技术总结
本发明涉及一种单I段型耐大电流聚光光伏电池芯片，属太阳能光伏发电技术领域，包括负电极层，聚光光伏电池基材层，正电极层和有效面积，所述聚光光伏电池基材层一面覆上负电极层，另一面覆上正电极层，所述负电极层之外的部分为有效面积，该种电池芯片能极大地减少聚光光伏电池基材材料的用量，这样就能减少聚光光伏电池芯片的制作成本；随着透镜聚光倍数的增高，增大电极段宽度的同时，通过调整电极为电极段，保持了受光面积的不变性，达到聚光光伏系统整体的发电效率不减少，通过增大负电极段的长度、宽度和厚度，能保证在增大透镜的放大倍数之后，汇聚光转换为大电流电能能顺利通过负电极段导出来。
技术研发人员：王永向
受保护的技术使用者：成都聚合科技有限公司
文档号码：201710131288
技术研发日：2017.03.07
技术公布日：2017.05.24