技术特征：
技术总结
本发明公开了一种超宽带新型平面魔T，属于微波技术领域，包括输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和第五连接通孔V5，解决了传统平面魔T无法完成超宽带特性的问题，本发明采用特殊结构的超宽带90度移相器与3节级联3dB90度混合电桥相结合的组合形式，且采用低损耗低温共烧陶瓷材料和三维立体集成技术，附带巧妙的紧凑结构。
技术研发人员：戴永胜;杨茂雅;陈相治;孙超
受保护的技术使用者：孙超
技术研发日：2017.06.07
技术公布日：2017.08.18