1.TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，所述波长控制方法包括：
通过硬件PID（8）的闭环控制使TEC（6）的当前温度快速稳定于目标温度；
在驱动光发射组件（3）的突发驱动器（5）待机和工作时，关断深度控制电路（11）工作，通过关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供输入，使所述光发射组件（3）发射不会影响其它ONU正常工作的光，所发的光使光发射组件（3）产生预热，所述预热使光发射组件（3）从不发光到发光工作时能迅速将发出的光稳定到系统每个通道要求的带宽内。
2.如权利要求1所述的TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，所述关断深度控制电路（11）包括NMOS（12），关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供的输入为流经NMOS（12）漏源极的电流，受所述NMOS（12）的栅极控制，所述NMOS（12）的栅极受MCU（1）控制。
3.如权利要求2所述的TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，对所述NMOS（12）的栅极控制电压做查找表，以MCU（1）的核温为索引，去补偿环境温度引起的关断深度控制电路（11）输入电流的变化。
4.如权利要求1－3任一项所述的TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，所述硬件PID （8）依次与H桥控制器（10）、H桥（9）、TEC（6）连接，MCU（1）设置的目标温度对应的电压与从光发射组件（3）采样回来的温度对应的电压之差输入硬件PID （8），然后经H桥控制器（10）转换为控制信号从而控制H桥（9），使TEC（6）加热或制冷，光发射组件（3）形成新的温度，如此循环，实现闭环控制。
5.如权利要求4所述的TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，对MCU（1）设置到硬件PID（8）的目标温度做温度查找表。
6.如权利要求5所述的TWDM ONU波长控制方法，其特征在于，在驱动光发射组件（3）的突发驱动器（5）待机时，关断深度控制电路（11）工作提供的输入使光发射组件（3）的光功率维持在-33dBm到-30dBm之间。
7.一种TWDM ONU波长控制系统，包括MCU（1），光发射组件（3），与MCU（1）连接的驱动所述光发射组件（3）的突发驱动器（5），TEC（6），与MCU（1）连接的TEC驱动器（7），其特征在于，所述TEC驱动器（7）采用硬件PID（8）对TEC（6）的温度进行闭环控制，波长控制系统还包括与MCU（1）连接的关断深度控制电路（11），在驱动光发射组件（3）的突发驱动器待机和工作时，关断深度控制电路（11）工作，所述关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供输入，使所述光发射组件（3）发射不会影响其它ONU正常工作的光，所发的光使光发射组件（3）产生预热，所述预热使使光发射组件（3）从不发光到发光工作时能迅速将发出的光稳定到系统每个通道要求的带宽内。
8.如权利要求7所述的TWDM ONU波长控制系统，其特征在于，所述关断深度控制电路（11）包括NMOS（12），关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供的输入为流经NMOS（12）漏源极的电流，受所述NMOS（12）的栅极控制，所述NMOS（12）的栅极受MCU（1）控制。
9.如权利要求8所述的TWDM ONU波长控制系统，其特征在于，对所述NMOS（12）的栅极控制电压做查找表，以MCU（1）的核温为索引，去补偿环境温度引起的关断深度控制电路（11）输入电流的变化。
10.如权利要求7-9任一项所述的TWDM ONU波长控制系统，其特征在于，所述TEC驱动器（7）包括H桥（9）以及H桥控制器（10），所述硬件PID （8）依次与H桥控制器（10）、H桥（9）、TEC （6）连接，MCU （1）设置的目标温度对应的电压与从光发射组件（3）采样回来的温度对应的电压之差输入硬件PID（8），然后经H桥控制器（10）转换为控制信号从而控制H桥（9），使TEC（6）加热或制冷，光发射组件（3）形成新的温度，如此循环，实现闭环控制。
11.如权利要求7-9任一项所述的TWDM ONU波长控制系统，其特征在于，对MCU（1）设置到硬件PID（8）的目标温度做温度查找表。
12.一种关断深度控制电路，其特征在于，所述关断深度控制电路（11）包括NMOS（12），关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供的输入为流经NMOS（12）漏源极的电流，受所述NMOS（14）的栅极控制，所述NMOS（12）的栅极受MCU（1）控制，在驱动光发射组件（3）的突发驱动器（5）待机和工作时，关断深度控制电路（11）工作，所述关断深度控制电路（11）给光发射组件（3）提供输入，使所述光发射组件（3）发射不会影响其它ONU正常工作的光，所发的光使光发射组件（3）产生预热，所述预热使光发射组件（3）从不发光到发光工作时能迅速将发出的光稳定到系统每个通道要求的带宽内。
13.如权利要求12所述的关断深度控制电路，其特征在于，对所述NMOS（12）的栅极控制电压做查找表，以MCU（1）的核温为索引，去补偿环境温度引起的关断深度控制电路（11）输入电流的变化。
14.如权利要求12或13所述的关断深度控制电路，其特征在于，在驱动光发射组件（3）的突发驱动器（5）待机时，关断深度控制电路（11）工作提供的输入使光发射组件（3）的光功率维持在-33dBm到-30dBm之间。