基于雪崩光电二极管的图像感测器的制作方法

技术特征：

技术总结
本文公开这样的装置，其包括：雪崩光电二极管(APD)阵列，APD中的每个包括吸收区和放大区；其中吸收区配置成从吸收区所吸收的光子产生载流子；其中放大区包括结，在该结中具有电场；其中电场处于足以导致进入放大区的载流子雪崩但不足以使雪崩自持的值；其中APD的结是离散的。

技术研发人员：曹培炎;刘雨润
受保护的技术使用者：深圳帧观德芯科技有限公司
技术研发日：2016.06.21
技术公布日：2019.02.05