技术特征：
技术总结
大区域激光二极管被配置成包括位于器件有源区外的抗导层。抗导层由高折射率材料构成，该折射率材料从半导体激光器输出信号的低阶模式输出光束中分离出不需要的高阶横向模式（归因于热透镜问题）。抗导层使用一个单一的外延生长步骤或在用于生长形成激光二极管本身外延层的步骤之前，从而创造一个结构，提供了抑制不需要的高阶模态，而无需修改制备激光二极管本身的具体工艺步骤。
技术研发人员：亚尔科·特尔卡拉;尤尔根·穆勒;诺伯特·利希滕斯坦
受保护的技术使用者：II-VI激光股份有限公司
技术研发日：2016.06.14
技术公布日：2018.02.16