本发明涉及半导体芯片清洗领域，尤其涉及一种芯片表面的清洗方法。
背景技术：
随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路芯片制造工艺中所要求的芯片表面的洁净度越来越高，为了保证芯片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工艺。
传统的清洗方式是利用去离子水冲洗芯片，这种方式中，去离子水以很高的流量冲击芯片，将芯片上的杂质和污染物冲走，从而达到清洗效果。但是这种清洗方法对芯片的冲击力过大，容易造成元件图案的损坏，并且这种清洗方式的去离子水的利用率低，导致资源浪费。另一种清洗方式是采用盐酸或氢氟酸进行浸泡清洗，然而，此种清洗方法的清洗效果不佳，表面残留的溶液会对芯片表面造成腐蚀。
故此，亟需一种改进的芯片表面的清洗方法，以克服以上的缺陷。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种芯片表面的清洗方法，其能高效去除芯片表面上的残留物，防止对芯片造成腐蚀，从而提高芯片的使用寿命。
为实现上述目的，本发明的芯片表面的清洗方法，依次包括以下步骤：
与现有技术相比，本发明的芯片表面的清洗方法依次采用碱性溶液、异丙醇和水的混合溶液、柠檬酸溶液以及去离子水进行清洗，而且在清洗过程中采用超声波清洗技术，在超声波振荡的辅助作用下可有效去除残留物以及损伤层，清洗效果更好，表面洁净度大为提高，使用寿命得以延长。
较佳地，在用去离子水漂洗该芯片的步骤之后还包括：在所述去离子水中加入碳氢溶剂进行清洗。
较佳地，加入碳氢溶剂进行清洗的步骤之后还包括：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥。
较佳地，在芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗的步骤之前还包括：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度。
较佳地，超声波的功率为20w～30w,频率为40khz～50khz。
较佳地，所述碱性溶液的温度为80～90度，在所述碱性溶液中的清洗时间为50～10分钟。
较佳地，所述碱性溶液为浓度为2％～5％的氢氧化钠溶液。
较佳地，用去离子水漂洗该芯片的漂洗时间为20～30分钟。
较佳地，所述柠檬酸溶液的ph值为5～6。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明的芯片表面的清洗方法作进一步说明，但不因此限制本发明。
本发明的芯片表面的清洗方法的一个实施例依次包括以下步骤：
芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗；
该芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗；
该芯片置于柠檬酸溶液中利用超声波进行清洗；以及
用去离子水漂洗该芯片。
本发明的芯片表面的清洗方法依次采用碱性溶液、异丙醇和水的混合溶液、柠檬酸溶液以及去离子水进行清洗，而且在清洗过程中采用超声波清洗技术，在超声波振荡的辅助作用下可有效去除残留物以及损伤层，清洗效果更好，表面洁净度大为提高，使用寿命得以延长。
在另一实施例中，该芯片表面的清洗方法依次包括以下步骤：
预清洗：用去离子水利用超声波对芯片进行预清洗，去离子水的温度为50～60度，具体地，该超声波的功率为30w，频率为50khz。
碱洗：芯片置于碱性溶液中利用超声波进行清洗，碱性溶液的温度为80～90度，较佳地，该碱性溶液可为氢氧化钠溶液，浓度为2％～5％，清洗时间为5～10分钟，在此步骤中，氢氧化钠溶液的温度不宜过高，如20～25度为佳。超声波的功率为20w，频率为40khz。
有机溶剂清洗：芯片置于异丙醇和水的混合液中利用超声波进行清洗，时间为5～10分钟，超声波的功率在20～30w，频率为40khz～50khz。该步骤可有效溶剂去除芯片表面的有机残留物。
酸洗：配制柠檬酸和去离子水的混合液，混合液的ph值为5～6。芯片被置于到该酸性溶液中，借助超声波振荡清洗技术，使芯片表面快速进行中和反应。
去离子水漂洗：用去离子水漂洗该芯片，漂洗时间为20～30分钟，经过漂洗，芯片表面的酸液、碱液等清洗液残留被漂洗干净。
碳氢清洗：在上一步的去离子水中加入碳氢溶剂，继而排除去离子水。
热焓干燥：将芯片从清洗溶液中取出并进行热焓干燥，该工序利用温度压力的变化，降低芯片上的焓值，使残留液快速蒸发。
以上，结合优选的实施例对本发明进行描述，本发明的清洗结合碱洗、有机溶剂、酸洗、去离子漂洗等多重清洗，而且采用超声波振荡清洗技术，从而有效清除芯片表面的残留物以及损伤层，从而降低芯片表面腐蚀、延长使用寿命。
以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。