触；辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度；在子像素区中第一电极层的远离衬底基板的一侧形成发光层；以及在发光层的远离第一电极层的一侧形成第二电极层。

可选地，辅助电极层形成为具有实质上为倒梯形形状的横截面；所述倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧。

可选地，所述方法还包括在子像素间区中辅助电极层的远离衬底基板的一侧形成像素限定层。

可选地，在形成发光层的步骤之后执行形成第二电极层的步骤；所述形成第二电极层的步骤包括：在发光层的远离第一电极层的一侧气相沉积金属材料，从而形成第二电极层的实质上在子像素区中的第一部分和实质上在子像素间区中的第二部分，第一部分通过第二部分与辅助电极层电连接。

可选地，第二电极层的第一部分形成为具有在约5nm至约20nm范围内的厚度；并且辅助电极层形成为具有约50nm至约500nm范围内的厚度。

可选地，所述方法包括：在子像素区中第一电极层的远离衬底基板的一侧形成包括发光层的有机层；以及在子像素间区中辅助电极层的靠近衬底基板的一侧以及第一电极层的远离衬底基板的一侧形成绝缘层；其中有机层形成为具有不大于绝缘层的厚度的厚度。

可选地，通过喷墨打印工艺来形成有机层。

可选地，由透明金属材料形成第二电极层。

另一方面，本发明提供了一种显示装置，其包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的有机发光二极管显示面板。

附图说明

以下附图仅是根据所公开的各种实施例的用于示出目的的示例，并非旨在限制本发明的范围。

图1是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。

图2是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。

图3是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。

图4是示出一些实施例中的制造辅助电极层的过程的图。

图5a至图5d示出了一些实施例中的制造有机发光二极管显示面板的过程。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更加具体地描述本公开。应注意的是，仅出于示出和描述目的而在本文中呈现了一些实施例的以下描述。其并非旨在为穷举性的，或将本发明限制为所公开的具体形式。

在顶发射型oled中，可以由诸如氧化铟锡之类的透明导电材料和/或诸如镁和银之类的薄透明金属来形成阴极。与由氧化铟锡形成的阴极相比，金属阴极可具有更好的导电性。然而，为了使金属阴极是光学透明的，金属阴极必须制造得非常薄。在薄的金属层中，薄层电阻与具有更大厚度的金属层(例如，阳极)相比相对较大。由于大的薄层电阻，可能需要较大的功率来使顶发射型oled工作。该问题在大尺寸显示面板中变得尤为严峻。

在一些实施例中，阴极可由透明氧化铟锡材料制成。因为氧化铟锡是透明材料，所以由氧化铟锡制成的阴极可具有相对较大的厚度。但是，通常氧化铟锡只有通过溅射才能有效地沉积在衬底上。本公开中发现，氧化铟锡的溅射处理会损坏有机层，导致寿命缩短以及性能变差。

在一些实施例中，可在阴极层的顶部上的层中添加辅助电极，其通过过孔与阴极电连接。但是，本公开中发现，在使用掩膜板形成辅助电极的过程中，有时会覆盖或阻塞过孔中的至少一些过孔。结果，辅助电极并未与阴极电连接，从而导致图像显示方面的缺陷，例如，mura缺陷。

因此，本发明特别提供了一种具有新型结构的有机发光二极管显示面板、具有该有机发光二极管显示面板的显示装置、以及该有机发光二极管显示面板的制造方法，其基本消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或多个。一方面，本发明提供了一种有机发光二极管显示面板，其具有多个像素，每个像素包括子像素区和子像素间区。在一些实施例中，该有机发光二极管显示面板包括：衬底基板；衬底基板上的第一电极层；子像素区中的位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的发光层；位于发光层的远离第一电极层的一侧的第二电极层；以及子像素间区中的与第二电极层位于同一层的辅助电极层。辅助电极层与第二电极层彼此接触；并且辅助电极层的厚度大于第二电极层的厚度。

可选地，辅助电极层的横截面为基本倒梯形形状。倒梯形形状的短底边位于辅助电极层的靠近第一电极层的一侧，即，倒梯形形状的长底边位于辅助电极层的远离第一电极层的一侧。

如本文中所用，子像素区是指子像素的发光区，诸如与有机发光二极管显示器中的发光层对应的区。可选地，像素可包括与该像素中的若干子像素对应的若干单独的发光区。可选地，子像素区是红色子像素的发光区。可选地，子像素区是绿色子像素的发光区。可选地，子像素区是蓝色子像素的发光区。可选地，子像素区是白色子像素的发光区。

如本文中所用，子像素间区是指相邻的子像素区之间的区，诸如与有机发光二极管显示器中的像素限定层对应的区。可选地，子像素间区是同一像素中的相邻子像素区之间的区。可选地，子像素间区是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区之间的区。可选地，子像素间区是红色子像素的子像素区与相邻的绿色子像素的子像素区之间的区。可选地，子像素间区是红色子像素的子像素区与相邻的蓝色子像素的子像素区之间的区。可选地，子像素间区是绿色子像素的子像素区与相邻的蓝色子像素的子像素区之间的区。

图1是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。参见图1，实施例中的有机发光二极管显示面板包括多个像素，每个像素包括子像素区sr和子像素间区isr。该有机发光二极管显示面板包括：衬底基板1；衬底基板1上的第一电极层2；子像素区sr中的位于第一电极层2的远离衬底基板1的一侧的发光层3a；位于发光层3a的远离第一电极层2的一侧的第二电极层4；以及子像素间区isr中的与第二电极层4位于同一层的辅助电极层5。如图1所示，辅助电极层5与第二电极层4彼此电连接且接触。辅助电极层5的厚度大于第二电极层4的厚度。可选地，发光层3a是有机发光二极管显示面板中的有机层3的子层。可选地，有机层3还包括一个或多个额外的有机功能层。

可选地，第一电极层2是阳极，第二电极层4是阴极。

可以使用任何合适的电极材料和任何合适的制造方法来制造第一电极层、第二电极层和辅助电极层。例如，电极材料可(例如，通过溅射或气相沉积)沉积在衬底基板上；并且(例如，通过诸如湿法蚀刻工艺之类的光刻)被图案化以形成这些电极层。合适的电极材料的示例包括(但不限于)诸如银、镁、铝、铂、金、铜、钕、锂和镍之类的非透明金属材料；诸如氧化铟锡、氧化铟锌之类的透明电极材料；透明金属(例如，纳米银)及其组合(例如，合金或层合物)。

在一些实施例中，有机发光二极管显示面板是顶发射型显示面板，第一电极层是阳极层，第二电极层是阴极层，辅助电极层是辅助阴极层。在顶发射型显示面板中，第二电极层是透明电极层，第一电极层可选地是非透明电极层。因为辅助电极层布置在子像素间区中，所以其可以是非透明电极层。可选地，第一电极层由非透明电极材料制成。可选地，第二电极层是由透明电极材料(例如，适于气相沉积的透明电极材料)制成的透明电极层。可选地，第二电极层是由透明金属材料(例如，透明银材料)制成的透明电极层。可选地，第二电极层是透明金属电极层，辅助电极层是非透明金属电极层，并且第二电极层和辅助电极层由相同的金属材料制成。

在顶发射型显示面板中，通常将由金属材料制成的阴极制造得非常薄以使其光学透明。通过具有与阴极电连接的辅助阴极层，可以显著地减小阴极层的电阻。辅助阴极布置在子像素间区中，因此可以将其制造得比阴极层厚。在一些实施例中，阴极层和辅助阴极层位于同一层并且彼此接触，并且阴极层的厚度远小于辅助阴极层的厚度。

在一些实施例中，辅助阴极层的厚度与阴极层的厚度之比在约10至约100的范围内。可选地，阴极层(例如，阴极层在子像素区中的部分)的厚度在约5nm至约20nm的范围内，例如，在约5nm至约10nm、约10nm至约15nm、以及约15nm至约20nm的范围内。可选地，阴极层在子像素区中的部分的厚度为约10nm。可选地，辅助电极层的厚度在约50nm至约500nm的范围内，例如，在约50nm至约100nm、约100nm至约200nm、约200nm至约300nm、约300nm至约400nm、以及约400nm至约500nm的范围内。可选地，辅助电极层的厚度为约300nm。

参见图1，实施例中的有机发光二极管显示面板还包括子像素间区isr中的位于辅助电极层5的远离衬底基板1的一侧的像素限定层6。

可以使用任何合适的像素限定材料和任何合适的制造方法来制造像素限定层。可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或旋涂工艺在衬底基板上沉积像素限定材料。合适的像素限定材料的示例包括(但不限于)硅的氧化物(sioy)、硅的氮化物(siny，例如，si3n4)、硅的氮氧化物(sioxny)、聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、和酚醛树脂。可选地，像素限定层可具有单层结构或者包括两个或更多个子层的叠层结构(例如，包括硅的氧化物子层和硅的氮化物子层的叠层结构)。可选地，像素限定层将多个像素中的每一个划分为子像素区和子像素间区。

参见图1，在一些实施例中，有机发光二极管显示面板包括子像素区sr中的位于第一电极层2的远离衬底基板1的一侧的有机层3，发光层3a是有机层3的子层。可选地，有机层3还包括一个或多个有机功能层。

在一些实施例中，有机层包括子像素区中位于发光层和第一电极层之间的一个或多个有机功能层。可选地，所述一个或多个有机功能层包括诸如空穴传输层之类的载流子传输层。可选地，所述一个或多个有机功能层包括诸如空穴注入层之类的载流子注入层。可选地，有机层包括位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的空穴注入层、位于空穴注入层的远离第一电极层的一侧的空穴传输层、以及位于空穴传输层的远离空穴注入层的一侧的发光层。

在一些实施例中，有机层包括在子像素区中位于发光层和第二电极层之间的一个或多个有机功能层。可选地，所述一个或多个有机功能层包括诸如电子传输层之类的载流子传输层。可选地，所述一个或多个有机功能层包括诸如电子注入层之类的载流子注入层。可选地，有机层包括位于发光层的远离第一电极层的一侧的电子传输层、以及位于电子传输层的远离发光层的一侧的电子注入层。

可选地，有机层包括位于第一电极层的远离衬底基板的一侧的空穴注入层、位于空穴注入层的远离第一电极层的一侧的空穴传输层、位于空穴传输层的远离空穴注入层的一侧的发光层、位于发光层的远离空穴传输层的一侧的电子传输层、以及位于电子传输层的远离发光层的一侧的电子注入层。

参见图1，在一些实施例中，有机发光二极管显示面板还包括子像素间区isr中的位于辅助电极层5的靠近衬底基板1的一侧(即，位于第一电极层2的远离衬底基板1的一侧)的绝缘层7。

可以使用任何合适的绝缘材料和任何合适的制造方法来制造绝缘层。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或旋涂工艺在衬底基板上沉积绝缘材料。合适的绝缘材料的示例包括(但不限于)硅的氧化物(sioy)、硅的氮化物(siny，例如，si3n4)、硅的氮氧化物(sioxny)、聚酰亚胺树脂和聚酯树脂。可选地，绝缘层可具有单层结构或者包括两个或更多个子层的叠层结构(例如，包括硅的氧化物子层和硅的氮化物子层的叠层结构)。

可选地，有机层和绝缘层位于同一层。例如，有机层在子像素区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧，绝缘层在子像素间区中位于第一电极层的远离衬底基板的一侧。可选地，有机层的厚度不大于绝缘层的厚度，以使得有机层不与绝缘层上的辅助电极层电连接。可选地，有机层和绝缘层具有基本相同的厚度。可选地，有机层的远离第一电极层的一侧的表面与绝缘层的远离衬底基板的表面基本位于同一水平位置。可选地，有机层的远离第一电极层的一侧的表面在比绝缘层的远离衬底基板的表面更低的水平位置处。

参见图1，实施例中的第二电极层4包括基本在子像素区sr中的第一部分4a和基本在子像素间区isr中的第二部分4b。第一部分4a通过第二部分4b与辅助电极层5电连接。在一些情况下，第二部分4b可以看作用于将第一部分4a与辅助电极层5电连接的连接结构。可选地，第一部分4a和第二部分4b由相同材料(并且在同一工艺中)制成。可选地，第一部分4a、第二部分4b和辅助电极层5由相同材料制成，但是，在与第一部分4a和第二部分4b的工艺分离的工艺中制造辅助电极层5。可选地，第一部分4a和第二部分4b由与辅助电极层5的材料不同的材料制成，并且在与辅助电极层5的工艺分离的工艺中制造。

辅助电极层和第二电极层及其部分可具有各种合适的形状。参见图1，辅助电极层5的横截面基本呈倒梯形形状。在图1中，第二电极层4的第二部分4b的横截面基本呈三角形形状。将两者放在一起，子像素间区isr中的辅助电极层5和第二部分4b的横截面基本呈平行四边形形状。可选地，辅助电极层的横截面基本呈矩形形状。

可选地，第二电极层4的第二部分4b的横截面具有不规则形状。

图2是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。参见图2，第二电极层4基本限制在子像素区sr中，辅助电极层5基本限制在子像素间区isr中。辅助电极层5包括第一部分5a和第二部分5b。第二电极层4通过第二部分5b与辅助电极层5的第一部分5a电连接。第二部分5b可以被看作用于将第一部分5a和第二电极层4电连接的连接结构。可选地，第二部分5b和第二电极层4由相同材料(在同一工艺中)制成。可选地，第一部分5a、第二部分5b、和第二电极层4由相同的材料制成，但是，第一部分5a在与第二部分5b和第二电极层4的工艺分离的工艺中制造。可选地，第二部分5b和第二电极层4由与第一部分5a的材料不同的材料制成，并且在与第一部分5a的工艺分离的工艺中制造。

图2中的辅助电极层5的横截面基本呈平行四边形形状。第一部分5a的横截面基本呈倒梯形形状。在图2中，第二部分5b的横截面基本呈三角形形状。将两者放在一起，子像素间区isr中的第一部分5a和第二部分5b的横截面基本呈平行四边形形状。可选地，辅助电极层5的横截面基本呈矩形形状。

可选地，辅助电极层5的第二部分5b的横截面具有不规则形状。

可以实践大量的可替代实施例来制造第二电极层和辅助电极层。例如，在一些实施例中，辅助电极层为子像素间区中的整体电极层，第二电极层为子像素区中的整体电极层。图3是示出一些实施例中的有机发光二极管显示面板的结构的图。参见图3，辅助电极层5的横截面基本呈平行四边形形状。可选地，辅助电极层5的横截面基本呈矩形形状。可选地，辅助电极层5和第二电极层4由不同的材料在分离的工艺中制造。可选地，辅助电极层5和第二电极层4由相同的材料但在分离的工艺中制造。

另一方面，本公开提供了一种制造有机发光二极管显示面板的方法，该有机发光二极管显示面板具有多个像素，每个像素包括子像素区和子像素间区。在一些实施例中，该方法包括：在衬底基板上形成第一电极层；在子像素间区中与第二电极层相同的层中形成辅助电极层；在子像素区中第一电极层的远离衬底基板的一侧形成发光层；以及在发光层的远离第一电极层的一侧形成第二电极层。辅助电极层和第二电极层形成为彼此接触；并且辅助电极层形成为具有比第二电极层的厚度更大的厚度。可选地，第二电极层形成为具有基本在子像素区中的第一部分和基本在子像素间区中的第二部分；第一部分通过第二部分与辅助电极层电连接。

可以使用任何合适的电极材料和任何合适的制造方法来制造第一电极层、第二电极层和辅助电极层。例如，电极材料可沉积在衬底基板上并且(例如,通过诸如湿法蚀刻工艺之类的光刻)被图案化以形成这些电极层。沉积方法的示例包括(但不限于)溅射(例如，磁控溅射)和蒸发镀膜(例如，化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、热气相沉积方法)。在磁控溅射工艺中，磁控溅射装置诱导气体的等离子体离子轰击靶材，使靶材的表面原子喷射并沉积为衬底表面上的膜或层。例如，金属电极材料或氧化铟锡可用作溅射靶材，并使用包括氩的等离子体来轰击溅射靶材。合适的电极材料的示例包括(但不限于)诸如银、镁、铝、铂、金、铜、钕、锂和镍之类的非透明金属材料；诸如氧化铟锡、氧化铟锌之类的透明电极材料；透明金属(例如，纳米银)及其组合(例如，合金或层合物)。

在一些实施例中，通过光刻工艺来制造辅助电极层。图4是示出一些实施例中的制造辅助电极层的过程的图。参见图4，实施例中的光刻工艺包括：在绝缘层41的远离衬底基板40的一侧沉积辅助电极材料，从而形成辅助电极材料层42。该工艺还包括：在辅助电极材料层42的远离绝缘层41的一侧沉积光刻胶层43；使用掩膜板将光刻胶层43暴露于uv光中，掩膜板的图案与辅助电极层的图案对应；以及去除曝光区中的光刻胶层43。保留与辅助电极层对应的区中的光刻胶层43。然后通过蚀刻(例如，通过湿法蚀刻)来去除曝光区中的辅助电极材料，从而形成辅助电极层5。

如图4所示，辅助电极层5的横截面基本呈倒梯形形状。该倒梯形形状的短底边位于辅助电极层5的靠近绝缘层41的一侧，即，该倒梯形形状的长底边位于辅助电极层5的远离绝缘层41的一侧。可选地，辅助电极层5的横截面基本呈矩形形状。可选地，辅助电极层5的横截面基本呈平行四边形形状。

可选地，在去除曝光区中的光刻胶材料之后并且在蚀刻曝光区中的辅助电极材料之前，光刻工艺还包括烘烤光刻胶层。可选地，可控制烘烤参数，以实现剩余的光刻胶层43中的硬度。例如，可以通过控制烘烤温度、烘烤持续时间、或其组合来调节剩余的光刻胶层43中的硬度。相对较硬的光刻胶层有助于形成横截面基本呈倒梯形形状的辅助电极层5。

在一些实施例中，在形成第二电极层之后，所述方法还包括在子像素间区中辅助电极层的远离衬底基板的一侧形成像素限定层。图5a至图5d示出了一些实施例中的制造有机发光二极管显示面板的过程。参见图5a，在辅助电极层5的远离衬底基板1的一侧形成像素限定层6。像素限定层6限定出显示面板中的子像素区sr和子像素间区isr。

参见图5b，所述方法还包括在子像素区sr中第一电极层2的远离衬底基板1的一侧形成有机层3(其包括发光层)。可选地，有机层3的厚度不大于绝缘层7的厚度。在图5b中，有机层3的厚度与绝缘层7的厚度基本相同。可选地，有机层3的远离第一电极层2的一侧的表面与绝缘层7的远离衬底基板1的表面基本位于相同的水平位置。可选地，有机层3的远离第一电极层2的一侧的表面位于比绝缘层7的远离衬底基板1的表面更低的水平位置。

可以使用各种合适的方法来制造有机层。例如，可以通过沉积方法或喷墨打印方法来形成有机层的发光层和/或其他有机功能层。沉积方法的示例包括(但不限于)蒸发镀膜(例如，化学气相沉积方法、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)方法、热气相沉积方法)。可选地，通过喷墨打印来形成有机层。

参见图5c，所述方法还包括通过气相沉积电极材料4v来在有机层3的远离第一电极层2的一侧形成第二电极层。可选地，电极材料4v是金属材料。在一些示例中，电极材料置于容器中，且被加热以使电极材料蒸发(例如，升华)。可以通过施加至电极材料的热量来控制气相沉积速率。可以通过气相沉积速率和气相沉积持续时间来控制第二电极层的厚度。如图5c所示，电极材料4v蒸发并从容器分散至子像素区sr中具有有机层3的衬底。

参见图5d,当蒸汽到达子像素区sr的表面时，蒸汽将沿着表面分散至表面的两侧。由于辅助电极层5的形状，蒸汽易于在子像素区sr与子像素间区isr之间的交界处以较大的程度凝结。例如，辅助电极层5的横截面可具有倒梯形形状,导致交界处的凹槽区(对应于图5d中的4b’)具有三角形的横截面。由于凹槽结构的限制，蒸汽更容易在凹槽内部沉积，从而在子像素间区isr中形成电极材料沉积4b’。蒸汽还在有机层3的表面上沉积，从而在子像素区sr中形成电极材料沉积4a’。当气相沉积工艺完成时，在有机层3的远离第一电极层2的一侧形成第二电极层。如此形成的第二电极层包括基本在子像素区sr中的第一部分和基本在子像素间区isr中的第二部分，第一部分通过第二部分与辅助电极层5电连接。当电极材料是金属材料时，第二电极层是薄膜。可选地，第二电极层的第一部分形成为具有在约5nm至约20nm范围内的厚度；并且辅助电极层形成为具有在约50nm至约500nm范围内的厚度。

辅助电极层可具有各种合适的形状，该形状在子像素区和子像素间区之间的交界处形成结构(例如，凹槽结构)以诱导电极材料蒸汽在交界处沉积。例如，交界处的结构(例如，凹槽结构)的横截面可具有各种合适的形状(包括三角形形状、圆形形状、正方形形状、矩形形状、或不规则形状)，只要该形状提供了足够的限制以便于凹槽内部的蒸汽沉积。

通过具有辅助电极层，可显著减小第二电极层(例如，阴极)的电阻。通过气相沉积电极材料来形成第二电极层，可以消除在电极材料沉积工艺(例如，通过溅射)期间对有机层的损坏。本方法提供了具有优良的显示质量和延长的寿命的有机发光二极管显示面板。

另一方面，本公开提供了一种显示装置，其具有本文所述的或者通过本文所述的方法制造的有机发光二极管显示面板。合适的显示装置的示例包括(但不限于)电子纸、移动电话、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相册、gps等。

为了说明和描述的目的提供了对本发明实施例的以上描述。其不旨在是穷举性的或者将本发明限于所公开的具体形式或者所公开的示例性实施例。因此，应该将以上描述看作是示意性的而非限制性的。明显的是，对于本领域从业者来说，许多修改和变化都将是显而易见的。选择和描述实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明的各个实施例和适于所考虑的特定用途或实施方式的各种修改形式。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同物限定，除非另有说明，否则在权利要求中，所有术语意指它们最宽泛的合理解释。因此，术语“本发明”等并不一定要将权利要求的范围限于特定实施例，并且对本发明的示例性实施例的参考并不意味着对本发明的限制，并且不能推断出这种限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可能涉及使用后面跟随有名词或元件的“第一”、“第二”等。除非提供了具体数字，否则这些术语应该被理解为命名法，而不应理解为限制由所述命名法修饰的元件的数量。所描述的任何优点和好处可能不适用于本发明的全部实施例。应该理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可对所描述的实施例做出变型。此外，不管元件或组件是否在权利要求中明确叙述，本公开中的元件和组件都不旨在献给公众。