技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于VOx选通管的相变存储单元，包括下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层。本发明采用了VOx来实现相变功能层的选通，可以在相变功能层选通的基础上实现数据的存储。通过给VOx施加电压来控制其状态切换，可以达到在低电压时相变存储单元为未选通状态、在高电压时为选通状态的目的。本发明通过VOx的开关控制可以有效的减小相变存储器阵列的漏电流，提供足够高的Reset电流；本发明不需要高温工艺条件，简化了相变存储器的制备工艺，节约成本，为高集成度的相变存储器商用化提供了可能。
技术研发人员：缪向水;童浩;马立樊
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.05.12
技术公布日：2017.07.28