处理系统及其操作方法与流程

与示例性实施方式一致的系统和方法涉及处理系统及其操作方法，更具体地，涉及移动来自晶片的芯片的处理系统及其操作方法。

背景技术：

由于电子技术的发展，开发和分发了各种设备和产品，并且随着数据处理和半导体集成技术的进步，高分辨率显示器被广泛用于家庭中。

为了实现高分辨率显示器，组成每个像素的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的芯片需要被从晶片移动。例如，现代超高清(UHD)显示器具有3840×2160的分辨率，并且当考虑到这些像素中的每个需要三个芯片(RGB)时，需要24883200(3×3840×2160)个单个芯片。因此，存在将大量芯片从至少三种不同类型的晶片(例如，R、G和B)运送至目标基板的有效方式的需求。

传统的载体仅能够从一个晶片拾取芯片并将芯片移动至基板。换言之，载体限于一次仅对一个晶片执行操作。此外，随着显示器的分辨率变得更高，使用现有技术不能进一步减少制造时间。

因此，需要从多个晶片拾取多个芯片并将芯片移动至目标基板的方法。

技术实现要素：

技术问题

示例性实施方式涉及从多个晶片拾取芯片并将芯片运送至基板的处理系统及其操作方法。

技术方案

根据示例性实施方式的方面，处理系统包括基板、多个第一晶片、多个第二晶片和辊，所述多个第一晶片沿着与基板的边缘平行的第一列以预定间隔布置。所述多个第一晶片中的每个包括多个第一芯片。所述多个第二晶片沿着与第一列平行的第二列以预定间隔且与所述多个第一晶片偏移地布置。所述多个第二晶片中的每个包括多个第二芯片。辊配置成：在第一方向上滚动以拾取包括在所述多个第一晶片中的多个第一芯片；当辊从所述多个第一晶片悬起时，在与第一方向相反的第二方向上滚动；通过在第一方向上滚动拾取包括在所述多个第二晶片中的多个第二芯片；以及将多个第一芯片和多个第二芯片运送至基板。

根据另一示例性实施方式的方面，操作方法包括：沿着与基板的边缘平行的第一列以预定间隔布置分别包括多个第一芯片的多个第一晶片；沿着与第一列平行的第二列以预定间隔且与所述多个第一晶片偏移地布置分别包括多个第二芯片的多个第二晶片；通过使用从辊的初始位置在第一方向上朝基板滚动的辊来拾取包括在所述多个第一晶片中的多个第一芯片；当辊从多个第一晶片悬起时，使辊在与第一方向相反的第二方向上朝辊的初始位置滚动；通过使用在第一方向上朝基板滚动的辊来拾取包括在所述多个第二晶片中的多个第二芯片；以及通过辊将多个第一芯片和多个第二芯片运送至基板。

根据又另一示例性实施方式的方面，方法包括：将辊定位在滚动表面上的第一位置处，所述辊具有圆柱形形状和与基板的边缘平行的旋转轴，基板位于滚动表面上并与第一位置相距预定距离；当辊在第一方向旋转时，使辊沿着旋转轴在滚动表面上从第一位置滚动至第一位置与基板之间的第二位置，以及通过将多个第一芯片粘附至辊的弯曲表面来从位于滚动表面上的第一位置处的第一晶片拾取多个第一芯片；使辊从滚动表面向上提升；使辊在与第一方向相反的第二方向上沿着旋转轴旋转；使辊下降至滚动表面上；当辊在第一方向旋转时，使辊沿着旋转轴在滚动表面上从第二位置滚动至第二位置与基板之间的第三位置，以及通过将多个第二芯片粘附至辊的弯曲表面来从位于滚动表面上的第二位置处的第二晶片拾取多个第二芯片；以及使辊沿着旋转轴在滚动表面上从第三位置滚动至基板，以及将多个第一芯片和多个第二芯片放置在基板上。

发明的有益效果

根据各种示例性实施方式，由于可以从多个晶片拾取多个芯片并且可以将多个芯片移动至基板，因此可减少制造时间。

附图说明

通过参照附图描述某些示例性实施方式，上述和/或其它方面将更加明显，附图中：

图1是示出根据示例性实施方式的处理系统的视图；

图2是示出根据示例性实施方式的辊拾取芯片的方法的视图；

图3是更详细地示出根据示例性实施方式的辊通过滚动拾取芯片的方法的视图；

图4是更详细地示出根据另一示例性实施方式的辊通过滚动拾取芯片的方法的视图；

图5是示出根据示例性实施方式的辊的滚动的视图；

图6是示出根据示例性实施方式的设置多个第一晶片和多个第二晶片的方法的视图；

图7是示出根据示例性实施方式的包括拾取的芯片的区域的视图；

图8是示出根据示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图；

图9是示出根据另一示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图；

图10是示出根据另一示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图；

图11是示出根据示例性实施方式的如何拾取多种类型的芯片的视图；

图12是示出根据另一示例性实施方式的辊的视图；

图13是示出根据示例性实施方式的平台的视图；以及

图14是根据示例性实施方式的处理系统的操作方法的流程图。

实施本发明的最佳方式

本发明的实施方式

可对本公开的示例性实施方式进行不同地修改。相应地，附图中示出了特定的示例性实施方式，并且在详细说明中进行了详细描述。然而，应理解的是，本公开不限于特定的示例性实施方式，而是包括没有脱离本公开范围和精神的所有修改、同等和替换。此外，没有详细描述公知的功能或结构，因为它们将以不必要的细节使本公开模糊。

在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式。这不旨在对示例性实施方式进行限制，而是包括没有脱离示例性实施方式的范围和精神的所有修改、同等和替代。此外，对于附图标记，附图中相同的附图标记表示相同的元件。

此外，应理解的是，描述为一个元件(例如，第一元件)可操作地或可通信地联接或连接至另一元件(例如，第二元件)的描述包括诸如元件中的每个彼此直接地连接以及元件经由另一元件(例如，第三元件)间接地连接的所有情况。然而，如果描述了元件(例如，第一元件)“直接联接至”或“直接连接至”另一元件(例如，第二元件)，则该描述可被理解为在该元件(第一元件)与其它元件(第二元件)之间没有另一元件(例如，第三元件)。

本公开中使用的术语被用于说明任何示例性实施方式，并且这些术语不限制其它示例性实施方式的范围。此外，在说明书中，为了便于说明，可使用单数表达，除非在上下文中另有说明，否则单数表达包括复数表达。本公开中使用的术语可具有与本公开的领域的技术人员通常理解的相同的含义。在本公开中使用的术语之中，词汇限定的一般术语可解释为或类似于在技术背景中解释的含义，并且除非在本公开中明确地限定，否则不应将这些术语理解为理想的含义或过于正式的含义。在一些情况下，甚至在本公开中限定的一些术语也不能被解释为排除示例性实施方式。

在下文中，将参照附图详细描述示例性实施方式。

图1是示出根据示例性实施方式的处理系统1000的视图。如图1中所示，处理系统1000包括辊100、晶片200-1、200-2和基板300。

辊100可实施为圆柱形状。水平圆柱形状或辊100可通过经过晶片200-1、200-2的顶表面而在基板300上滚动。此处，辊100、晶片200-1、200-2以及基板300可位于同一平坦表面上。辊100的长度可与基板300的边缘的长度相同或比基板300的边缘的长度长。辊100的滚动方向可以平行于基板300的彼此平行的一对边缘。

辊100可拾取包括在晶片200-1、200-2中的芯片并将芯片移动至基板300。例如，辊100可通过粘合材料实施并且可通过在晶片200-1、200-2上滚动来拾取包括在晶片中的芯片。

具体地，辊100可从多个晶片200-1、200-2拾取芯片。例如，当多个晶片布置在列上时，辊100可在长度允许的程度下同时从多个晶片拾取芯片。

辊100可在已拾取芯片的情况下通过在基板300上滚动而将所拾取的芯片移动至基板300。例如，基板300的粘合性可以比辊100的粘合性强，因此，由辊100拾取的芯片可被移动至基板300。

辊100可部分地拾取包括在晶片200-1、200-2中的芯片。例如，辊100可以以预定间隔拾取包括在晶片200-1、200-2中的多个芯片之中的芯片。

在上文中，说明是基于辊100通过粘合材料实施的限制进行的，但这仅是示例性实施方式。例如，辊100可通过使用静电力来拾取芯片并将芯片移动至基板300。

晶片200-1、200-2可包括多个芯片(也称为管芯)。例如，晶片200-1、200-2中的每个可包括呈m×n矩阵的多个芯片。芯片可例如是集成电路(IC)或微芯片。

晶片200-1、200-2可沿着平行于基板300的边缘的第一列以预定间隔布置，并且可包括多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2，其中，所述多个第一晶片200-1分别包括多个芯片，所述多个第二晶片200-2与多个第一晶片200-1偏移地沿着与第一列平行的第二列以预定间隔布置并且分别包括多个芯片。然而，本公开不限于此。多个第一晶片200-1可沿着第二列布置，并且多个第二晶片200-2可沿着第一列布置。

多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以是相同种类的晶片。因此，包括在多个第一晶片200-1中的芯片数量可与包括在多个第一晶片200-2中的芯片数量相同。

多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可在相同的方向上布置。例如，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2中的每个可分别包括呈m×n矩阵的多个芯片，并且呈m×n矩阵的多个芯片可在一个晶片中形成矩形区域。多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以布置成使得矩形区域的边缘中彼此平行的一对边缘平行于辊的滚动方向并且彼此平行的另一对边缘垂直于辊100的滚动方向。

多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可连续地位于辊100与基板300之间。换言之，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可位于辊的滚动方向上并且可在接触基板300之前接触辊100。

基板300可以是包括多个芯片的矩形形状的基板。例如，基板300可以是包括多个像素的液晶显示(LCD)面板，并且每个像素可包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的芯片。换言之，在全高清分辨率的LCD面板的情况下，面板包括1920×1080个像素，并且因此需要3×1920×1080个芯片。

基板300可位于辊100的滚动方向上。根据示例性实施方式，辊100、晶片200-1、200-2以及基板300可连续地设置，以使辊100将从晶片200-1、200-2拾取的芯片移动至基板300。

基板300可提供有来自辊100的所需芯片。具体地，当基板300大时，可能需要许多芯片，或者可能需要各种种类的芯片，辊100可将芯片移动至基板300多次。

如上所述，当生成包括多个芯片的基板300时，可通过从多个晶片拾取芯片来减少制造过程时间。

在下文中，参照图2至图12更详细地说明处理系统1000。

图2是示出根据示例性实施方式的辊100拾取芯片的方法的视图。

首先，辊100可通过在预定方向上滚动来拾取包括在多个晶片200-1中的多个芯片。本文中，辊100可被实施为长度沿着枢轴方向预定的圆柱形状。枢轴是辊100围绕其旋转以在多个第一晶片200-1和基板300上滚动的轴。换言之，枢轴在垂直于辊100、晶片200-1、200-2和基板300连续对齐的方向上延伸。

当在设置有基板300的方向上滚动时，辊100可同时拾取包括在多个第一晶片200-1中的多个芯片之中的沿着枢轴方向布置在列上的与辊100接触的多个芯片210。在图2中，示出了与辊100接触的多个芯片210是在一个列中，但本公开不限于此。例如，如果辊100足够大或芯片足够小，则与辊100接触的多个芯片210可在多个列上。

辊100可以以基本上相似的方法拾取包括在多个第二晶片200-2中的多个芯片。

图3是更详细地示出根据示例性实施方式的辊100通过滚动拾取芯片的视图。

多个第一晶片200-1中的每个可包括呈m×n矩阵的多个芯片。在图3中，为了方便说明，示出了晶片的包括呈5×5矩阵的多个芯片310，但其仅属于示例性实施方式。

辊100可通过在设置有基板300的方向上滚动来同时拾取在滚动方向上以第一间隔隔开的列上设置的多个芯片。例如，辊100可不拾取第一列320上的芯片，而是从包括呈5×5矩阵形式的多个芯片310的晶片拾取第二列330上的芯片。

根据跳过第一列320上的芯片但拾取第二列330上的芯片的方法，辊100可拾取其它列上的芯片。然而，本公开不限于此，并且可以以不同的间隔拾取芯片。例如，辊100可拾取第一列320上的芯片，跳过后续的两列并拾取第四列上的芯片。

当通过这种方法生成包括多个像素的LCD面板时，可仅针对与每个像素的R、G和B有关的一种类型的芯片执行操作。例如，通过从包括与R有关的芯片的晶片拾取芯片并将芯片移动至基板，可生成以第一间隔的与R有关的芯片的基板。如果与R有关的所有芯片都设置在基板上，则通过切换至不同种类的晶片，可将与G或B有关的芯片移动至基板。本文中，与G或B有关的芯片可靠近与R有关的芯片设置。

这种拾取方法可被应用至沿着相同的列以预定间隔布置的其它晶片。此外，辊100可以以相同的方法拾取包括在多个第二晶片200-2中的多个芯片。

图4是更详细地示出根据另一示例性实施方式的辊100通过滚动拾取芯片的视图。

当在设置有基板300的方向上滚动时，辊100可同时拾取设置在相同列中的多个芯片之中的以第二间隔隔开的芯片。例如，辊100可不拾取第一行420上的芯片，而是可从包括呈5×5矩阵的多个芯片410的晶片的第一列上的第二行430拾取芯片。

对于第一列上的其它芯片，辊100可以以相同的间隔拾取芯片。在图4中，示出了在第一列上以一个芯片的间隔拾取芯片，但本公开不限于此。例如，辊100可拾取第一行420上的芯片，跳过两行并在第一列上的第四行上拾取芯片，并且，用这种方式，辊100可拾取位于其它列上的芯片。

辊100可同时拾取在滚动方向上以第一间隔隔开的列上设置的多个芯片之中的以第二间隔隔开的芯片。本文中，第一间隔表示芯片被拾取的列与芯片被拾取的下一列之间的间距，以及第二间隔表示芯片被拾取的行与芯片被拾取的下一行之间的间距。从而，第一间隔可与芯片未被拾取的列重合，以及第二间隔可与芯片未被拾取的行重合。由于上文已描述了针对列以第一间隔拾取芯片的方法，因此将省略对该方法的进一步说明。

这种拾取方法可被应用至沿着相同的列以预定间隔布置的不同的晶片。此外，辊100可以以相同的方法拾取包括在多个第二晶片200-2中的多个芯片。

在图3和图4中，说明是基于应用至拾取芯片的规则进行的，但是本公开不限于此。例如，根据基板300的种类，辊100可以以不规则的间隔拾取芯片。

图5是示出根据示例性实施方式的辊100的滚动的视图。

如图5中所示，当在预定方向上滚动时，辊100可拾取包括在多个第一晶片200-1中的多个芯片。本文中，如参照图3和图4说明的，辊100可针对行或列以预定间隔拾取芯片。

辊100可拾取包括在多个第一晶片200-1中的多个芯片，并且当被拉开并且与多个第一晶片200-1远离时在与预定方向的反向方向上滚动。这样做是为了在辊100的表面的预定区域上拾取来自多个第一晶片200-1的芯片和来自多个第二晶片200-2的芯片。以下将进行详细描述。

此外，辊100可通过在预定方向上再次滚动来拾取包括在多个第二晶片200-2中的多个芯片，以将多个芯片运送至基板300。本文中，辊100拾取包括在第二晶片200-2中的多个芯片的方法可与辊100拾取包括在第一晶片200-1中的多个芯片的方法相同。例如，辊100可通过拾取位于相同的列上的所有芯片，跳过两列并拾取位于下一列上的所有芯片的方法来拾取位于其它列上的芯片；并且这种方法可相同地应用至多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2。

然而，本公开不限于此，并且根据基板300的类型，可以以不规则的间隔拾取芯片。例如，根据基板300的类型，辊100可拾取包括在多个第一晶片200-1中的所有芯片，而可仅拾取包括在多个第二晶片200-2中的一些芯片。

同时，辊100可通过在预定方向上滚动将从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2中拾取的芯片运送至基板300。

在将芯片移动至基板300之后，辊100可重复图5中所示的操作。本文中，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可用包括相同类型芯片的新晶片(例如，包括与R有关的多个芯片的晶片)代替。可选地，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可用具有不同类型的芯片的新晶片(例如，包括多个与B或G有关的芯片的晶片)代替。

图6是示出根据示例性实施方式的设置多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2的方法的视图。

如图6中所示，多个第一晶片200-1可沿着与基板300的边缘平行的第一列以预定间隔布置。多个第二晶片200-2可以沿着与第一列平行的第二列以预定间隔且与多个第一晶片200-1偏移地布置。

本文中，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以是相同种类的晶片，并且每个晶片可包括呈m×n矩阵的多个芯片。

每个晶片可布置在相同的方向上。例如呈m×n矩阵形式的多个芯片可在一个晶片中形成矩形区域。多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可布置成沿着矩形区域的边缘之中彼此平行以平行于辊100的滚动方向的一对边缘以及彼此平行以垂直于辊100的滚动方向的另一对边缘。

第一列和第二列可以以预定距离隔开。例如，为了使沿着第一列以预定间隔布置的多个第一晶片200-1和沿着第二列以预定间隔布置的多个第二晶片200-2不重叠，第一列和第二列可隔开。因此，第一列和第二列可基于晶片的尺寸隔开。

如图6中所示，可布置多个晶片使得属于相同列的每个晶片的矩形区域的平行边缘全部与相同的虚拟平行线对齐。

同时，可基于包括一个晶片中所包括的多个芯片的区域的尺寸来确定晶片之间的预定间隔。例如，可将多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2布置成使得包括由辊100的表面从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取的芯片的区域形成矩形形状。换言之，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可布置成使得每个晶片的具有多个芯片的区域的边缘可沿着图6中示出的虚线放置。

在这种情况下，通过从多个第一晶片200-1拾取芯片，辊100在被从多个第一晶片200-1拉开的同时在相反的方向上滚动，并且然后从多个第二晶片200-2拾取芯片，辊100可拾取芯片以便从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取的芯片形成矩形形状。

图6中示出了多个第一晶片200-1具有三个晶片以及多个第二晶片200-2具有两个晶片，但本公开不限于此。晶片可以以任何不同的数量布置。具体地，根据基板的尺寸，第一列、第二列可各自例如仅包括一个晶片。

此外，多个第一晶片200-1可沿着第二列布置，以及多个第二晶片200-2可沿着第一列布置。

图7是示出根据示例性实施方式的包括拾取的芯片的区域的视图。

如图7中所示，为了在从多个第一晶片200-1拾取的多个芯片之间的空间中拾取包括在多个第二晶片200-2中的多个芯片，在辊100被从多个第一晶片200-1拉开的同时，辊100可在与预定方向相反的方向上滚动。换言之，辊100可从设置有多个第一晶片200-1的滚动表面抬起，并且然后在反向方向上旋转。

由于辊100在拾取过程中在与预定方向相反的方向上滚动，因此拾取的芯片可以以矩形形状布置在辊100的表面上。此外，粘附至辊100的拾取区域的芯片之间的距离可彼此以规则的间隔布置。

具体地，辊100可通过从多个第一晶片200-1拾取芯片形成第一区域710-1、710-2、710-3，以及通过从多个第二晶片200-2拾取芯片形成第二区域720-1、720-2。第一区域710-1、710-2、710-3和第二区域720-1、720-2可各自形成矩形形状。

此外，在如上所述的以第一间隔和第二间隔拾取来自多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2的芯片的情况下，包括所有拾取的芯片的区域可以是矩形形状。本文中，拾取区域内相邻芯片之间的距离可以是略大的。

然而，本公开不限于此，并且根据基板300，可拾取各种形状的芯片。

图8是示出根据示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图。

如图8中所示，处理系统1000还可包括多个第三晶片200-3，所述多个第三晶片200-3沿着与第一列平行的第三列以预定间隔布置并且分别包括多个芯片。处理系统1000还可包括多个第四晶片200-4，所述多个第四晶片200-4沿着与第一列平行的第四列以预定间隔且与多个第三晶片200-3偏移地布置并且包括多个芯片。

换言之，可通过与布置多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2相同的方法分别布置多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4。

此外，多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4可以是相同种类的晶片。

然而，多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4可以是与多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2不同种类的晶片。例如，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以是与R有关的芯片的晶片，而多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4可以是与G或B有关的芯片的晶片。

辊100可在以第一间隔和第二间隔拾取的多个芯片之间拾取包括在多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4中的多个芯片中的一些芯片。换言之，在用多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2描述的以第一间隔和第二间隔拾取芯片的相同方法中，辊100可拾取包括在多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4中的芯片。

然而，可在辊100的表面上的不同的位置处拾取芯片。例如，从多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4拾取的多个芯片中的每个可与从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取的多个芯片中的每个相邻。

虽然图8描述了使用多个第一晶片200-1、多个第二晶片200-2、多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4，但是本公开不限于此。例如，处理系统100还可包括多个第五晶片、多个第六晶片等。

多个第五晶片和多个第六晶片可以是相同种类的晶片，但是与多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2中的晶片的种类不同，并且也与多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4中的晶片的种类不同。例如，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以是具有与R有关的芯片的晶片；多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4可以是具有与G有关的芯片的晶片；以及多个第五晶片和多个第六晶片可以是具有与B有关的芯片的晶片。在这种情况下，辊100可拾取与R、G和B有关的所有芯片，并将所有拾取的芯片运送至基板300。

图9是示出根据另一示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图。

如图9中所示，在从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取多个芯片之后，当不同类型的晶片位于多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2所在的位置上(即，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2是两种或更多种不同类型的晶片的混合)时，辊100可沿着轴移动预定距离，并且通过重复相同的过程拾取不同类型的晶片的多个芯片。

图9中所示的方法与图8中所示的方法相似，但是具有占据较小空间的优点。换言之，代替设置一种类型的两列晶片(即，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2)和另一类型的另外两列晶片(即，多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4)，可仅设置具有两种不同类型的两列晶片。然而，由于辊100需要时间移动回到原始位置，因此图9中所示的方法可能需要增加的处理时间。

辊100可通过沿着轴移动预定距离在从多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取的多个芯片之间的空间中拾取包括在不同类型的晶片中的多个芯片。然而，本公开不限于此，并且辊100可通过使用静电力来改变辊100的表面的拾取位置。在这种情况下，辊100不需要沿着轴移动预定距离。

虽然图9中示出了从两种种类的晶片拾取芯片，但本公开不限于此。例如，辊100可从包括与R有关的芯片的多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2拾取芯片，从包括与G有关的芯片的多个晶片拾取芯片，并且然后，从包括与B有关的芯片的多个晶片拾取芯片。在这种情况下，辊100可拾取与R、G和B有关的所有芯片，并将所有芯片运送至基板300。

图10是示出根据另一示例性实施方式的拾取不同类型的晶片的方法的视图。

如图10中所示，可连续地设置多个第一晶片200-1、多个第三晶片200-3、多个第五晶片200-5、多个第二晶片200-2、多个第四晶片200-4以及多个第六晶片200-6。

本文中，例如，多个第一晶片200-1和多个第二晶片200-2可以是包括与R有关的芯片的晶片；多个第三晶片200-3和多个第四晶片200-4可以是包括与G有关的芯片的晶片；以及多个第五晶片200-5和多个第六晶片200-6可以是包括与B有关的芯片的晶片。然而，这仅与示例性实施方式有关，并且可改变设置顺序。

辊100可通过在预定方向上滚动来拾取包括在多个第一晶片200-1中的多个芯片，并且在被从多个第一晶片200-1拉开的同时在与预定方向相反的方向上滚动之后，辊100通过再次在预定方向上滚动来拾取包括在多个第三晶片200-3中的多个芯片。辊100可以以相同的方法从其余的多个晶片拾取芯片，并将拾取的芯片运送至基板300上。

本文中，辊100可以以第一间隔和第二间隔拾取芯片，省略对其进行进一步描述以避免重复。

辊100可通过在预定方向上滚动来拾取多个芯片，并且将拾取的芯片运送至基板300而不在相反的方向上滚动。为此，可使用调节圆柱形的辊100的直径的方法。可选地，可调节包括多个第一晶片200-1、多个第三晶片200-3、多个第五晶片200-5、多个第二晶片200-2、多个第四晶片200-4以及多个第六晶片200-6中的每个的列的间隔。

例如，辊100可在辊100的表面上的第一位置处拾取位于多个第一晶片200-1的第一列上的芯片，并且连续地拾取位于另一列上的芯片并滚动。当拾取位于多个第三晶片200-3的第一列上的芯片时，可调节辊100的直径以将拾取的芯片定位在辊100的表面的第一位置上。换言之，当辊100的表面的第一位置接触位于多个第一晶片200-1的第一列上的芯片并且辊100滚动时，辊100的表面的第一位置可接触位于多个第三晶片200-3的第一列上的芯片。然而，本公开不限于此。具体地，除与辊100的表面的第一位置接触之外，还可能与相邻位置接触。此外，根据辊100的直径，辊10可旋转多次。

此外，如上所述，还可基于辊100的直径调节由相应的多个晶片组成的列的间隔。此处，多个晶片中的至少一部分不应与其它晶片重叠。

根据上述方法，辊100可通过一次拾取与R、G和B有关的芯片将芯片运送至基板300，因此可减少处理时间。

图11是示出根据示例性实施方式的如何拾取多种类型的芯片的视图。

如图11中所示，辊100可拾取设置在以第一间隔隔开的列上的多个芯片。辊100可例如从第一列拾取芯片，跳过第二列和第三列，并且从第一类型的晶片的第四列拾取芯片。

在重复该过程之后，如图8至图10中所示，可通过相同的方法拾取不同类型的晶片。因此，辊100可连续地拾取三种类型的芯片。

虽然图11示出从三种类型的晶片拾取的芯片，但是本公开不限于此。此外，示出了针对相同的列拾取所有芯片，但是如参照图4所描述的，即使在相同的列内，也可以以第二间隔拾取芯片。

图12是示出根据示例性实施方式的辊100的视图。

在上文中，辊100描述为具有圆柱形形状；然而，可使用如图12中所示的辊100。

辊100可包括第一轴和第二轴，每个轴(即，主轴)可用薄片包裹并且轴的薄片是可连接的。每个轴的薄片可通过两个轴在相同的方向上滚动，并且当两个轴在相同方向上旋转时，从一个轴展开的薄片可滚动至另一轴上。在滚动的同时，辊100可拾取包括在晶片中的芯片。

当辊100从晶片拾取芯片时，辊100可在与运动方向相反的方向上滚动的同时，将拾取的芯片移动至基板300。本文中，辊100可在与圆柱形形状的辊的滚动方向相反的方向上滚动。

当使用图12中所示的辊100时，可比使用圆柱形的辊100时拾取更多的芯片。因此，如图8至图10中所示，可使用从多个晶片一次拾取芯片的方法。

图13是示出根据示例性实施方式的平台的视图。

如上所述，辊100、晶片200-1、200-2以及基板300可位于相同的表面上。例如，辊100、晶片200-1、200-2以及基板300可位于平台上。

虽然根据以上描述，辊100通过在基板300上滚动来拾取芯片或运送芯片，但是还可设置移动平台的结构。在这种情况下，可在辊100的滚动方向相反的方向上移动平台。此外，辊100和平台可同时移动；然而，在这种情况下，辊100和平台的操作方向可以是相反的。辊100的滚动速度和平台的移动速度可以是相同的。

图14是示出根据示例性实施方式的处理系统的操作方法的流程图。

将分别包括多个芯片的多个第一晶片沿着与基板的边缘平行的第一列以预定间隔布置，以及将分别包括多个芯片的多个第二晶片沿着与第一列平行的第二列以预定间隔且与多个第一晶片偏移地布置(S1410)。此外，通过使用在预定方向上滚动的辊，拾取包括在多个第一晶片中的多个芯片(S1420)。当辊从多个第一晶片悬起时，使辊在与预定方向相反的方向上滚动(S1430)。通过使用在预定方向上再次滚动的辊，拾取包括在多个第二晶片中的多个芯片(S1440)。将多个拾取的芯片运送至基板(S1450)。

本文中，辊具有沿着枢轴(即，旋转轴)的方向具有预定长度的圆柱形形状；并且在拾取包括在多个第一晶片中的多个芯片(S1420)和拾取包括在多个第二晶片中的多个芯片(S1440)的过程中，辊在设置有基板的方向上滚动，辊可同时拾取沿着枢轴方向布置在列上的多个第一晶片和多个第二晶片中所包括的多个芯片之中的与辊接触的多个芯片。

多个第一晶片和多个第二晶片中的每个包括呈m×n矩阵布置的多个芯片；并且当拾取包括在多个第一晶片中的多个芯片(S1420)以及包括在多个第二晶片中的多个芯片(S1440)时，可通过使用在设置有基板300的方向上滚动的辊来同时拾取在滚动方向上以第一间隔隔开的列上设置的多个芯片。

当通过使用在设置有基板的方向上滚动的辊来拾取包括在多个第一晶片中的多个芯片(S1420)以及拾取包括在多个第二晶片中的多个芯片(S1440)时，在同时拾取设置在相同的列上的多个芯片之中的以第二间隔隔开的芯片之后，辊可同时拾取在滚动方向上以第一间隔隔开的列上设置的多个芯片之中的以第二间隔隔开的芯片。

本公开还可包括：沿着与第一列平行的第三列以预定间隔布置分别包括多个芯片的多个第三晶片；沿着与第一列平行的第四列以预定间隔且与多个第三晶片偏移地布置分别包括多个芯片的多个第四晶片；以及从包括在多个第三晶片和多个第四晶片中的多个芯片之中拾取一些芯片，并将这些芯片放置在以第一间隔和第二间隔拾取的多个芯片之间。

本文中，包括在多个第一晶片和多个第二晶片中的多个芯片可以是R、G和B中的一种，并且包括在多个第三晶片和多个第四晶片中的多个芯片可以是R、G和B之中的另一种。

示例性实施方式还可包括：在从多个第一晶片和多个第二晶片拾取多个芯片之后，当将不同类型的晶片定位在多个第一晶片和多个第二晶片所在的位置上时，沿着轴将辊移动预定距离；并且以相同方法从不同类型的晶片拾取多个芯片。

同时，当辊在与预定方向相反的方向上滚动时(S1430)，为了在从多个第一晶片拾取的多个芯片之间的空间中拾取包括在多个第二晶片中的多个芯片，辊可通过从多个第一晶片悬起而在与预定方向相反的方向上滚动。

基板可位于辊的滚动方向上，并且多个第一晶片和多个第二晶片可连续地位于辊与基板之间。

可基于包括一个晶片中所包括的多个芯片的区域的尺寸来确定预定间隔。

根据各种示例性实施方式，由于可拾取来自多个晶片的多个芯片并将它们运送至基板，因此可减少制造时间。

同时，根据多种示例性实施方式的方法可通过编程而存储在各种存储介质中。因此，根据多种示例性实施方式的方法可在执行存储介质的各种种类的电子设备中实施。

根据示例性实施方式，可提供存储连续地执行控制方法的程序的非暂时性计算机可读介质。

非暂时性计算机可读介质不包括短时间存储数据的介质(诸如，寄存器、高速缓冲存储器和随机存取存储器(RAM))，但是包括可永久地或半永久地存储数据并且可被装置读取的介质。具体地，上述各种应用或程序可存储在诸如光盘(CD)、数字通用光盘(DVD)、硬盘、蓝光光盘、通用串行总线(USB)存储器、存储卡、只读存储器(ROM)等非暂时性计算机可读介质中，并且可提供各种应用或程序。

在上文中，说明和附图是基于示例性实施方式的，但本公开不限于上述示例性实施方式。当已示出和描述了示例性实施方式时，本领域技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的示例性实施方式的精神和范围的情况下，可对示例性实施方式在形式和细节上作出多种改变。

本文中使用的词语“示例性”意指“用作示例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何方面或设计不必被解释为比其它方面或设计优选或有利。